【課題】異方位結晶や異種多形結晶が少なく、かつ、大口径の｛０００１｝面基板を切り出すことが可能なＳｉＣ単結晶及びその製造方法、並びに、このようなＳｉＣ単結晶から切り出されるＳｉＣウェハを提供すること。
【解決手段】ａ面成長を繰り返して｛０００１｝面口径の大きいＳｉＣ単結晶を製造する場合において、成長面の総面積（Ｓ₂）に対するＳｉ面側ファセット領域の面積（Ｓ₁）の割合Ｓ_fcaet（＝Ｓ₁×１００／Ｓ₂）が２０％以下に維持されるように、ＳｉＣ単結晶をａ面成長させる。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない転写用シリコン層を有するシリコン層転写用基板を提供する。
【解決手段】第１の基板であるシリコン基板１２と、前記シリコン基板上に配置された犠牲層であって、シリコンとゲルマニウム及び炭素から選ばれる少なくとも一種の元素との化合物からなる少なくとも１層のシリコン化合物層を有し、該犠牲層を構成する化合物層が全て臨界膜厚以下の厚みを有する犠牲層１４と、前記犠牲層上に配置されたシリコン層であって、第２の基板に転写される転写用シリコン層１６と、を備え、前記シリコン基板及び前記シリコン層の少なくとも一方に前記犠牲層に通じる溝又は穴が設けられているシリコン層転写用基板１０。 （もっと読む）

【課題】貫通らせん転位が少ない、もしくは存在しない炭化珪素単結晶層を製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素単結晶ウェハ、当該炭化珪素単結晶ウェハを用いた炭化珪素半導体素子の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】結晶成長面５からの傾斜面６の角度が４０度以上９０度以下であり頂面３Ｔを有する六角錐状の凸部３を有する種基板２の表面に炭化珪素単結晶層４を成長させることで、種基板２の貫通らせん転位を、炭化珪素単結晶層４で基底面内欠陥９に変換すると共に、貫通らせん転位を凸部３の頂面３Ｔに制限する。 （もっと読む）

【課題】 基板の面内方向のキャリア拡散と基板垂直方向のキャリア注入を高効率に行うことのできる、シリコン発光素子用の活性層および該活性層の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】 シリコン発光素子に用いる活性層であり、シリコン化合物からなる第１の層と、該第１の層よりもバンドギャップが大きいシリコン化合物からなる第２の層とが基板上に交互に積層された多層膜構造を有する。また、複数のシリコンナノ粒子が多層膜構造の中に設けられている。第１の層に含まれるシリコン原子の量は、第２の層に含まれるシリコン原子の量よりも多く、複数のシリコンナノ粒子のうちの少なくとも一つは、前記第１の層と前記第２の層との境界面のうち少なくとも一つの面を越えて存在する。 （もっと読む）

【課題】複合基板を用いた半導体装置の製造において単結晶炭化珪素基板の間の隙間に起因した工程変動を抑制する。
【解決手段】第１の単結晶炭化珪素基板１１の第１の辺Ｓ１と、第２の単結晶炭化珪素基板１２の第２の辺Ｓ２とが直線状に並ぶように、第１の単結晶炭化珪素基板１１の第１の頂点Ｐ１と、第２の単結晶炭化珪素基板１２の第２の頂点Ｐ２とが互いに突き合わされている。また第１の辺の少なくとも一部と、第２の辺の少なくとも一部とが、第３の単結晶炭化珪素基板１３の第３の辺Ｓ３に突き合わされている。 （もっと読む）

