【課題】各層の成膜に適した装置を複数使用する場合、特定の洗浄を行うことにより、大気開放による酸化膜、付着有機物およびコンタミの除去を行い、結晶性を向上させ、更には半導体素子特性を向上させることである。
【解決手段】基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる複数の積層膜を形成する積層工程を含むＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、前記積層工程には、一の積層膜の上に他の積層膜を形成する際に、前記一の積層膜を形成後の基板を成膜装置の外に取り出してから、前記他の積層膜を形成するために、前記成膜装置または他の成膜装置に導入する入替工程が含まれ、前記入替工程には、前記成膜装置から取り出した基板の前記一の積層膜上を洗浄する洗浄工程が備えられていることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】ドナー不純物の添加量によって導電性を制御することができ、しかも、スパッタ法によって効率よくＩＩＩ族窒化物半導体を形成できるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】２０〜８０％の窒素原子含有ガスと不活性ガスとを含む雰囲気中で、スパッタ法によって、ドナー不純物の添加された単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体層を形成するスパッタ工程を備えることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】均一性の良好なバッファ層としての結晶層を得ることができ、その上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶構造を作製する際、良好な結晶性の膜を得る積層構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、スパッタ法によって成膜されたＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層８を備え、少なくとも第１の層に接してＩＩＩ族窒化物材料からなる第２の層７を備えたＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造Ａにおいて、前記第１の層が成膜装置のチャンバの内部において成膜された層であり、前記第１の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、１．０×１０^−３Ｐａ以下の条件で単結晶組織として製造された層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＳｅを含むＶＩｂ族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜半導体薄膜の製造及び光電変換素子の製造に際し、ＣＩＧＳ系薄膜等の半導体薄膜の製膜過程におけるセレン原料の浪費を防止することを課題とする。
【解決手段】 Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＳｅを含むＶＩｂ族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜の製造方法であって、上記半導体薄膜は製膜過程において、プラズマによってクラッキングされてラジカル化したセレンを用いたことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】反りや残留歪の少ない自立窒化物基板の作製方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＭｇＯバッファー層１２０上に、ＧａＮ等の窒化物バッファー層１３０を成長させる（ａ）。ＨＶＰＥ法により、窒化物バッファー層１３０上に、低い基板温度（７００〜９００℃）でＧａＮ等の窒化物層１４０を成長させる（ｂ）。ＺｎＯ膜は窒化物層１４０成長中にｉｎ−ｓｉｔｕによりリフトオフする（ｂ）〜（ｃ）。 高い基板温度（９００〜１５００℃）でのＨＶＰＥ法窒化物成長により、窒化物厚膜（１００ミクロン以上）１５０を作製する（ｄ）。 （もっと読む）

【課題】薄型でエネルギー変換効率が高いシリコンベースの太陽電池を提供すること。
【解決手段】少なくとも一方の表面がＳｉである基板１と、前記基板１のＳｉ表面のうちの１つの表面上に配置されている、エピタキシャル成長により形成されたＢａ原子とＳｉ原子とを含有するｎ型ＢａＳｉ_２層２と、前記ｎ型ＢａＳｉ_２層２上に配置されている周期表１３〜１５族に属する少なくとも１種の不純物原子とＢａ原子とＳｉ原子とを含有するｎ^＋型ＢａＳｉ_２層３と、前記ｎ^＋型ＢａＳｉ_２層３上に配置されている上部電極６と、前記基板１の一方の表面上に配置されている下部電極５と、を備えることを特徴とするシリコンベースの高効率太陽電池。 （もっと読む）

【課題】基板上に結晶薄膜を均一に成長させることが可能な分子線エピタキシー装置および分子線エピタキシー法を提供すること。
【解決手段】その内部を真空状態に保持可能であり、その内部に収容した基板Ｓｂに結晶成長させるための真空成長室１と、基板Ｓｂを保持する基板ホルダ２と、筒状の側壁３２と底３１とを有しており、基板Ｓｂに結晶成長させる材料Ｍｔを溶融状態で保持可能なるつぼ３と、を備える分子線エピタキシー装置Ａであって、るつぼ３の底３１には、溶融した材料Ｍｔが表面張力によって漏洩しないサイズとされた１以上の貫通孔３１ａが設けられており、基板ホルダ２は、るつぼ３に対して底３１の外面３１ｂが向く方向に配置されている。 （もっと読む）

