【課題】 ショットキー型電界効果トランジスターに於いて、殊にソース領域近傍のチャネル領域に対するゲート電極の制御性を高めて、素子の電流駆動能力の向上を図る。
【解決手段】 ゲート絶縁膜を異なる誘電率を持つ膜の積層とすることで、誘電率の高い材料のみで形成した場合と比べてゲート絶縁膜の幾何学的な意味の厚さを薄く形成することを可能とし、ゲート電極から出た電気力線のゲート絶縁膜の側面から外への漏れに起因する、殊にソース領域近傍のチャネル領域の電位に対するゲート電極の制御性の低下を抑制する事が可能となる。また、誘電率の高い材料よりなるゲート側壁絶縁膜１２を設ける事に依り、異なる誘電率を持つ物質の界面に於ける電気力線の屈折に依って、ゲート電極から出た電気力線をソース領域近傍のチャネル領域に集める事が可能となり、ソース領域とチャネル領域との間に形成されるショットキー障壁を薄くし、その抵抗を低減する。 （もっと読む）

【課題】 電気光学装置の駆動回路において、ＴＦＴの半導体層と配線との電気的接続に係る抵抗を小さくし、更には当該駆動回路の動作不良を防止して消費電流を小さくする。
【解決手段】 駆動回路は、相補型トランジスタを構成するｎチャネル型の第１ＴＦＴ及びｐチャネル型の第２ＴＦＴと、第１ＴＦＴの半導体層と層間絶縁膜に開孔された第１コンタクトホールを介して電気的に接続されるか、又は第２ＴＦＴの半導体層と層間絶縁膜に開孔された第２コンタクトホールを介して電気的に接続される配線と、配線と第１ＴＦＴの半導体層との電気的接続に係る第１抵抗と、配線と第２ＴＦＴの半導体層との電気的接続に係る第２抵抗とを相互に近付けるように、第１又は第２ＴＦＴの半導体層より下層側に、第１又は第２コンタクトホールと重畳的に形成された導電性のシート層とを備える。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置において、Ｃｒなどからなるソース電極およびドレインライン用外部接続端子とＩＴＯなどの金属酸化物からなる画素電極および上層ドレインライン用外部接続端子との間の接続抵抗値を低くする。
【解決手段】 画素電極１８および上層ドレインライン用外部接続端子２４は、オーバーコート膜１６に形成されたコンタクトホール１７、２３を介して、ソース電極７およびドレインライン用外部接続端子２１上に設けられた、ＩＴＯなどからなる金属酸化膜１１、２２に接続されている。そして、オーバーコート膜１６にコンタクトホール１７、２３をドライエッチングにより形成するとき、コンタクトホール１７、２３を介して露出される金属酸化膜１１、２２の上面はドライエッチングによるプラズマダメージに強く、またエッチングガスにさらされても変質することはない。 （もっと読む）

【課題】 ソース・ドレイン電極と半導体膜とのコンタクト不良を抑制することが可能な半導体装置等を提供する。
【解決手段】 両端部３０ｓ、３０ｄの膜厚が平坦部３０ｃの膜厚よりも厚い半導体膜３０を形成する。ゲート絶縁膜４０は、両端部３０ｓ、３０ｄが露出されるように形成される。両端部３０ｓ、３０ｄには、ソース・ドレイン電極５０ｓ、５０ｄとソース・ドレイン領域とを接続する中間電極５０ｓ、５０ｄが形成され、この中間電極５０ｓ、５０ｄまで開口するコンタクトホールが形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表示装置用配線及び前記配線を含む薄膜トランジスタ表示板に関する。
【解決手段】本発明は、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、及びクロム（Ｃｒ）から選択された少なくとも一つの金属を含有する銅合金からなる表示装置用配線、並びに、基板、前記基板上に形成されているゲート線、前記ゲート線と交差するデータ線、前記ゲート線及び前記データ線に接続されている薄膜トランジスタ、及び前記薄膜トランジスタに接続されている画素電極を含み、前記ゲート線及び前記データ線のうちの少なくとも一つは、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、及びクロム（Ｃｒ）から選択された少なくとも一つの金属を含有する合金からなる薄膜トランジスタ表示板を提供する。 （もっと読む）