【課題】 絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、電子・光学デバイス等に好適で、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の欠陥のない高品質な炭化ケイ素単結晶の提供。
【解決手段】 昇華させた昇華用原料を炭化ケイ素単結晶の種結晶上に再結晶させて、炭化ケイ素単結晶を、その全成長過程を通して、その成長面の全面を凸形状に保持したまま成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法により製造され、最大直径が、前記種結晶の直径よりも大きい炭化ケイ素単結晶である。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶を成長させる際のドーパント濃度のバラツキを抑制する。
【解決手段】ＳｉＣ原料粉末３とドーパント元素４の配置場所を異ならせると共に、ＳｉＣ原料粉末３に対してドーパント元素４が種結晶２から離れた位置に配置されるようにする。そして、ドーパント元素４の配置場所をＳｉＣ原料粉末３の配置場所よりも低温にできる構成とする。これにより、ＳｉＣ原料粉末３が昇華し始めるよりも前にドーパント元素４が気化し切ってしまうことを防止することができ、成長させたＳｉＣ単結晶のインゴットが成長初期にのみドーパントが偏析したものとなることを抑制できる。したがって、ドーパント濃度のバラツキを抑制できるＳｉＣ単結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】種結晶を坩堝の中心軸からずらして配置しなくても、種結晶およびＳｉＣ単結晶の成長途中の表面形状を制御することで、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できるようにする。
【解決手段】種結晶となるＳｉＣ単結晶基板３に対向配置される遮蔽板６ａを有する遮蔽部６を備える。そして、遮蔽部６の遮蔽板６ａに備えたガス供給孔６ｂを通じて螺旋転位発生可能領域３ａに選択的に昇華ガスが供給されるようにする。これにより、ＳｉＣ単結晶基板３の中心よりも螺旋転位発生可能領域３ａ側において最も成長量が大きくなった凸形状とすることが可能となり、台座１ｃの厚みを非対称にして成長途中表面４ａに温度分布を設けたりしなくても良くなって、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】複数の炭化珪素単結晶を有する複合基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素と異なる材料から作られた支持層３１と、支持層３１上に形成された炭化珪素層３２とを有するベース部３０が準備され、前記ベース部３０の炭化珪素層３２上に第１および第２の炭化珪素単結晶１１、１２の各々が接合される。前記接合する工程は、前記炭化珪素層３２に前記第１および第２の炭化珪素単結晶１１，１２の各々を対向させる工程と、前記炭化珪素層１１，１２のうち前記第１および第２の炭化珪素単結晶１１，１２に対向する部分のそれぞれを、前記第１および第２の炭化珪素単結晶１１，１２上に昇華および再結晶させることによって、前記第１および第２の炭化珪素単結晶１１，１２の各々に前記炭化珪素層３２を接合する工程とを含む複合基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】品質の低下を抑制できる、ＳｉＣ結晶およびＳｉＣ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ結晶１０は、Ｆｅの濃度が０．１ｐｐｍ以下であり、かつＡｌの濃度が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。ＳｉＣ結晶の製造方法は、以下の工程を備える。第１の原料として研磨用ＳｉＣ粉末を準備する。第１の原料を加熱することにより昇華して、ＳｉＣの結晶を析出することにより、第１のＳｉＣ結晶を成長する。第１のＳｉＣ結晶を粉砕して、第２の原料を形成する。第２の原料を加熱することにより昇華して、ＳｉＣの結晶を析出することにより、第２のＳｉＣ結晶を成長する。 （もっと読む）

【課題】体積抵抗率が低く、しかも、エピタキシャル成長工程等のウエハプロセスにおいて炭化珪素単結晶基板が１０００℃以上に晒されても、積層欠陥が殆ど発生することがない炭化珪素単結晶基板、および、この基板を用いて得た炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】体積抵抗率が０．００１Ωcm以上０．０１２Ωcm以下の炭化珪素単結晶基板であり、表裏面のうち少なくとも片面の表面粗さＲａが１．０ｎｍ以下であると共に、外周側面の表面粗さＲａが１．０ｎｍ以下である炭化珪素単結晶基板、および、前記炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素薄膜をエピタキシャル成長してなる炭化珪素エピタキシャルウェハ、あるいは、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム又はこれらの混晶をエピタキシャル成長してなる薄膜エピタキシャルウェハ。 （もっと読む）

【課題】高品質の炭化珪素単結晶を安定的に製造し、高品質化を可能とする成分調整部材及びそれを備えた単結晶成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る成分調整部材は、結晶成長用容器と、該結晶成長用容器内の下部に位置する原料収容部と、該原料収容部の上方に同軸に配置して該原料収容部より小径の基板支持面で基板を支持する基板支持部とを備え、前記原料を昇華させて前記基板上に前記原料の化合物半導体単結晶を成長させる単結晶成長装置において、前記原料収容部と前記基板支持部との間に配置して前記結晶成長用容器内の空間を分離する成分調整部材であって、前記原料の昇華ガスが透過する複数の透過孔を有すると共に、中央側の開口率（前記透過孔の総開口面積／前記透過孔以外の部分の総面積）が周端側の開口率より高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】たとえば、昇華法によるＳｉＣ単結晶の製造において、単結晶の成長途中での断熱材の劣化を抑制すると共に、坩堝内の温度分布の再現性を高め、さらに製造コストの上昇を抑えることが可能な単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶の製造装置は、導電性の坩堝１０と、坩堝１０の外周に近接して配設され、当該坩堝１０の側方および上方を覆う導電性の炉芯管１１を備える。誘導加熱法を用いて坩堝１０が加熱される際、炉芯管１１は、その下端は坩堝１０の底よりも低い位置となるように設置される。 （もっと読む）