【課題】配向性が充分に高い有機半導体膜を簡便に製造できる有機半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の有機半導体膜の製造方法は、有機半導体化合物Ｂを原料として用いた気相成長により、基板１３の表面に有機半導体膜を形成させる有機半導体膜の製造方法であって、基板１３と有機半導体化合物Ｂとを、隙間Ｎが形成されるように隣接させた状態で、圧力１０^−２〜１０^６Ｐａの雰囲気下で、有機半導体化合物を加熱する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＺｎＯ基板上に形成された、ＡｌＮおよびＡｌ組成比の大きなＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮの高品質の結晶層を提供することを目的とする。
【解決手段】ＺｎＯ基板上に成長したＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層（但し、ｘは、０．６≦ｘ≦１．０を満たす数である。）であって、成長面に対する、Ｘ線回折強度の角度依存性の半値全幅ａ_１が、０．００１°≦ａ_１≦０．５°を満足することを特徴とするＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層。 （もっと読む）

【課題】 プロセスマージンが広く、特性に優れ、且つ信頼性の高い酸化物薄膜トランジスタを作成する。
【解決手段】 アモルファス酸化物半導体膜からなる活性層を備えた薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記活性層を形成する工程は、
導入酸素分圧が１×１０^−３Ｐａ以下の雰囲気中で前記酸化膜を形成する第１の工程と、
前記第１の工程後、酸化雰囲気中で熱処理を行う第２の工程と、
を含む。 （もっと読む）

【課題】基板上にＩＩＩ族窒化物を均一な膜厚で堆積することができ、高いスループットを維持し、大面積の基板であっても製造可能な半導体基板の製造方法、半導体基板の製造装置及び半導体基板を提供すること。
【解決手段】窒素ガス雰囲気でＩＩＩ族金属又はＩＩＩ−Ｖ族化合物からなるターゲット２２にパルス電子線を照射することにより、パルスレーザ光を照射する場合に比べてターゲットを構成する原子又は分子に高い運動エネルギーを与えることができ、ＩＩＩ族金属の原子又はＩＩＩ−Ｖ族化合物の分子のプルームを広い範囲で形成することができる。本発明では、このように広い範囲で形成されたプルームを基板に近接させるので、ＩＩＩ族窒化物の薄膜を基板３２の広い範囲に均一に堆積させることができる。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であり、半導体層をスパッタ法で成膜する際に、基板１１に印加するバイアス値を０．１Ｗ／ｃｍ^２以上とする。 （もっと読む）

【課題】ウェハの面内でピーク波長のばらつきを小さくしたIII族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ピーク波長が４９０〜５５０ｎｍの光を発するIII族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、少なくとも基板２上にスパッタ法を用いてIII族窒化物半導体からなるバッファ層３を形成し、その上に有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）法を用いて発光領域を含むIII族窒化物半導体からなる半導体積層構造１ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】ホールバーによるホール効果測定でホール電圧の磁場依存性から、ｐ型半導体であることが明確に示されるｐ型酸化亜鉛薄膜、同薄膜を再現性良く製造する方法及びその発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型酸化亜鉛半導体薄膜を作製する方法であって、酸化亜鉛のｐ型半導体特性を発現させるために、薄膜中に添加したｐ型ドーパントを活性化する高温アニール工程と、あるいはｐ型ドーパントの活性種を成膜中に照射することでｐ型ドーパントを活性させた状態でドーピングすることと、酸化雰囲気中での低温アニールの工程とを組み合わせることで、ｐ型半導体化を実現することを特徴とする酸化亜鉛のｐ型化の方法と、同方法で実現したｐ型酸化亜鉛薄膜及びその発光素子。
【効果】高信頼性のｐ型酸化亜鉛薄膜、その作製方法及びその青色発光素子を提供することができる。 （もっと読む）

