【課題】 サファイアＣ面基板上に成長するＧａＮ系III族窒化物薄膜の極性を（０００１）に制御することにより、従来よりも光学的、電気的特性に優れた薄膜を提供すること。
【解決手段】 サファイアＣ面基板上に、窒素源として窒素プラズマを、またIII族源としてＧａを主成分とする金属を用いて分子線エピタキシーによりＧａＮ系III族窒化物薄膜をエピタキシャル成長させるに際し、金属Ｇａとして、その強度（フラックス）が１×１０¹³コ／ｃｍ²ｓ〜１×１０¹⁵コ／ｃｍ²ｓであるものを用い、該ＧａＮ系III族窒化物薄膜の成長初期に金属Ｉｎを、照射する金属Ｇａの強度より１〜２桁低い強度で、照射することにより、成長する膜の極性を（０００１）に制御する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型のＺｎＯ半導体膜を製造するにあたって、生産性の良好なＺｎＯ半導体膜の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＺｎＯ及びＲｕを含むターゲット２１，２２を用いたスパッタリングにより、Ｒｕを含有するＺｎＯ半導体膜を形成する。１×１０^−７Ｔｏｒｒ程度の超高真空でスパッタリングすることにより、ｐ型のＺｎＯ半導体膜を容易に製造できる。 （もっと読む）

【課題】基板上に大面積の単結晶の有機薄膜を形成することができる有機薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の有機分子からなる規則的な分子配列を有する第１の有機分子層を形成する工程と、前記第１の有機分子層の上にエピタキシャル成長する第２の有機分子層を形成する工程と、前記第１の有機分子層を昇華、蒸発あるいは溶解して前記第２の有機分子層から除去する工程を有する有機薄膜の製造方法。前記第１の有機分子がアントラセン、前記第２の有機分子がペンタセンであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１０内でシラン系ガス及び水素ガスからプラズマを形成してターゲット基板１００上にシリコン膜を形成してシリコンスパッタターゲットを得、これをチャンバ１へ外気に触れさせることなく搬入配置して、チャンバ１内でスパッタリング用ガスからプラズマを発生させ、該プラズマでターゲットのシリコン膜をケミカルスパッタリングして基体Ｓ上にシリコンドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】ソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体層とのオーミックコンタクトが良好な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上１に、ゲート電極２を形成する工程と、前記ゲート電極２の上に第１の絶縁膜３を形成する工程と、前記第１の絶縁膜３の上にアモルファス酸化物で半導体層４を形成する工程と、前記第１の絶縁膜３をパターニングする工程と、前記酸化物半導体層４をパターニングする工程と、前記酸化物半導体層４の上に第２の絶縁膜５を酸化性ガスが含まれる雰囲気で形成する工程と、前記第２の絶縁膜５をパターニングし、前記酸化物半導体層における電極とのコンタクト領域６を露出させ、かつ該コンタクト領域６を低抵抗化する工程と、前記コンタクト領域６にソース電極層７およびドレイン電極層８を形成する工程と、前記ソース電極７およびドレイン電極８をパターニングする工程と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 実用に耐え得る酸化物半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ等の電子デバイス、及び酸化物半導体材料の製造方法を提供する。
【解決手段】 この酸化物半導体材料の製造方法では、Ｚｎ及びＳｎを含有する酸化物ターゲットを用意し、基板をチャンバ内に配置し、酸化物ターゲットをチャンバ内に配置する。酸化物ターゲットを希ガスでスパッタすることによりターゲット材料を基板上に堆積する。この酸化物半導体材料は、Ｉｎを含有せず、且つ、電子キャリア濃度が１×１０^１５／ｃｍ^３より大きく１×１０^１８／ｃｍ^３未満となるようにする。スパッタ時においては、酸化物ターゲットと同時にスパッタされる位置に、ドーパント材料を更に配置することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】移動度の高い酸化亜鉛半導体膜を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，Ｂに、ＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。スパッタリングされたターゲットＡ，ＢのＺｎ粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置された基板上に堆積し、該基板表面にＺｎＯ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】環境への負荷が小さく、安価な薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極１の表面に、絶縁膜２及びＡＺＯ半導体よりなるチャネル層３がこの順に形成されており、該チャネル層３の表面に、間隔をあけてソース電極４及びドレイン電極５が形成された構成となっている。チャネル層がＡＺＯ半導体よりなるため、安価であると共に環境への負荷が小さく、低温プロセスで製造することができる。ソース電極４及びドレイン電極５がＡＺＯ半導体よりなるため、チャネル層６と同一の成膜装置で製造することが可能である。 （もっと読む）

