【課題】窒化アルミニウム結晶を成長させる際に下地基板が昇華されることを防止して、結晶性の良好な窒化アルミニウム結晶を成長速度を向上して成長させる、窒化アルミニウム結晶の成長方法、窒化アルミニウム結晶の製造方法および窒化アルミニウム結晶を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム結晶２０の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、主表面１１ａと裏面１１ｂとを有する下地基板１１と、裏面１１ｂに形成された第１の層１２と、第１の層１２に形成された第２の層１３とを備えた積層基板１０が準備される。そして、下地基板１１の主表面１１ａ上に窒化アルミニウム結晶２０が気相成長法により成長される。第１の層１１ａは、窒化アルミニウム結晶２０の成長温度において下地基板１１よりも昇華しにくい材質よりなる。第２の層１２は、第１の層１１の熱伝導率よりも高い材質よりなる。 （もっと読む）

【課題】大型で高品質のＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本Ａｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶の成長方法は、結晶径Ｄｍｍと厚さＴｍｍとがＴ＜０．００３Ｄ＋０．１５の関係を満たすＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０＜ｙ≦１）種結晶４を準備する工程と、昇華法によりＡｌ_yＧａ_1-yＮ種結晶４の主表面４ｍ上にＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１）単結晶５を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】大口径の厚いＡｌＮ結晶を安定して成長させることができるＡｌＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＡｌＮ結晶の成長方法は、１０００μｍ以上のパイプ径を有するマイクロパイプ４ｍｐの密度が０ｃｍ^-2でありかつ１００μｍ以上１０００μｍ未満のパイプ径を有するマイクロパイプ４ｍｐの密度が０．１ｃｍ^-2以下である主面４ｍを有するＳｉＣ基板４を準備する工程と、気相法により主面４ｍ上にＡｌＮ結晶５を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】被処理物を急速昇温でき、熱効率及びスループットに優れるとともに、構成の簡素な熱処理装置を提供する。
【解決手段】高温真空炉は、被処理物を１，０００℃以上２，４００℃以下の温度に加熱する本加熱室２１と、本加熱室２１に隣接する予備加熱室２２と、予備加熱室２２と本加熱室２１との間で被処理物を移動させるための移動機構２７と、を備える。本加熱室２１の内部には、被処理物を加熱するメッシュヒータ３３と、メッシュヒータ３３の熱を被処理物に向けて反射するように配置される第１多層熱反射金属板４１と、が備えられる。移動機構２７は、被処理物とともに移動可能な第２多層熱反射金属板４２を備える。被処理物が予備加熱室２２内にあるときには、第２多層熱反射金属板４２が本加熱室２１と予備加熱室２２とを隔てて、メッシュヒータ３３の一部が第２多層熱反射金属板４２を介して予備加熱室２２に供給される。 （もっと読む）

【課題】アセン系多環芳香族炭化水素の有機薄膜の製造方法であって、該薄膜をナノオーダーレベルの均一な膜厚で製造でき、得られる薄膜の膜厚を精密に制御することができる、低コストの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の製造方法は、アセン系多環芳香族炭化水素を含む有機溶質から有機薄膜を製造する方法であって、溶質溶解温度および溶質溶解圧力にて該有機溶質を超臨界二酸化炭素溶媒相に溶質溶解して超臨界溶質溶解相とする工程（１）、該超臨界溶質溶解相を膨張前温度の加熱ノズルに通して膨張させて減圧相とする工程（２）、該工程（２）で得られる減圧相を加熱基板上に噴霧して該有機溶質を析出させて有機薄膜を形成する工程（３）、を含む。 （もっと読む）

【課題】ｎ型層とｐ型層とを面内で縞状に交互に有する半導体基板の容易な製造方法を提供する。
【解決手段】この発明に係る半導体基板の製造方法は、成長工程（Ｓ１）と、切断工程（Ｓ２）とを備える。成長工程（Ｓ１）とは、第１導電型の半導体からなる第１導電型層と、第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の半導体からなる第２導電型層とを、少なくともそれぞれ１層以上交互に成長させることにより積層体を形成する工程である。切断工程（Ｓ２）とは、積層体を、第１導電型層と第２導電型層との界面の延在方向と交差する方向に切断することにより基板を得る工程である。 （もっと読む）

