【課題】化合物半導体上のｐ型チャネルＦＥＴにおいてオン抵抗を低くすることの可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体からなる基板１０上に、ｎ型チャネルＦＥＴ領域２とｐ型チャネルＦＥＴ領域３とが併設されている。ｐ型チャネルＦＥＴ領域３において、チャネル層１６の下面に接するバッファ層１５が、チャネル層１６よりも広いバンドギャップを有する第２バッファ層１５Ｂだけで構成された単層構造となっている。さらに、第２バッファ層１５Ｂは、チャネル層１６と電子走行層１３との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】高周波数動作が可能で、ゲートリーク電流や電流コラプスを抑制できる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース電極５とドレイン電極６との間の電子供給層４上に、電子供給層とショットキー接触する浮遊電極８を配置し、この浮遊電極上に絶縁膜９を介してゲート電極７を配置する。さらに、ソース電極とドレイン電極との間の電子供給層表面を珪素膜１１で被覆する。 （もっと読む）

【課題】等価回路により電圧の累積効果を達成することが可能であって、ハイブレークダウン電圧の特性を有する高電子移動度トランジスターデバイスを提供する。
【解決手段】本発明は、製造プロセスで高電子移動度トランジスターを定義し、内部接続の方法で前記高電子移動度トランジスターを直列接続させた直列接続式の高電子移動度トランジスターデバイス及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】制御性の良い製造方法のみで形成することができる高周波数動作が可能なノーマリオフ型の窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース電極５とドレイン電極６との間の電子供給層４上に、電子供給層４とショットキー接触する浮遊電極８を配置し、この浮遊電極８上に絶縁膜を介してゲート電極７を配置する。さらに、ソース電極５とドレイン電極６との間の電子供給層表面を珪素膜１１で被覆する。そして、ゲート電極７に正バイアス印加し、浮遊電極８に電子を蓄積される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トランジスタ特性の再現性が高く、高速でパワーの大きい電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ダイヤモンド基板１１と、前記ダイヤモンド基板１１の一面１１ａ側に離間して形成された第２の電極１３及び第３の電極１４と、２つの電極１３、１４の間に離間して形成された第１の電極１５と、を有する電界効果トランジスタであって、第１の電極１５とダイヤモンド基板１１との間にＩＩＩ族窒化物半導体層１２が設けられ、ダイヤモンド基板１１とＩＩＩ族窒化物半導体層１２との界面１７の近傍領域に正孔伝導チャネル領域１６が形成されている電界効果トランジスタ１０を用いることによって前記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】比較的短い製造時間で容易且つ確実に反りのない基板を得ることを可能とし、低コストで信頼性の高い高耐圧及び高出力の化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０上に、ＡｌＮからなる第１のバッファ層２と、ＡｌＧａＮのＡｌ組成比率が均一となるように形成された均一組成領域３ａと、第２のバッファ層３の上面に近づくにつれてＡｌＧａＮのＡｌ組成比率が徐々に高くなるように形成された傾斜組成領域３ｂとが積層されてなる第２のバッファ層３とが形成され、第２のバッファ層３上に電子走行層４及び電子供給層６等が形成されてＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴが構成される。 （もっと読む）

