【課題】ＧａＮ基板上において、バッファリークを低減したデバイスを得る。
【解決手段】このＨＥＭＴ素子１０においては、基板１１としてｎ−ＧａＮ（ｎ型のＧａＮウェハ）が用いられる。この上に、緩衝層１２として、組成ｐが一定でないノンドープのＡｌ_ｐＧａ_１−ｐＮ層が用いられる。緩衝層１２上には、半絶縁性ＧａＮからなる電子走行層１３、ｎ−ＡｌＧａＮからなる電子供給層１４が順次形成される。この緩衝層１２の組成においては、下端側においてｐ＝０（ＧａＮ）となった領域（基板接続領域１２１）が、上端側（電子走行層１３側）においてもｐ＝０（ＧａＮ）となった領域（能動層接続領域１２２）が、それぞれ設けられている。これらの領域間には、ｐ＝１（ＡｌＮ）となっている領域（高Ａｌ組成領域１２３）が設けられている。高Ａｌ組成領域１２３の抵抗率は、この緩衝層１２中で最も高くなっている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体デバイス層がエッチングされないようにしながら、窒化物半導体デバイス層を基板から剥離することができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法を、基板１２上に、エッチング犠牲層１３を形成する工程と、エッチング犠牲層１３上に、エッチングストッパ層２を形成する工程と、エッチングストッパ層２上に、窒化物半導体デバイス層１を形成する工程と、エッチング犠牲層１３を、光電気化学エッチングによって除去する工程とを含むものとし、エッチングストッパ層２を、窒化物半導体デバイス層１に正孔が蓄積することを防止する層とする。 （もっと読む）

【課題】同一基板に形成されるＨＢＴとＦＥＴとの相互影響を低減する。
【解決手段】第１半導体と、第１半導体の上方に形成された第２半導体とを備え、第２半導体は、Ｐ型の伝導型を示す不純物またはＮ型の伝導型を示す第１不純物原子と、第２半導体が第１不純物原子を有する場合のフェルミ準位を、第２半導体が第１不純物原子を有しない場合のフェルミ準位に近づける第２不純物原子とを有する半導体基板を提供する。一例として、当該第２半導体の多数キャリアは電子であり、第２不純物原子は、第１不純物原子を有する第２半導体のフェルミ準位を下降させる。第２半導体は３−５族化合物半導体であり、第２不純物原子が、ベリリウム、ボロン、炭素、マグネシウム、および亜鉛からなる群から選択された少なくとも１つであってもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体活性領域からの電荷キャリアの脱出を阻止して、電荷キャリアのより有効な閉じ込めを示すＨＥＭＴを提供する。
【解決手段】希土類添加物をドープされた第１のＩＩＩ−Ｖ族真性層２０９ａを備えた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）２００Ａであって、前記真性層の上に形成された第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層２１０ａ及び該第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層の上に形成されたＩＩＩ−Ｖ族半導体層２２０も備える。ＨＥＭＴの製造方法は、第１のＩＩＩ−Ｖ族真性層２０９ａを形成し、該第１のＩＩＩ−Ｖ族真性層に希土類添加物をドーピングして絶縁層を形成する。更に前記絶縁層の上に第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層２１０ａを形成し、該第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層の上にＩＩＩ−Ｖ族半導体層２２０を形成する。前記ＩＩＩ−Ｖ族半導体層と前記第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層とのヘテロ接合界面に二次元電子ガス（２ＤＥＧ）２１２が形成される。 （もっと読む）

【課題】III−V族化合物半導体を含むトランジスタとその形成方法を提供する。
【解決手段】基板２０、前記基板上にあり、III族とV族元素を含む第１のIII−V族化合物半導体材料で形成されたチャネル層２６、前記チャネル層の上方の高ドープ半導体層３０、前記高ドープ半導体層を穿通して形成され前記高ドープ半導体層の側壁に接触したゲート誘電体５０、及び前記ゲート誘電体の下部部分上のゲート電極５２を含み、ゲート誘電体５０が前記ゲート電極の側壁上の側壁部分を有している集積回路構造。 （もっと読む）