【課題】発光素子等の半導体装置の特性向上が可能な高品質な結晶性を有する半極性面を成長面とする六方晶系のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板上に成長したＩＩＩ−Ｖ族窒化物層であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物層の成長面が、ｃ面となす角度が１０°以上９０°未満の半極性面であり、前記成長面を回折面として、この成長面に垂直かつｃ軸に平行な面と平行な方向から入射するＸ線に対して得られるＸ線回折強度の角度依存性の半値全幅をａ_１で表したとき、ａ_１≦０．５°を満たすことを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物層。 （もっと読む）

【課題】放出されるプラズマ粒子の純度を高め、不純物の混入を防止し、イオン濃度の制御性を良くした薄膜形成装置とこれを用いたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】中空の放電管１の外側周囲を高周波コイル２で巻き回されており、高周波コイル２の端子は、高周波電源に接続されている。また、放電管１の上部には放出孔４が、下部にはガス導入孔５が形成されている。ガス導入孔５にはガス供給管１２が接続され、ここから薄膜構成元素となる気体が供給される。放出孔４と所定の距離を隔てて阻止体３が、放出孔４を遮るように設けられている。薄膜形成時には、中空の放電管１内部からプラズマ粒子が放出されるが、気体元素以外の粒子が阻止体３に阻止され基板へ到達できない。 （もっと読む）

ｐｎ接合を含む半導体構造を形成するために半導体グレードシリコンを溶射するよう構成されたプラズマ溶射ガン（１０）は、カソード（１６）またはアノード（２２）またはプラズマに面する他の部品（２８）または少なくとも表面部が高純度シリコンからなりシリコン粉末を運ぶ部品（３４）などのシリコン部品を含む。シリコン粉末は、好ましくは１０ミクロンよりも小さい。半導体ドーパントは溶射したシリコンに含まれてもよい。 （もっと読む）

【課題】 禁制帯幅の制御が可能な六方晶構造を有するIII族酸化物半導体を見出し、これを含む半導体素子、光電変換素子、紫外線検出素子、酸化物発光素子、発光素子を提供することにある。
【解決手段】 Ａ_２Ｏ_３なる構成を有するIII族酸化物を含む半導体素子において、薄膜技術を用いてＡの元素がＩｎ、Ｇａ、アルミニウムＡｌ、ボロンＢの少なくとも二つを固溶させた混晶半導体薄膜を有するようにした。バルクでの熱力学的固溶限界域を超えた組成での固溶体薄膜、熱力学的に不安定な六方晶構造を有する混晶薄膜を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】ｐ型の半導体酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜と、この膜の製造方法を提供する。
【解決手段】パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ）を使用してｐ型ＺｎＯ材料を成膜させる。この方法では、ＬｉとＰの両方を含有する化合物とＺｎＯとの混合物からなる固体ターゲット上にパルスレーザビームを集光させる。集光されたレーザパルスの高いパワー密度により、ターゲット表面上の材料が融除されてプラズマが形成され、これが基板表面上に堆積する。また、パルスレーザ源を含んだ透明な基板と、パルスレーザの波長に対し透明である基板と、マルチターゲットシステムとを使用するパルスレーザ成膜プロセスについて説明する。パルスレーザの光路は、パルスレーザが基板の裏から入射して基板を通過し、ターゲット上に集光するように配置されている。基板をターゲットに向かって並進運動させ、アブレーションプルームのルートを利用した微細パターンの付着が可能になる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板と酸化亜鉛薄膜の間にｐｎ接合を、容易かつ安価に形成する方法を提案すること。
【解決手段】一方の面に導電薄膜２が設けられたｐ型シリコン基板１と、上記ｐ型シリコン基板２の他方の面にｐｎ接合されたｎ型酸化亜鉛薄膜３と、上記ｎ型酸化亜鉛薄膜３の他方の面に形成された第１の光透過性導電薄膜４とを備える酸化亜鉛光デバイスにおいて、上記ｐ型シリコン基板１の表面に酸化亜鉛をレーザー・アブレーション技術により積層させ、その後にアニールすることにより、上記ｐ型シリコン基板１と上記ｎ型酸化亜鉛薄膜３をｐｎ接合させたことを特徴とする酸化亜鉛光デバイス。 （もっと読む）

