本発明は、プラズマ気相エピタキシーのための低エネルギー高密度プラズマ発生装置を含んでなる化合物半導体層の高速エピタキシャル成長のための装置及び方法である。上記方法は、堆積チャンバーにおいて１つ又は複数の金属蒸気を非金属元素と結合させるステップを含む。するとガスが高密度低エネルギープラズマ存在下で非常に活性化される。それと同時に、半導体層を基板上に形成するために金属蒸気は非常に活性化されたガスと反応され、反応生成物はプラズマにさらされた支持部と連通する加熱された基板上に堆積される。上記方法は炭素を一切含まず、１０ｎｍ／ｓまでの成長率で、１０００℃以下の基板温度の大面積シリコン基板に窒化物半導体をエピタキシャル成長するために特に適する。上記方法は、炭素を含むガスも水素を発生するガスも必要とせず、有毒性のキャリア又は反応ガスを用いないため、環境に優しい方法である。
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【課題】 簡易な工程でありながらも、比較的安価なＳｉ基板上に高品質な半導体薄膜を形成する方法と、その方法によって得られる半導体薄膜構造物を提供すること。
【解決手段】 Ｓｉ基板上に半導体を結晶成長させて薄膜を形成する方法であって、対象の半導体を結晶成長させるＳｉ基板の上面を、微小角度傾斜させた状態で、結晶成長装置内にＳｉ基板をセッティングし、そのＳｉ基板の傾斜角度は、対象半導体結晶の底面に相応する結晶軸の格子定数のＳｉ基板上面に対する正射影が、Ｓｉ基板の上面に相応する結晶軸の格子定数と略一致する角度とする。 （もっと読む）

【課題】高い輝度を示す発光素子として用いられる半導体積層基板を提供する。
【解決手段】〔１〕金属窒化物を除く無機粒子を含有する半導体層を有してなることを特徴とする半導体積層基板。
〔２〕無機粒子が酸化物、窒化物、炭化物、硼化物、硫化物、セレン化物及び金属からなる群より選ばれる少なくとも１つを含む〔１〕に記載の半導体積層基板。
〔３〕無機粒子が半導体層の成長におけるマスク材料を含む〔１〕又は〔２〕記載の半導体積層基板。
〔４〕マスク材料がシリカ、ジルコニア、チタニア、窒化珪素、窒化硼素、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ａｕ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｖ、Ｈｆ及びＰｄからなる群より選ばれる少なくとも１つである〔３〕記載の半導体積層基板。
〔５〕次の工程(a)及び(b)を含む半導体積層基板の製造方法。
(a) 基板上に、金属窒化物を除く無機粒子を配置する工程、
(b) 半導体層を成長させる工程。 （もっと読む）

【課題】基材にさらされる面を有するスパッタターゲットと、当該ターゲットの面に対して移動する磁界を与えるマグネトロンとを有する、基材上に層を堆積させるためのスパッタリング装置を用いたスパッタリング法を提供する。
【解決手段】本発明においては、場の移動速度は、基材上の堆積の均一性が向上するように制御される。とりわけ、本方法は、均一性対速度を監視する工程；好ましい均一性を与える速度を選択する工程；及び選択された速度に場を制御する工程を含む。選択された速度はターゲットの寿命にわたって変化させることができ、ターゲットが薄くなるにつれて速度を高くすることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 基板上に、成長の核となる微結晶を作製し、その粒径と密度を制御し、大粒径多結晶Si薄膜を作製できるGe微結晶核付き基板の作製方法及びGe微結晶核付き基板を提供する。
【解決手段】 電子工業用ガラス基板、石英ガラス基板、熱酸化したSiウェーハ又はSiO₂膜付き基板の上に固相成長法により島状に独立したGe微結晶を形成し、次いで酸素エッチングによってGe微結晶の粒径と密度とを、３００〜６００℃の範囲のエッチング温度とエッチング時間とで制御する。前記基板の上に粒径が１〜４０ｎｍのGe微結晶を、密度が１×１０⁵〜１×１０⁷個／ｃｍ²となるように分散配置した。 （もっと読む）

