【課題】Ｓｉ単結晶基板上において、表面欠陥密度の少ないＳｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜を有する半導体多層膜を提供する。
【解決手段】Ｓｉ単結晶基板と、このＳｉ単結晶基板上に形成されたＳｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ（０＜Ｘ≦１）膜とを具えた半導体積層膜において、前記Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜は好ましくはマグネトロンスパッタリング法で形成し、前記Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜の表面欠陥密度が１０^４／ｃｍ^２以下となるようにする。 （もっと読む）

（ＡｌＮ）_x（ＳｉＣ）_(1-x)のような金属―有機アロイ薄膜の上に、バッファーなしに、半導体結晶を成長させる基板及び方法が開示されている。出発材料としてＡｌＮとＳｉＣ粉末を用いた蒸着法により、ＳｉＣ基板の上に（ＡｌＮ）_x（ＳｉＣ）_(1-x)アロイ薄膜は形成されることができる。（ＡｌＮ）_x（ＳｉＣ）_(1-x)アロイ薄膜は、ＧａＮまたはＳｉＣのエピタキシャル成長のためのより良い格子整合を与え、よりよい格子整合と相性によりエピタキシャルに成長されたＧａＮにおける欠陥を減少させる。
（もっと読む）

【課題】大面積の基板上に結晶性に優れたオキシカルコゲナイド系半導体単結晶薄膜を製膜することができるオキシカルコゲナイド系半導体単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に非単結晶ＡＭＯＸ系薄膜（Ａはランタノイド元素およびＹからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素、ＭはＣｕおよびＣｄからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素、ＸはＳ、ＳｅおよびＴｅからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素）１２を製膜し、その表面の少なくとも一部をＡ、ＭおよびＸからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素を含む材料からなる粉末で覆い、この粉末に圧力を加えて圧粉体１７とした後、真空または不活性ガス雰囲気中でアニールすることによりこの非単結晶ＡＭＯＸ系薄膜１２を結晶化して単結晶ＡＭＯＸ系薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】不整合転位や不純物をほとんど含まず良質であり、光デバイスとして利用可能なＧｅＳｎ半導体デバイスを得る。
【解決手段】シリコン基板１に形成した極薄酸化膜２上に分子線エピタキシャル法を用いてＧｅ５とＳｎ６とを蒸着することで、ＧｅＳｎ半導体のナノメーターサイズの微結晶（ナノドット）３を超高密度に形成して、ＧｅＳｎ半導体デバイスを得る。該半導体のドット３は不整合転位や不純物をほとんど含まず良質であり、光デバイスとして利用することができる。 （もっと読む）

電子デバイスは、物質の主表面に単結晶領域を含む物質を含む。単結晶領域は、グラフェンと実質的に格子整合している六方晶格子を有し、グラフェンの少なくとも１つのエピタキシャル層がこの単結晶領域に配置される。現在好ましい実施形態では、単結晶領域は多層の六方晶ＢＮを含む。このような電子デバイスの作製方法は、物質の主表面に単結晶領域を含む物質を提供し、単結晶領域は、グラフェンと実質的に格子整合している六方晶格子を有するステップ（ａ）と、この領域に少なくとも１つのグラフェン層をエピタキシャル形成するステップ（ｂ）を含む。現在好ましい実施形態では、ステップ（ａ）は、グラファイトの単結晶基板を提供するステップ（ａ１）と、基板に多層の単結晶六方晶ＢＮをエピタキシャル形成するステップ（ａ２）とをさらに含む。六方晶ＢＮ層はグラフェンと実質的に格子整合した表面領域を有し、ステップ（ｂ）は六方晶ＢＮ層の表面領域に少なくとも１つのグラフェン層をエピタキシャル形成するステップを含む。ＦＥＴへの応用が説明されている。
（もっと読む）

ターゲット基材上に堆積される物質を加熱するための坩堝は、原料物質を含むように構成されている胴部、胴部の第１の端部に形成された基部、および胴部の第２の端部に形成された放出オリフィスを含む。坩堝は、加熱された原料物質が放出オリフィスを通って通過する前に、中間オリフィスを通過し、そして少なくとも１回坩堝胴部の内側表面に衝突するように、少なくとも配置されかつ構成されている１つの中間オリフィスをさらに含む。
（もっと読む）