（ＡｌＮ）_x（ＳｉＣ）_(1-x)のような金属―有機アロイ薄膜の上に、バッファーなしに、半導体結晶を成長させる基板及び方法が開示されている。出発材料としてＡｌＮとＳｉＣ粉末を用いた蒸着法により、ＳｉＣ基板の上に（ＡｌＮ）_x（ＳｉＣ）_(1-x)アロイ薄膜は形成されることができる。（ＡｌＮ）_x（ＳｉＣ）_(1-x)アロイ薄膜は、ＧａＮまたはＳｉＣのエピタキシャル成長のためのより良い格子整合を与え、よりよい格子整合と相性によりエピタキシャルに成長されたＧａＮにおける欠陥を減少させる。
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【課題】積層側の主面がｃ軸方向を向いているＭｇＺｎＯ基板上に平坦なＺｎＯ系半導体層を成長させることができるＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】＋Ｃ面（０００１）が少なくともｍ軸方向に傾斜した面を主面とするＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ＜１）基板１上に、ＺｎＯ系半導体層２〜６がエピタキシャル成長されている。そして、ＺｎＯ系半導体層６上にはｐ電極１０が、Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ基板１の下側にはｎ電極９が形成されている。このようにして、Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ基板１の表面に、ｍ軸方向に並ぶ規則的なステップを形成することで、ステップバンチングと呼ばれる現象を防ぎ、基板１上に積層される半導体層の膜の平坦性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 禁制帯幅の制御が可能な六方晶構造を有するIII族酸化物半導体を見出し、これを含む半導体素子、光電変換素子、紫外線検出素子、酸化物発光素子、発光素子を提供することにある。
【解決手段】 Ａ_２Ｏ_３なる構成を有するIII族酸化物を含む半導体素子において、薄膜技術を用いてＡの元素がＩｎ、Ｇａ、アルミニウムＡｌ、ボロンＢの少なくとも二つを固溶させた混晶半導体薄膜を有するようにした。バルクでの熱力学的固溶限界域を超えた組成での固溶体薄膜、熱力学的に不安定な六方晶構造を有する混晶薄膜を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板上に結晶性に優れたオキシカルコゲナイド系半導体単結晶薄膜を製膜することができるオキシカルコゲナイド系半導体単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に非単結晶ＡＭＯＸ系薄膜（Ａはランタノイド元素およびＹからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素、ＭはＣｕおよびＣｄからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素、ＸはＳ、ＳｅおよびＴｅからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素）１２を製膜し、その表面の少なくとも一部をＡ、ＭおよびＸからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素を含む材料からなる粉末で覆い、この粉末に圧力を加えて圧粉体１７とした後、真空または不活性ガス雰囲気中でアニールすることによりこの非単結晶ＡＭＯＸ系薄膜１２を結晶化して単結晶ＡＭＯＸ系薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】 高品位の結晶性を有し、且つ精密にサイズ・位置制御がなされ、デバイスへの集積化の自由度の高められた、均質なβ-FeSi₂又はFeSi₂アモルファスドットアレイ構造体とその効率的な作製方法を提供する。
【解決手段】 β-FeSi₂結晶又はFeSi₂アモルファスをを含有するドットが基板表面に均質に設けられたFeSi₂ドットアレイ構造体。この構造体を、FeSi₂膜を有する透明板の膜面側に基板を対向させ、透明板側からパルスレーザー光を照射し、対向基板上にβ-FeSi₂結晶又はFeSi₂アモルファスを含有するドットを転写することにより作製する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型の半導体酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜と、この膜の製造方法を提供する。
【解決手段】パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ）を使用してｐ型ＺｎＯ材料を成膜させる。この方法では、ＬｉとＰの両方を含有する化合物とＺｎＯとの混合物からなる固体ターゲット上にパルスレーザビームを集光させる。集光されたレーザパルスの高いパワー密度により、ターゲット表面上の材料が融除されてプラズマが形成され、これが基板表面上に堆積する。また、パルスレーザ源を含んだ透明な基板と、パルスレーザの波長に対し透明である基板と、マルチターゲットシステムとを使用するパルスレーザ成膜プロセスについて説明する。パルスレーザの光路は、パルスレーザが基板の裏から入射して基板を通過し、ターゲット上に集光するように配置されている。基板をターゲットに向かって並進運動させ、アブレーションプルームのルートを利用した微細パターンの付着が可能になる。 （もっと読む）