【課題】 ピンチオフ特性を改善しまたはチャネル層の移動度を向上させ電気的特性の良好な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１０上にＧａＮ系半導体層２０を形成する工程と、前記ＧａＮ系半導体層に開口部２８を形成する工程と、前記開口部の側面に電子走行層２２および電子供給層２６を形成する工程と、前記電子供給層の前記開口部側の側面にゲート電極３２を形成する工程と、前記ＧａＮ系半導体層上にソース電極３０を形成する工程と、前記ＧａＮ系半導体層の前記ソース電極と相対する面に接続するドレイン電極３４を形成する工程と、を具備する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、抵抗が増大して変換効率が低下してしまうのを防止する。
【解決手段】半導体装置を、基板２上に形成されたＧａＮ系半導体積層構造３を有する第１トランジスタＱ１と、ＧａＮ系半導体積層構造を有する第２トランジスタＱ２とを備え、第１トランジスタが、複数の第１フィンガ８ＡＸを有する第１ゲート電極８Ａと、複数の第１ドレイン電極９Ａと、複数の第１ソース電極１０Ａとを備え、第２トランジスタが、複数の第２フィンガ８ＢＸを有する第２ゲート電極８Ｂと、複数の第２ドレイン電極９Ｂと、複数の第２ソース電極１０Ｂとを備え、複数の第１ドレイン電極の上方又は下方に接続されたドレインパッド１５と、複数の第２ソース電極の上方又は下方に接続されたソースパッド２５と、複数の第１ソース電極及び複数の第２ドレイン電極に接続された共通パッド３５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＳＢＤ、ＨＥＭＴ等のデバイスに逆方向電圧をかけたときの電極端部に生じる電界集中を緩和して電流コラプス、及び長期信頼性の問題を解決した半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物化合物半導体層を有する電子走行層１１と、前記電子走行層１１に形成された窒化物化合物半導体からなる電子供給層１２と、前記電子供給層１２上に形成された第１電極１３と、前記電子供給層１２上に前記第１電極１３と離間して形成された第２電極１４と、前記電子走行層１１および前記電子供給層１２を挟んで前記第１電極１３に対向して形成された、前記第１電極１３と同電位の第１導電体１４と、前記電子走行層１１および前記電子供給層１２を挟んで前記第２電極１４に対向して形成された、前記第２電極１４と同電位の第２導電体１６とを有する半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】窒化物ベースの半導体チャネル層上に窒化物ベースの半導体バリア層を形成すること、および窒化物ベースの半導体バリア層のゲート領域上に保護層を形成することによって、トランジスタが製作される。
【解決手段】パターニングされたオーム性接触金属領域が、バリア層上に形成され、第１および第２のオーム性接触を形成するためにアニールされる。アニールは、保護層をゲート領域上に載せたままで実施される。バリア層のゲート領域上に、ゲート接点も形成される。ゲート領域内に保護層を有するトランジスタも形成され、バリア層の成長させたままのシート抵抗と実質的に同じシート抵抗をもつバリア層を有するトランジスタも同様である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体装置において、オン抵抗が小さく、オン電圧が小さく、逆方向リーク電流が小さい窒化物半導体ダイオードを提供する。
【解決手段】窒化物半導体１，２上に形成されたカソード電極３、アノード電極４，５を有する窒化物半導体ダイオードにおいて、アノード電極４，５の周辺部に窒化物半導体を掘り込んだリセス構造６を有し、リセス構造内部には、アノード電極５が埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）を提供する。
【解決手段】このＭＥＳＦＥＴは、ソース（１３）とドレイン（１７）とゲート（２４）とを備えている。このゲート（２４）を、ソース（１３）とドレイン（１７）の間及びｎ導電型チャネル層（１８）上に設ける。ドレイン（１７）に向かって延びている端部を備えるｐ導電型領域（１４）をソースの下に設ける。このｐ導電型領域（１４）をｎ導電型チャネル領域（１８）から隔ててソース（１３）に電気的に結合させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、オーバーシュートの発生を減少することができ、素子破壊を防止することができるとともに、スイッチング動作速度の高速化を実現することができるスイッチング素子を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、第１の半導体層３１と、第２の半導体層３２と、二次元キャリアガス層３３と、第１の主電極４１と、第２の主電極４２と、第１のゲート電極５１と、第２のゲート電極５２とを備える。第１のゲート電極５１は、第１の主電極４１の一部と対向する第２の主電極４２の一部との間に配設される。第２のゲート電極５２は、第１の主電極４１の他の一部と対向する第２の主電極４２の他の一部との間において、第１のゲート電極５１との間に分離領域６を介在し配設され、第１のゲート電極５１に対して独立に制御される。 （もっと読む）

【課題】所望のレジストパターンが形成可能な、インジウムおよび／またはアルミニウムを含む第１の層からなるフィールド領域を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】インジウムおよび／またはアルミニウムを含む第１の層からなるフィールド領域と、第１の層および第１の層とは異なる半導体層からなるメサ領域と、を備える半導体基板を用いた半導体装置の製造方法であって、フィールド領域表面に、半導体基板表面から半導体基板上に形成する電子ビーム露光用レジストへのインジウムおよびアルミニウムを含む成分の拡散を抑制する被覆層を形成する工程と、フィールド領域表面に被覆層が形成された半導体基板上に電子ビーム露光用レジストを塗布し、メサ領域の一部に電子ビームを露光し、現像することでメサ領域に開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、メサ領域に開口部を有するレジストパターンを用いて半導体基板を修飾する工程とを有する製造方法。 （もっと読む）