【課題】ガスガイド部に多結晶を付着させること無く、成長速度が大きく、且つ高品質な炭化珪素単結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】単結晶を成長させる原料を坩堝内に収容し、当該坩堝周囲の断熱材の外側に高周波コイルを用いて当該原料を加熱昇華させて単結晶からなる種結晶上に供給し、この種結晶上に単結晶を成長させる単結晶成長方法において、当該種結晶３に対し所定の距離を離して開口部を有し原料側が種結晶３側より大径の円錐状のガスガイド部９を配し、坩堝体２の加熱用の高周波コイル７位置を加熱時の坩堝内の等温線がガスガイド部９の円錐状内壁との成す角が略直角になる位置に配置し、坩堝蓋部１上に配置される断熱材８は、坩堝蓋部１と所定の距離を有して配置される。 （もっと読む）

【課題】 真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドー
プした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】有機物を蒸発させるとき凝集し得る有機物粒子のクラッキング効果（ｃｒａｃｋｉｎｇ ｅｆｆｅｃｔ）を最大化することができる蒸発源及びそれを用いた薄膜蒸着方法を提供する。
【解決手段】有機材料の蒸発時に凝集し得る蒸発粒子のクラッキング効果（ｃｒａｃｋｉｎｇ ｅｆｆｅｃｔ）を最大化することができる蒸発源及びそれを用いた薄膜蒸着方法に関する。本発明による有機薄膜材料である有機物が収納され、加熱部を有するるつぼと、前記有機物を基板に噴射する少なくとも一つの噴射ノズルとを備える蒸発源において、前記るつぼは蒸発する前記有機物の移動経路上に配設される少なくとも一つのバッフルを有し、前記噴射ノズルは、輻射熱を遮断することができるシャワーヘッド構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面に形成する薄膜に混入する還元作用を有するガスの量を抑制するとともに、基板の表面または基板の表面に形成する薄膜に与える損傷を抑制して基板の表面に結晶性の高い薄膜を形成することができる分子線エピタキシャル成長装置および分子線エピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】 成長室１３の収容空間１２には、ウエハ１８を保持するマニピュレータ２１、分子線を発生する分子線源２２および液体窒素によって冷却されるシュラウド２３が設けられる。収容空間１２には、ウエハ１８が直接見込めない位置から、分子状態の水素ガスが導入される。収容空間１２に導入された水素ガスの分子は、シュラウド２３の表面に衝突しながら拡散する。収容空間１２に拡散された水素ガスを含む雰囲気において、分子線エピタキシャル成長を行い、ウエハ１８の表面に高品質な薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプの発生がなく、らせん転位や刃上転位などの転位密度が極めて少なく、かつ、異方位結晶の混入のない高品質な炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】不活性雰囲気において、炭化珪素原料を２２００〜２３００℃の範囲内の第１の温度に、炭化珪素種結晶を第１の温度より低くかつ２２００℃以上の第２の温度になるように加熱し、圧力を１３．３〜２６．６ｋＰａの範囲内で炭化珪素単結晶の成長速度が８０μｍ／ｈ以下になるように調整して炭化珪素単結晶を成長させる第一の成長工程と、該成長工程に続いて成長速度を第一の成長工程より速くするために、第一の成長工程における圧力から０．９３ｋＰａ／ｈ以下の速度で減圧させる減圧工程と、減圧後の圧力で、炭化珪素原料を前記第１の温度に、炭化珪素種結晶を第２の温度に加熱維持し、第１の成長工程における成長速度より速い成長速度で成長させる第２の成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来のシリコンドット形成や結晶性シリコン薄膜形成と比べると、比較的低温下で、シリコン物体形成対象基体上に所望のシリコン物体（シリコンドットや結晶性シリコン薄膜）を形成できる方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコン物体形成対象基体Ｓを第１室１に配置し、第１室１に連設された第２室２にシリコンスパッタターゲットＴ１を設け、第２室２に水素ガスからケミカルスパッタリング用プラズマを生成させ、該プラズマにてシリコンスパッタターゲットＴ１をケミカルスパッタリングしてシリコン物体形成寄与粒子を生成させ、第２室２から第１室１へ到来する該シリコン物体形成寄与粒子により基体Ｓ上にシリコン物体を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンドット形成対象基板上に、従来より、低温で、粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成することができるシリコンドット形成方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンスパッタターゲット（例えばターゲット３０）を内部に設けた真空チャンバ１内に基板Ｓを配置し、チャンバ１内にスパッタリング用ガス（代表的には水素ガス）を導入し、該ガスに高周波電力を印加することでチャンバ１内にプラズマを発生させ、該ターゲットにケミカルスパッタリング制御用バイアス電圧を印加するとともに該プラズマでターゲットをケミカルスパッタリングして基板Ｓ上にシリコンドットＳｉＤを形成する。 （もっと読む）