【課題】β−ＦｅＳｉ_２半導体を、今後様々なデバイスへ用いる場合、光及び電気特性の
制御が必要となる。特に、キャリア濃度の低減と制御、及び光学バンドギャップの値の制
御などは必要不可欠である。
【解決手段】β−ＦｅＳｉ_２の薄膜の物理気相成長法又は化学気相成長法において、基板
温度を４００℃以上とし、成膜時の雰囲気に水素ガスを流入して成長する薄膜中に水素を
混入することによりβ−ＦｅＳｉ_２を水素化させ、水素化の度合いにより光学バンドギャ
ップの値及び比抵抗の値を制御した直接遷移型半導体を形成することを特徴とするβ−Ｆ
ｅＳｉ_２半導体薄膜の製造方法 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプの発生がなく、らせん転位や刃上転位などの転位密度が極めて少なく、かつ、異方位結晶の混入のない高品質な炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】不活性雰囲気において、炭化珪素原料を２２００〜２３００℃の範囲内の第１の温度に、炭化珪素種結晶を第１の温度より低くかつ２２００℃以上の第２の温度になるように加熱し、圧力を１３．３〜２６．６ｋＰａの範囲内で炭化珪素単結晶の成長速度が８０μｍ／ｈ以下になるように調整して炭化珪素単結晶を成長させる第一の成長工程と、該成長工程に続いて成長速度を第一の成長工程より速くするために、第一の成長工程における圧力から０．９３ｋＰａ／ｈ以下の速度で減圧させる減圧工程と、減圧後の圧力で、炭化珪素原料を前記第１の温度に、炭化珪素種結晶を第２の温度に加熱維持し、第１の成長工程における成長速度より速い成長速度で成長させる第２の成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良いＩＩＩ族窒化物を格子整合基板上に成長させる。
【解決手段】ＧａＮ膜を有する窒化物半導体素子１０は、表面が平坦化されたＺｎＯ基板１１の表面上に、ＧａＮ層１２が形成される。ＧａＮ層１２は、３００℃以下の温度でＧａＮをエピタキシャル成長させる第１の成膜工程と、上記第１の成膜工程により成膜されたＧａＮ上に、５５０℃以上の温度でＧａＮをエピタキシャル成長させる第２の成膜工程とにより成膜される。 （もっと読む）

【課題】 二酸化クロム単独ではキュリー点が低く、それに伴い電子素子等の材料として、室温付近での使用が不可能であった。又、所望の形、適所に成膜するには高価な装置を使う必要があり困難を伴っていたため、もっと安価で容易な製造技術が求められていた。
【解決手段】 キュリー点が低く、電子材料として使用することが不可能に近いというという課題は、二酸化クロムと酸化物状態で同一結晶構造を形成できる元素を添加することで問題を解決できた。又、成膜方法として、一般的な真空蒸着でマスクを使うことにより、安価で容易に所望の形、適所に材料提供を実現可能とした。場合によっては、スパッタリング法やレーザーアブレーション法などの蒸着技術などでも対応可能である。 （もっと読む）

【課題】 真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】液晶表示素子を安価で、より短縮された工程時間内に製造できるようにするために、新たな方法によってパターンを形成する方法、およびそのパターン形成方法を用いて薄膜トランジスタおよび液晶表示素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る段差のあるパターン形成方法は、第１印刷ロールに所定の形状の第１パターンを形成する工程と、基板上で前記第１印刷ロールを回転させ、基板上に第１パターンを転写する工程と、第２印刷ロールに所定の形状の第２パターンを形成する工程と、第１パターンが転写された基板上で第２印刷ロールを回転させ、基板上に第２パターンを転写する工程とを含んでなる、第１パターンおよび第２パターンの組合せによって行われることを特徴とする。 （もっと読む）

有機材料を堆積する方法が提供される。有機材料が基板に堆積されるように、有機材料を搬送するキャリアガスは、そのキャリアガスの熱運動速度の少なくとも１０％である流速でノズルから噴出される。ある実施形態では、そのキャリアガスを囲う、ノズルと基板との間の領域における動態的圧力は、噴出中、少なくとも１Ｔｏｒｒであり、より好ましくは１０Ｔｏｒｒである。ある実施形態では、保護流体がキャリアガスの周囲に供給される。ある実施形態では、バックグラウンド圧力は、少なくとも約１０^−２Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約０．１Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約１Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約１０Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約１００Ｔｏｒｒであり、最も好ましくは約７６０Ｔｏｒｒである。
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