【課題】デバイス活性層でのクラック発生が抑制され、かつ、転位密度の低減等の結晶性の向上を図りつつ、窒化物半導体の厚膜化に伴う反りも抑制された、製造効率に優れたバッファ構造を備えた窒化物半導体エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１と、厚さ２〜１０ｎｍのＡｌ_aＧａ_1-aＮ（０．９≦ａ≦１．０）単結晶層３１および厚さ１０〜３０ｎｍのＡｌ_bＧａ_1-bＮ（０≦ｂ≦０．１）単結晶層３２が交互に繰り返し積層された第１の多層バッファ領域３と、厚さ２〜１０ｎｍのＡｌ_cＧａ_1-cＮ（０．９≦ｃ≦１．０）単結晶層４１および厚さ２００〜５００ｎｍのＡｌ_dＧａ_1-dＮ（０≦ｄ≦０．１）単結晶層４２が交互に繰り返し積層された第２の多層バッファ領域４と、ＧａＮ単結晶層５と、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ＜１）単結晶層６とを備えた構成の窒化物半導体エピタキシャル基板を作製する。 （もっと読む）

半導体デバイスが以下の要素を備えている：量子井戸構造を備える活性層（１）と、電荷キャリア閉じ込め層を活性層に形成するように適合された活性層の下のバッファ層（４）。バッファ層（４）は活性層（１）の歪み全体を増大させないように適合される。活性層（１）はすでに、活性層とバッファ層（４）間の格子不整合の結果として歪みをつけられている。バッファ層（４）の歪みは、歪みコントロールバッファ層（４１）を使用して、バッファ層とバッファ層が成長される基板（３）の材料および組成を適切に選択することによってコントロール可能である。
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【課題】破損を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、シリコンを含む材料からなる基板２と、基板２上に形成された緩衝層３と、緩衝層３上に形成された窒化物系半導体を含むデバイス形成層４とを有する。緩衝層３は、アルミニウムを含む第１の窒化物系半導体層１１と、第１の窒化物系半導体層１１の上に形成され、アルミニウムの含有率が徐々に減少する第１の組成傾斜層１２と、第１の組成傾斜層１２の上に形成され、アルミニウムを含まないまたは第１の窒化物系半導体層１１よりもアルミニウムの含有率が少ない第２の窒化物系半導体層１３と、第２の窒化物系半導体層１３の上に形成され、アルミニウムの含有率が徐々に増加する第２の組成傾斜層１４とを順番に複数回積層したものである。第１の組成傾斜層１２は、第２の組成傾斜層１４よりも厚い。 （もっと読む）

【課題】電極の接触抵抗の低減を図るようにした高周波特性の良い電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体薄膜をエピタキシャル結晶成長させてなる多層膜半導体構造を有しており、多層膜半導体構造は、基板１と、基板１上に形成されたバッファ層２と、バッファ層２上に形成された電子走行層３と、電子走行層３上に形成されたスペーサ層４と、スペーサ層４上に形成された電子供給層５と、電子供給層５上に形成されたバリア層６と、バリア層６上に形成された高電子濃度キャップ層７とを備え、さらに、高電子濃度キャップ層７上に形成されたソース電極１０１及びドレイン電極１０３と、バリア層６の表面に形成されたゲート電極１０２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板上に化合物半導体層を厚く形成することができ、バッファ領域内に生じる寄生容量を低減することができる半導体ウェーハ、半導体素子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バッファ領域３は、第１の層６と第２の層７とが交互に複数配置された複数の多層構造バッファ領域５、５´と、複数の多層構造バッファ領域５、５´の相互間に配置され、第１の層６及び第２の層７よりも厚く形成され、且つ第１の層６を構成する材料の格子定数と第２の層７の格子定数との間の格子定数を有する化合物半導体から成る。 （もっと読む）

【課題】接合型電界効果トランジスタ等の半導体装置において、オン抵抗を低減できるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、まず、基板１０１の上に第１の窒化物半導体層１０３、第２の窒化物半導体層１０４及びｐ型の第３の半導体層１０５を順次エピタキシャル成長する。これよりも後に、第３の半導体層１０５を選択的に除去する。これよりも後に、第２の窒化物半導体層１０４の上に、第４の窒化物半導体層１０６をエピタキシャル成長する。これよりも後に、第３の半導体層１０５の上にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の基板での損失を低減し、高周波出力、及び出力電力の線形性を向上させることが可能なIII−Ｖ族窒化物半導体からなる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】III−Ｖ族窒化物半導体からなる半導体装置であって、パッケージング用蓋１１６と、パッケージング用蓋１１６の底面上に形成された接地導体層１１８と、接地導体層１１８の上に形成された高誘電率膜１１４と、高誘電率膜１１４の上に形成され接地導体層１１８とは接していない裏面電極１１３と、裏面電極１１３の上に配置されたシリコンからなる基板１０１と、基板１０１の上に形成されたチャネル層１０３及びショットキー層１０４と、パッケージング用蓋１１６の底面上に形成され、接地導体層１１８と接していないバイアス電極１１９とを備え、裏面電極１１３はバイアス電極１１９と電気導通するよう接続されている。 （もっと読む）