本発明は、電子工学、光学、光電子工学または光起電力工学用の、基板(10)と前記基板(10)の一方の面上に材料を堆積させることにより形成された層(20)とを含む構造体(1)の製造方法に関し、この方法は、前記基板(10)の面(1B)が堆積した材料の層(20)により覆われ、前記基板の他の面(1A)が露出している前記構造体(1)を形成するように、−一方で前記基板(10)を、他方で残りの部分を画定する脆化区域を含む脆化された基板を形成する工程、−前記脆化された基板の2つの面のそれぞれの上に前記材料の層を堆積させる工程、−前記脆化された基板をへき開する工程を含むことを特徴とする。
（もっと読む）

本発明は、基板上の金属前駆体層を熱変換させて半導体層にする方法、およびまた、その方法を実施するおよび基板上にソーラモジュールを製造するための装置にも関する。任意の所望の基板上の金属前駆体層を半導体層に熱変換させるための促進されそして実現するのが簡単な速い方法、およびまた、その方法を実施しそしてソーラモジュールを高い効率で製造するために役に立つ装置も提示する。少なくとも金属前駆体層(10)によってあらかじめ調製した基板(4)を、複数の温度領域にセグメント化した炉(1)内で、複数の工程において大気圧で各々の場合に最終温度400°C〜600°Cまでの所定の温度に加熱しそして搬送ガスおよび蒸気状カルコゲンの混合物を含む雰囲気中で最終温度を維持しながら、半導体層に変換させる。
（もっと読む）

