【課題】Ｓｉまたはシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板上に、薄い（３００ｎｍ未満）歪み緩和Ｓｉ_1-xＧｅ_xバッファ層を形成する方法を提供する。
【解決手段】これらのバッファ層は、歪みを緩和し、著しく平坦な表面を有し、貫通転位（ＴＤ）密度が低い、すなわち１０⁶ｃｍ^-2未満である、一様な分布の不整合転位を有する。この手法は、擬似格子整合またはほぼ擬似格子整合したＳｉ_1-xＧｅ_x層すなわち不整合転位が存在しない層を成長させることから開始し、次いでＨｅまたは他の軽元素を注入し、続いてアニーリングを行って、実質的な歪み緩和を得る。この方法によって機能する極めて有効な歪み緩和機構は、Ｓｉ／Ｓｉ_1-xＧｅ_x界面の下に、Ｓｉ（００１）表面に平行な、Ｈｅが誘導した小板（泡でない）における転位核化である。
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【課題】炭化珪素層に対する良好なコンタクトを確保しつつ、炭化珪素層に接続された電極の剥離を抑制する。
【解決手段】炭化珪素層１１を有する半導体装置の製造方法であって、（Ａ）炭化珪素層１１の上に導電層２１を形成する工程と、（Ｂ）導電層２１と炭化珪素層１１を反応させて、炭化珪素層１１に接する反応層１２およびシリサイド層２３からなる合金層を形成する工程と、（Ｃ）シリサイド層２３の少なくとも一部を除去することにより、反応層１２の表面の少なくとも一部を露出させる工程と、露出させた反応層１２の表面上に電極層１３を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

シリコン−ゲルマニウムバッファ層及びシリコン−カーボンチャネル層構造を用いて製造された半導体素子、例えばヘテロ接合電界効果トランジスタ。本発明は、例えば合金のＳｉ格子中に実質的に組み入れられた約１．５原子％よりも少ないＣを含むシリコン−カーボン合金の歪シリコンチャネル層を形成することによって、上部に歪シリコンチャネル層が形成されたＳｉＧｅ緩和バッファ層における減少されたゲルマニウム含有量を介して貫通欠陥密度を減少させる方法を提供する。
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ソース電極およびドレイン電極が半導体層に接触した、基板上の複数の活性半導体層を備えるトランジスタ。ゲートが、ソース電極とドレイン電極との間に、複数の半導体層上に形成される。複数のフィールドプレートが、半導体層上に配置され、各フィールドプレートは、ゲートのエッジからドレイン電極に向かって延び、また各フィールドプレートは、前記半導体層から、また他のフィールドプレートから分離される。最上部のフィールドプレートは、ソース電極に電気的に接続され、他のフィールドプレートは、ゲートまたはソース電極に電気的に接続される。
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本発明に係る電界効果トランジスタは、基板（１２）上に連続的に形成されるバッファ及びチャネル層（１６）を備える。ソース電極（１８）、ドレイン電極（２０）、並びに、ソース及びドレイン電極間にあるゲート（２２）はすべて、チャネル層に電気的に接続して形成される。スペーサ層（２６）は、前記ゲートと前記ドレイン電極との間にあるチャネル層の表面の少なくとも一部の上に形成され、フィールドプレート（３０）は、前記ゲート及びチャネル層から絶縁されるスペーサ層上に形成される。フィールドプレート（３０）は、少なくとも１つの導電性パスによってソース電極に電気的に接続され、金属半導体電界効果トランジスタ内におけるピーク操作電界を低減する。
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ショットキーバリア炭化ケイ素デバイスは、レニウムショットキー金属接触を有している。レニウム接触（２７）は２５０Åよりも厚く、２０００Åから４０００Åまでの間であり得る。ターミネーション構造は、ショットキー接触の周囲の環状領域をイオンミリングすることによって与えられる。
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高出力高周波数半導体デバイスは、並列に接続された複数のユニットセルを有する。これらのユニットセルは各々、制御電極と、第１及び第２の被制御電極とを有する。熱スペーサ（すなわち、電気的に不活性な領域）が、これらのユニットセルのうち少なくとも１つを第１の活性部分及び第２の活性部分に分割し、第２の活性部分は、この熱スペーサにより第１の部分から離隔される。ユニットセルの制御電極ならびに第１及び第２の被制御電極は、第１の熱スペーサを横切っている。

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高電圧炭化ケイ素パワーデバイスを形成する方法は、法外に高いコストのエピタキシャル成長された炭化ケイ素層の代わりに、高純度炭化ケイ素ウエハ材料から得られる高純度炭化ケイ素ドリフト層を利用している。本方法は、約１００μｍより厚い厚みを有するドリフト層を使用して１０ｋＶを超えるブロッキング電圧をサポートすることができる少数キャリアパワーデバイスと多数キャリアパワーデバイスの両方を形成することを含んでいる。これらのドリフト層は、その中に約２×１０^１５ｃｍ^−３未満である正味ｎ型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層として形成される。このｎ型ドーパント濃度は、中性子変換ドーピング（ＮＴＤ）技法を使用して実現することができる。

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