【課題】炭素原料と珪素原料の供給の交互切り換えや供給比率の調整を行うことなく炭化珪素結晶薄膜の作製を可能とする。
【解決手段】基板９の表面に成長結晶表面の原子配列状態を調整するために、珪素の単元素源（クヌーセンセル１２）から分子線を照射し、結晶が二次元成長するのに適した成長結晶表面状態を形成する工程と、結晶組み立て原料として炭素と珪素の結合（Ｓｉ−Ｃ）分子を内包する有機シランガス１５を供給し単結晶炭化珪素薄膜を成長させる工程とを有する。この基板９として、（０００１）珪素終端面または（０００−１）炭素終端面を有する六方晶炭化珪素基板を用いる。また、上記有機シランガス１５の原料には、モノメチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシランを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 高密度かつ高均一な量子ドットの自己形成を実現する。
【解決手段】 ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓバッファ層を形成し、ＧａＡｓバッファ層上に、ＧａＳｂ_ｘＡｓ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）層を導入し、ＧａＳｂ_ｘＡｓ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）層上に、ＩｎＡｓ量子ドットを自己形成する。たとえば、アンチモン（Ｓｂ）の組成ｘをｘ＝１にして、０．２４〜１．５２ＭＬ厚のＧａＳｂ層を導入する場合は、ＧａＳｂ層上にＩｎＡｓ量子ドットを、１．１×１０¹¹ｃｍ^-2以上のドット密度で、高均一に自己形成できる。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の良好なＺｎＯ薄膜を低温で、特に加熱することなく室温で、形成させる方法を提供すること。
【解決手段】 基板上に４００℃未満の温度で結晶性酸化亜鉛薄膜を形成させる方法であって、該基板上に表面が主に（１１１）格子面となる結晶性緩衝層を設けた後、該緩衝層の上に酸化亜鉛薄膜を気相法により堆積させることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基板をほぼ垂直で起立した状態で有機物を蒸着して有機薄膜を形成して大型基板に適用可能で、かつ、均一な厚さの有機薄膜を形成することができる有機物蒸着装置を提供するためのものである。
【解決手段】本発明の有機物蒸着装置は胴体を成し、基板を地面に対し、７０゜ないし１１０゜の角度を維持するようにするチャンバと、基板上に蒸着する有機物を受け入れる少なくとも一つの有機物格納所からなる有機物格納部と、基板上に蒸着する有機物を噴射する有機物噴射ノズル部と、有機物噴射ノズル部と有機物格納部とを連結させる連結ラインと、有機物格納部、有機物噴射ノズル部及び連結ライン中の少なくとも有機物噴射ノズルを垂直方向に移動させることができる移送装置を備えてなる。 （もっと読む）

最も近い既知の方法では、コヒーレント光源の光が目下の層表面に送出され、成長に依存して変化する微細な粗さに基づく拡散性の後方散乱が検出器によって時間に依存して検出される。これによって特徴的な点を介して、プロセスとの時間的な関連が形成される。しかしこの公知の方法は場所分解能を有しておらず、場所固定の基板でのみ使用可能である。従って、特に太陽電池用のカルコパイライト薄膜技術において使用される継続作動における同時蒸着用の本発明による方法では光ビーム（ＬＬＳ）が周期的かつ継続的に移動基板（Ｓ）にわたってガイドされ、ここで光ビーム（ＬＬＳ）の走査速度は移動基板（Ｓ）の前進速度よりも格段に高い。後方散乱光の検出は、目下の層表面上の入射場所に依存して行われる。測定された特徴的な点（１，２，２ａ，３，４）を既知の析出プロセスに割当てることによって場所的な散乱光プロフィールが作成される。この散乱光プロフィールによって、予期される層のクオリティに関する予測がデポジションプロセスの各時点および場所でなされる。偏差は現場で、相応のプロセスパラメータを変えることによって調整される。
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【課題】 複雑な工程を必要としない、また、転位を低減するために厚い膜を形成する必要のない窒化物半導体の転位低減方法を提供する。
【解決手段】 オフ角度αが0.5°以上の微傾斜基板１を用い、その上に、分子線エピタキシャル成長（MBE）法、有機金属気相成長（MOCVD）法、ハイドライド気相成長（HVPE）法などを用いてバッファ層となる窒化物半導体膜２を成長させ、その上に窒化物半導体膜３を成長させる。オフ角度αをある程度大きくして、成長する薄膜の表面に多原子層高さのマクロステップが形成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、触媒分子線エピタキシ（ｃａｔ−ＭＢＥ）の装置、及びそれを用いてIII族窒化物材料を成長させる方法に関する。
【解決手段】 本発明の触媒分子線エピタキシ装置１２０は、熱線１０を含み、アンモニア、窒素ガス等の窒素を含むガス１１０が熱線１０を通過する際に、前記熱線１０によって前記窒素を含むガスを触媒作用により分解して活性化イオンを生成し、前記活性化イオンがIII族金属元素と反応して加熱基板上にIII族窒化物エピタキシャル層を形成する。 （もっと読む）

ＦｅドープＩｎＰ等の半導体基板上にＩｎＡｌＡｓ等の化合物半導体からなるエピタキシャル層を再現性よく成長させることのできる気相成長方法を提供する。
半導体基板上にエピタキシャル層を成長させる気相成長方法において、予め室温における半導体基板の抵抗率を測定し、該半導体基板の抵抗率に関わらず実際の基板の表面温度が所望の温度となるように、前記室温における抵抗率に応じて基板の設定温度を制御し、エピタキシャル層を成長させるようにした。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理をおこなうチャンバ全体としては、電気的高周波的な特性が考慮されていなかった。
【解決手段】 プラズマを励起するための電極を有するプラズマチャンバＣＮと、この電極４，８に接続された高周波電源１と、プラズマチャンバＣＮと高周波電源１とのインピーダンス整合を得るための整合回路２とを具備し、整合回路２Ａをその出力端ＰＲから切り離し、給電板３で測定したプラズマチャンバＣＮの第１直列共振周波数ｆ₀ の３倍が、高周波電源１からプラズマチャンバＣＮに供給される電力周波数ｆ_e より大きな値の範囲に設定されてなる。 （もっと読む）