【課題】平坦性向上が図られたＺｎＯ系化合物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系化合物半導体層の製造方法は、（ａ）基板を準備する工程と、（ｂ）前記基板の上方に、少なくともソースガスとしてＺｎ、Ｏ、及びサーファクタントとしてＳを同時に供給してＺｎＯ系化合物半導体層を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、均一性の良好なバッファ層としての結晶層を得ることができ、その上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶構造を作製する際、良好な結晶性の膜を得ることにある。
【解決手段】本発明は、基板上に、スパッタ法によって成膜されたＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層を備え、少なくとも第１の層に接してＩＩＩ族窒化物材料からなる第２の層を備えたＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造において、前記第１の層が成膜装置のチャンバの内部において成膜された層であり、前記第１の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、１．０×１０^−３Ｐａ以下の条件で製造された層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の領域で異なる特性を有している量子ドットをもつ半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の（平均表面格子）パラメータ値を有する少なくとも１つの第１の領域２と、上記第１のパラメータ値とは異なる第２のパラメータ値を有する少なくとも１つの第２の領域３とを含む半導体表面１上に、半導体層を堆積する工程を含んでいる。上記半導体層は、自己組織化アイランド６および７が形成される厚さまで堆積される。アイランド６および７上には、キャップ層８が堆積される。キャップ層の禁制バンドギャップは上記アイランドよりも大きいため、上記アイランドが量子ドットを形成する。これらの量子ドットは、上記第１の領域アイランドと第２の領域アイランドとの（複数の）差により、上記第１の領域および第２の領域とは異なる特性を有している。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質を有するＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体製造装置、並びにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタチャンバ４１内に基板１１及びＧａ元素を含有するターゲット４７を配置し、プラズマを用いた反応性スパッタ法によって、基板１１上に単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体を形成する方法であり、スパッタチャンバ４１内に、基板１１を加熱するヒータ４４と、プラズマ発生空間７０を取り囲むシールド部材５０と、該シールド部材５０を冷却するパイプ部材（冷却手段）５１とが備えられ、ヒータ４４によって基板１１を加熱するとともに、パイプ部材５１によってシールド部材５０を冷却しつつ、ＩＩＩ族窒化物半導体を形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】
酸化亜鉛、および、酸化亜鉛固溶体からなる電子素子、光素子を製造する上で、酸化亜鉛、および酸化亜鉛固溶体の結晶構造に由来する自発分極の方向を考慮した結晶成長が求められる。これらを実現するには、結晶成長に際しての基板材質の選択、および、結晶成長時の成長条件、あるいは、結晶成長後の後処理等を検討し、所望の自発分極方向、すなわち、所望の結晶成長方向に対して結晶を成長する技術が得られなければならない。かつ、製造コストなどの経済性を考慮した場合、より流通量の多い、安定した供給の得られる基板材質をも使用できる、自発分極方向、すなわち、結晶成長方向を制御した酸化亜鉛を提供することが求められる。
【解決手段】
本発明の素子基板は、基板と酸化亜鉛薄膜との間にスピネル型構造の緩衝層を有し、前記酸化亜鉛薄膜は、ウルツ鉱型の結晶構造を有し、その表面が亜鉛（０００１）面であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高品質な水素化アモルファスシリコン膜の製造技術を提供する。
【解決手段】電子銃４から出射される電子ビームを蒸着源３に照射・掃引し、蒸着源３を溶融する。これにより蒸着源３であるシリコンが蒸発し、基板１０表面にシリコン膜を蒸着する。シリコン膜の堆積速度は、膜厚モニター７によって測定されており、膜厚モニター７から電子銃４への信号に基づいて、ほぼ一定の蒸着速度になるように電子銃４の出力を制御する。シリコン膜の堆積速度は、好ましくは０．０２〜１ｎｍ／ｓであり、より好ましくは、０．０５〜０．５ｎｍ／ｓである。さらに、基板１０にシリコンを蒸着する際に、基板１０上に水素化アモルファスシリコン膜を形成するために、シリコン膜の堆積と同時にイオンビームアシスト蒸着法によって水素イオンを含むイオンビームを照射する。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ系化合物半導体層のｎ型層とｎ側電極とのオーミックコンタクトを改良し、動作電圧を下げる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板１上に設けられ、少なくともｎ型層４を有するＺｎＯ系化合物半導体の積層により発光層を形成する発光層形成部１１を有するＺｎＯ系化合物半導体素子であって、ＺｎＯ系化合物半導体のｎ型層４に接触して設けられるｎ側電極９は、ｎ型層４に接する部分がＡｌを含まないＴｉまたはＣｒにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】基板上に配向特性の良好な中間層が設けられ、その上に結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体が備えられてなり、優れた発光特性及び生産性を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２が積層され、該中間層１２上に、下地層１４ａを備えるｎ型半導体層１４、発光層１５及びｐ型半導体層１６が順次積層されてなるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であり、中間層１２の結晶組織中には、中間層１２のＸ線ロッキングカーブをピーク分離手法によって、半価幅が７２０ａｒｃｓｅｃ以上となるブロード成分と、ナロー成分とに分離した場合の、ブロード成分に対応する無配向成分が含まれ、中間層１２の結晶組織における無配向成分の割合が、中間層１２の面積比で３０％以下とされている。 （もっと読む）

【課題】亜鉛酸化物半導体を形成するための方法、およびこれによって製造される亜鉛酸化物半導体を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜上に金属触媒層を導入し、これを熱処理してｐ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜に改質する。熱処理過程により、亜鉛酸化物薄膜内に存在する水素原子は、金属触媒によって除去される。したがって、金属触媒および熱処理によって薄膜内の水素原子が除去され、キャリアである正孔の濃度は増加する。すなわち、ｎ型の亜鉛酸化物薄膜は、高濃度のｐ型亜鉛酸化物半導体に改質されるのである。 （もっと読む）