【課題】絶縁ゲート型Ｐ−ＨＥＭＴ構造において、良好なトランジスタ性能を実現する。
【解決手段】ベース基板、第１結晶層、第２結晶層および絶縁層をこの順に有し、第１結晶層と第２結晶層との間、または、ベース基板と第１結晶層との間に位置する第３結晶層をさらに有し、第２結晶層が、第１結晶層を構成する結晶に格子整合または擬格子整合し、かつ第１結晶層を構成する結晶よりも禁制帯幅が大きい結晶からなり、第３結晶層が、第１結晶層を構成する結晶に格子整合または擬格子整合し、かつ第１結晶層を構成する結晶よりも禁制帯幅が大きい結晶からなり、第３結晶層は、ドナーまたはアクセプタとなる第１原子を含み、第３結晶層がドナーとなる第１原子を含む場合、第２結晶層が、アクセプタとなる第２原子を含み、第３結晶層がアクセプタとなる第１原子を含む場合、第２結晶層が、ドナーとなる第２原子を含む半導体基板。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフ動作型の半導体素子を複雑な工程を経ることなく作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の作製方法が、下地基板の上に、少なくともＧａを含む、Ｉｎ_x1Ａｌ_y1Ｇａ_z1Ｎ（ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１）なる組成の第１のIII族窒化物からなるチャネル層を形成する工程と、チャネル層の上に、少なくともＡｌを含む、Ｉｎ_x2Ａｌ_y2Ｇａ_z2Ｎ（ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１）なる組成の第２のIII族窒化物からなる障壁層を形成する工程と、障壁層の表面の、ソース電極およびドレイン電極の形成予定個所に対し、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、障壁層の表面の、ゲート電極の形成予定個所に対し、アルゴンプラズマ処理または酸素プラズマ処理を施す工程と、プラズマ処理工程を経たゲート電極の形成予定個所にゲート電極を形成する工程と、を備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】絶縁ゲート型（ＭＩＳ型）のＰ−ＨＥＭＴ構造において、チャネル層のキャリア移動度を向上し、界面準位の影響を低減した、良好なトランジスタ性能を実現できる技術を提供する。
【解決手段】ベース基板と、第１結晶層と、絶縁層とを有し、前記ベース基板、前記第１結晶層および前記絶縁層が、前記ベース基板、前記第１結晶層、前記絶縁層の順に位置し、前記第１結晶層が、ＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓに擬格子整合できるＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０．３５≦ｘ≦０．４３）からなる半導体基板を提供する。前記第１結晶層は、電界効果トランジスタのチャネル層に適用できる層であってもよく、前記絶縁層は、前記電界効果トランジスタのゲート絶縁層に適用できる層であってもよい。前記第１結晶層の７７Ｋにおけるフォトルミネッセンス発光のピーク波長が、１０７０ｎｍより大きいものであってもよい。 （もっと読む）

【課題】窒化物化合物半導体装置において、ゲートリーク電流を抑制する。
【解決手段】化合物半導体装置２０は、基板２１と、前記基板上方に形成された窒化物半導体よりなるキャリア走行層２２を含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造上方に形成されたゲート電極２６、ソース電極２７Ａ、ドレイン電極２７Ｂと、前記半導体積層構造上方であって、ゲート電極とソース電極の間、及び、ゲート電極とドレイン電極との間に形成された絶縁膜２８と、前記絶縁膜のうち、ゲート電極とソース電極の間、及びゲート電極とドレイン電極の間に形成された開口と、前記開口に埋め込まれたアルミナ膜２９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】オフ時のリーク電流を低減し、パワースイッチング素子に適用可能なノーマリーオフ型の半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１の上に形成されたアンドープＧａＮ層１０３と、アンドープＧａＮ層１０３の上に形成されたアンドープＡｌＧａＮ層１０４と、アンドープＧａＮ層１０３又はアンドープＡｌＧａＮ層１０４の上に形成されたソース電極１０７及びドレイン電極１０８と、アンドープＡｌＧａＮ層１０４の上に形成され、ソース電極１０７とドレイン電極１０８との間に配置されたｐ型ＧａＮ層１０５と、ｐ型ＧａＮ層１０５の上に形成されたゲート電極１０６とを備え、アンドープＧａＮ層１０３は、チャネルを含む活性領域１１３と、チャネルを含まない不活性領域１１２とを有し、ｐ型ＧａＮ層１０５は、ソース電極１０７を囲むように配置されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層の表面に形成したオーミック電極のコンタクト抵抗を低減した窒化物半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第一の窒化物半導体層３と、第一の窒化物半導体層３の上に形成された第二の窒化物半導体層４と、第二の窒化物半導体層４の表面に形成されるオーミック電極としてのカソード電極６と、を備え、第二の窒化物半導体層４の表面におけるカソード電極６が形成される領域に、凹凸構造を有するコンタクト部４ａが形成され、このコンタクト部４ａの表面粗さ（ＲＭＳ）が０.２５ｎｍ以上５ｎｍ以下であり、かつコンタクト部４ａの表面の酸素の組成比率が５ａｔ．％以下に設定されている。 （もっと読む）