【課題】大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の炭化珪素基板１１の第１の側面Ｓ１と、第２の炭化珪素基板１２の側面Ｓ２とが互いに面するように、処理室６０内にベース部３０および第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。処理室６０内に、炭素元素と化合することができる固体材料からなる吸収部５１が設けられる。第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２を互いに接合するために、炭化珪素が昇華し得る温度以上に処理室６０内の温度が高められる。温度を高める工程において吸収部５１が炭化される。 （もっと読む）

【課題】ある１つのターゲットから飛散したスパッタ粒子が他のターゲットに付着することを防止できるスパッタ装置及びスパッタ法を提供する。
【解決手段】プラズマを生成させるプラズマ室、及び該プラズマ室に連通した成膜室を含む容器を備え、該容器内に設置された少なくとも２つ以上のターゲットをプラズマでスパッタし、スパッタされたターゲットから飛散したスパッタ粒子を成膜室内に設置された基板の表面に堆積させて薄膜を形成するスパッタ装置であって、２つ以上のターゲットのうち１つのターゲットをプラズマでスパッタするときに、スパッタされたターゲットから飛散するスパッタ粒子が他のターゲットに付着することを抑制する抑制手段を備える、スパッタ装置、及び該装置を用いたスパッタ法とする。 （もっと読む）

【課題】コストや作業工数を増大させることなく高抵抗な炭化ケイ素単結晶を製造する。
【解決手段】昇華法により種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させて得られる炭化ケイ素単結晶であって、炭化ケイ素単結晶中のドナー濃度とアクセプター濃度との差の絶対値を１×１０^−１６〜１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３とする。例えば、浅い準位のアセクプターであるホウ素は、結晶成長高さに関わらずホウ素濃度は略一定となるが、浅い準位のドナーである窒素は、結晶成長に伴って低下し、最終的にはホウ素濃度以下になる。これに伴い、成長結晶の抵抗率は結晶成長に伴って増加していき、ホウ素濃度と窒素濃度とがほぼ同等の値になる領域において半絶縁性を示し、その後は窒素濃度の低下に伴って低下する。従って、ホウ素濃度と窒素濃度がほぼ同等の値になる領域を拡大することにより半絶縁性のウエハとして歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを用いた半導体装置を効率よく製造するための半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々が一の方向を向き、かつ第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２が互いに対向するように、第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。この配置する工程の後に、第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２を互いにつなぎ、かつ第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２が互いに対向する空間を埋めるように、第１および第２の炭化珪素基板１１、１２上に炭化珪素層３０が分子線エピタキシ法によって形成される。 （もっと読む）

【課題】昇華法を用いて炭化ケイ素単結晶を製造する際に、単結晶の径方向への成長を促進することができる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶製造装置１は、所定の結晶方位を有する種結晶１０と、昇華用原料２０とを収容する反応容器３０と、蓋部４０とを有する円筒状の坩堝５０を備える。種結晶１０と昇華用原料２０との間に、第１ガイド部材６１，第２ガイド部材６２，第３ガイド部材６３が設けられる。第１ガイド部材６１は、種結晶１０を基に成長する単結晶の成長範囲を規制する規制面６１ａを有する。第２ガイド部材６２は、第１ガイド部材６１よりも昇華用原料２０に近い位置に配設され、原料ガスを反応容器３０の内壁３１に向けて導く。第３ガイド部材６３は、第１ガイド部材６１と第２ガイド部材６２との間に配設され、第１ガイド部材６１の規制面６１ａに対向する案内面６３ａを有する。 （もっと読む）

【課題】基板表面におけるSi等の材料から成る対象表面部のみに選択的に薄膜を形成するうえで、CVD法を用いることなく、簡便に基板上に選択的に膜を形成する選択的膜製造方法を提供する。
【解決手段】圧力10〜202kPa(76〜1520Torr)の水素及び希ガスの混合ガスを主体とする反応ガスが充填された反応室内に、比較的高温に保持した基板、及び、比較的低温に保持した、水素化物が揮発性であるターゲットを平行に配置し、基板とターゲットの間に放電を生起させることで、対象表面部上と、他の表面上との間での膜堆積速度の違いを利用して対象表面部上に選択的にターゲットの薄膜を形成する。希ガスとしてはHeやNeを好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない良質な単結晶インゴットが形成される炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶の製造装置１は、上部が開口され、底部１１ａに昇華用原料５０を収容する反応容器本体１１と、該反応容器本体１１の上部開口１１ｂを覆う蓋体１２と、該蓋体１２の裏面側と種結晶６０との間に配設される保護部材１４とを備え、前記種結晶６０を前記昇華用原料５０に対向して配置し、前記昇華用原料５０を加熱して発生させた原料ガスＧを前記種結晶６０に供給して該種結晶６０から単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置１であり、前記保護部材１４は、結晶成長中の加熱温度によって溶融及び／又は気化する金属を含んでいる。 （もっと読む）