【課題】 珪素単結晶を基板としてIII族窒化物半導体層を設けるのに際し、そのIII族窒化物半導体層を良質な結晶層とすることができ、素子特性を優れたものとすることができるようにする。
【解決手段】 本発明は、珪素単結晶からなる基板１０１上にIII族窒化物半導体からなる層を備えた半導体素子１０において、上記基板１０１の一表面に、立方晶の炭化珪素ゲルマニウム（組成式Ｓｉ_1-XＧｅ_XＣ：０＜Ｘ＜１）からなるIV族元素膜１０２が設けられ、そのIV族元素膜１０２に接合させて上記III族窒化物半導体からなる接合層１０３が設けられているものである。 （もっと読む）

【課題】 多元系の酸化物薄膜を作製する場合に、面内方向に組成分布が生じ難い酸化物半導体薄膜、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 組成又は構成元素が互いに異なる複数の酸化物層による積層構造からなる半導体薄膜において、前記酸化物層の一部又は全部がアモルファスである。前記酸化物層の厚さが０．０５〜１０ｎｍである。前記酸化物層の一部又は全部が、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、又はＡｓのいずれかの元素を含有する。前記組成の異なる複数種以上の酸化物層の積層構造は、１積層単位が繰り返し成膜された複数の積層単位としてもよい。 （もっと読む）

【課題】 金属製の断熱材を用いず、かつ断熱材を交換することなく温度の異なるスパッタ処理を行うことができるスパッタ装置を得る。
【解決手段】 プラズマ中のイオンによってターゲットをスパッタしてウェハ上に薄膜を形成するスパッタ装置において、冷却ステージと、冷却ステージ上に断熱材を介して設けられたホットプレートと、ホットプレート上に設けられた、ウェハを保持するウェハホルダと、ウェハホルダと対向して設けられた、ターゲットを保持するターゲットホルダと、ウェハホルダとターゲットホルダとを内包するチャンバーとを有し、断熱材は、温度によって熱伝導率が変化するセラミック材である。 （もっと読む）

【課題】 昇華法により窒化物単結晶を製造する際に、得られる単結晶に欠陥が導入されないにようにして、その結果、良質で、大口径の単結晶を効率よく製造することのできる製造方法を提供する。
【解決手段】 加熱炉１内で窒化アルミニウムの原料粉末９を加熱して昇華させ、種結晶７上で窒化アルミニウムを成長させるに当たり、前記窒化アルミニウムの原料粉末９に、平均粒径１０μｍ以上のもの又は比表面積０．０２ｍ^２／ｇ以下のものを用いる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ単結晶基板上に形成するイオン結合を有する化合物の薄膜素子を製造するに際し、基板直上に金属硫化物のエピタキシャル薄膜を形成すること。
【解決手段】汎用Ｓｉ基板を出発として得られた


を基板として利用し


を形成することが可能であり、符号１はＳｉ（１１１）単結晶基板で、２は単結晶基板１上に形成されたＭｎＳ層（約５０ｎｍ）、３はＭｎＳ層２上に形成されたＡｌＮ層（約１０００ｎｍ）、４はＡｌＮ層上に形成され、発光層として機能するＧａＮ層（約１００ｎｍ）を示している。 （もっと読む）

【課題】 燐化硼素系半導体層上にIII族窒化物半導体層を接合させる際に、双方間の結合性の差異に起因して発生すると思われる不安定な接合を解消し、燐化硼素系半導体層上にIII族窒化物半導体層を安定して形成することができるようにする。
【解決手段】 本発明の積層構造体１０は、結晶からなる基板１００と、その基板１００上に設けられた燐化硼素系III−Ｖ族化合物半導体層１０１と、燐化硼素系III−Ｖ族化合物半導体層１０１の表面に接合されたIII族窒化物半導体層１０２とを備え、III族窒化物半導体層１０２は、表面の原子配列構造を（２×２）とする燐化硼素系III−Ｖ族化合物半導体層１０１に接合して設けられる、ことを特徴としている。 （もっと読む）

ＩｎＮ，ＧａＮ等に代表されるＩＩＩ族の窒化物半導体につき、貫通転位の発生や界面層の発生を抑えつつ良質の窒化物半導体層を成長させるべく、ＩｎＮからなる窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子の作製方法において、イットリア安定化ジルコニア基板（１２）の（１１１）面に対して、上記ＩｎＮを蒸着させる蒸着工程を設けることにより、当該基板（１２）の（１１１）面に対して、六方晶であるＩｎＮのｃ軸が略垂直となるように配向されてなる窒化物半導体層を形成させる。
（もっと読む）