【課題】オフ時に過剰に落ち込んだドレイン電流をより早期に回復させることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上に形成されたＡｌＮ層２と、ＡｌＮ層２上に形成され、ＡｌＮ層２よりも電子親和力が大きいＡｌＧａＮ層３と、ＡｌＧａＮ層３上に形成され、ＡｌＧａＮ層３よりも電子親和力が小さいＡｌＧａＮ層４と、が設けられている。更に、ＡｌＧａＮ層４上に形成されたｉ−ＧａＮ層５と、ｉ−ＧａＮ層５上方に形成されたｉ−ＡｌＧａＮ層６及びｎ−ＡｌＧａＮ層７と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】高出力かつ高周波動作が可能な窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に、第１窒化物半導体材料で構成されるバッファ層と、ＡｌとＩｎとＧａとＮとを含み、ＧａＮより大きな絶縁破壊電界を有し、ＧａＮより大きな飽和電子速度を有し、第２窒化物半導体材料で構成されるチャネル層と、第２窒化物半導体材料よりも大きなバンドギャップを有する第３窒化物半導体材料で構成されるバリア層とを備えた窒化物半導体装置による。 （もっと読む）

ＩＩＩ−Ｖ族材料のデバイスは、チャネル領域の下方にデルタドープ領域を有する。これは、ゲートとチャネル領域との間の距離を短縮することによって、デバイスの性能を向上させ得る。
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【課題】支持基板の上に結晶性及び平坦性が高い窒素とガリウムを含む半導体層を有する半導体ウェハを提供する。
【解決手段】支持基板１と、上面２ｂが少なくとも単結晶となっているIII族窒化物系半導体の第１の窒化物系半導体層２と、第１の窒化物系半導体層２の上面２ｂに設けられ、窒素とガリウムを含む第２の窒化物系半導体層３とを備える。 （もっと読む）

【課題】耐圧性が高く反りが小さくオン抵抗が低い半導体電子デバイスおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された、該基板よりも格子定数が小さく熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第一半導体層と該第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第二半導体層とが交互に積層した２層以上の複合層を有するバッファ層と、前記バッファ層上に形成された、窒化物系化合物半導体からなる半導体動作層と、窒化物系化合物半導体からなり、前記バッファ層直下から前記電子走行層内部までのいずれかの位置に形成され、凹凸形状の境界面を有する下層領域と上層領域とを有し、該下層領域から該上層領域へ延伸する貫通転位が該境界面において屈曲している転位低減層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体下層と半導体上層が積層された半導体積層体において、半導体下層の表面に損傷を与えることなく、半導体下層の一部を露出させる技術を提供する
【解決手段】 半導体下層１８の表面の一部に、半導体上層１５とは格子定数の異なる格子不整合層３０を形成する工程と、格子不整合層３０の表面と格子不整合層３０で被覆されていない半導体下層１８の表面に、半導体上層１５を結晶成長させる工程と、格子不整合層３０上の半導体上層１５に形成された転位４０を介してウェットエッチング液を導入し、格子不整合層３０とその格子不整合層３０上の半導体上層１５を除去して半導体下層１８の一部を露出させる工程を備える。ドライエッチングにより半導体下層１８に損傷を与えることなく、半導体下層１８の一部を露出させることができる。 （もっと読む）

【課題】高電子密度、高電子移動度のIII−Ｖ族化合物半導体を提供する。
【解決手段】化合物半導体を用いた半絶縁性の基板２上に、バッファ層３、電子供給層４、スペーサ層５、チャネル層６、スペーサ層７、電子供給層８、コンタクト層９を有するIII−Ｖ族化合物半導体１において、前記チャネル層６を境にして、一方のスペーサ層が前記チャネル層側からＧａＡｓスペーサ層とＡｌＧａＡｓスペーサ層との２層で構成され、他方のスペーサ層がＡｌＧａＡｓスペーサ層の単層で構成されるものである。 （もっと読む）

【課題】貫通転位及びリーク電流が低減され、高周波用の窒化物半導体トランジスタの製造に適した窒化物半導体エピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体エピタキシャルウエハ１は、窒化物半導体を成長させる成長基板１０と、成長基板１０の上方にて形成される第１の構造層１２と、第１の構造層１２上で成長することにより転位の伝搬方向を変化させる転位伝搬方向転換層１４と、転位伝搬方向転換層１４上に形成される第２の構造層１６と、第２の構造層１６上に形成され、第２の構造層１６を伝搬した転位の伝搬方向を変化させるバッファ層２０とを備える。 （もっと読む）