【課題】 透明電極である第２電極と、第１電極（ゲート、ソース、ドレイン）とのコンタクト部のコンタクト抵抗を低減し、電池反応を抑制する。
【解決手段】 透明絶縁性基板上に、Ａｌ合金を用いて、第１電極である薄膜トランジスタの第１電極（ソースなど）を形成する工程と、第１電極及び基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、絶縁膜上に第２電極（透明電極）を形成し、第２電極と第１電極とを前記コンタクトホールを介して電気的に直接接続する工程と、を含み、Ａｌ合金は、Ｎｉと、｛Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｚｒ｝から選択された一種以上の金属と、を含むＡｌ合金であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 異なるゲート長またはゲート幅を有し、フルシリサイド化されたゲート電極を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体基板５と、半導体基板上に形成された第１のゲート絶縁膜５１と、半導体基板上に形成された第２のゲート絶縁膜５２と、第１のゲート絶縁膜上に形成され、フルシリサイド化された第１のゲート電極１１と、第２のゲート絶縁膜上に形成され、フルシリサイド化された第２のゲート電極１２であって、半導体基板の表面を占める面積が第１のゲート電極よりも大きく、なおかつ、第１のゲート電極よりも厚みが薄い第２のゲート電極１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】フルシリサイド化されたゲート電極（フルシリサイドゲート電極）を有する半導体装置であっても、接合リーク電流増大の問題なく、ソースドレイン領域に形成された金属シリサイド膜の膜厚を厚く形成することが可能であり、かつ一回のシリサイド形成工程でフルシリサイドゲート電極及び金属シリサイド膜を形成可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上主面が半導体基板１より高くなるように金属シリサイド膜１１を形成する。金属シリサイド膜１１と半導体基板１からなる界面Ａと、ソースドレイン拡散層８と半導体基板１からなる界面Ｂとの距離が十分確保できるように、金属シリサイド膜１１の膜厚を厚く形成できる。その結果、フルシリサイドゲート電極１０を形成した場合であっても、接合リーク電流の増大を回避しつつ、金属シリサイド層１１の膜厚を厚くできる。 （もっと読む）

【課題】 特定の金属を含有する透明導電材料を画素電極、透明電極に使用することにより、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板の製造方法を簡略化する。
【解決手段】 表示装置に用いられるＴＦＴ基板であって、透明基板と、前記透明基板上に設けられ、前記表示装置の画素を制御する画素電極と、前記透明基板上に設けられ、前記画素電極を駆動する薄膜トランジスタと、を備え、前記薄膜トランジスタは、少なくとも、Ａｌゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第１の半導体層と、第２の半導体層と、Ａｌソース・ドレイン電極と、を含み、前記画素電極は、前記Ａｌゲート電極及び／又は前記Ａｌソース・ドレイン電極と直接接合し、当該画素電極が、酸化亜鉛を主成分とする導電性酸化物よりなることを特徴とするＴＦＴ基板である。バリヤーメタルを設けていないので、製造工程を簡略化することができる。 （もっと読む）

【課題】
フィン型構造を持つ電界効果トランジスタのソース／ドレインのコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、第１の高さのフィン型半導体領域うえに、第１の高さより高い第２の高さの絶縁ゲート電極構造を形成し、サイドウォール絶縁膜をフィン型半導体領域の側面からは完全に異方性エッチングで除去し、フィン型半導体領域近傍のゲート電極両側面ではフィン型半導体領域の上面、側面をサイドウォール絶縁膜が囲むように、ゲート電極両側面上下部を残して上部上からエッチング除去し、フィン型半導体領域の少なくとも露出している両側面に上端から下端までシリサイド層を形成する。層間絶縁膜形成後、フィン型半導体領域の両側面のシリサイド層を露出するコンタクトホールを形成し、導電性プラグを埋め込む。 （もっと読む）

【課題】 特定の金属を含有する透明導電材料を透明導電膜に使用することにより、Ａｌ配線を設けた積層回路基板の製造方法を簡略化する。
【解決手段】 酸化亜鉛−酸化スズを主成分とする酸化物であって、
３０℃のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）２．４％水溶液中のＡｇ／ＡｇＣｌ標準電極を基準とした起電力が−０．６Ｖ以下であることを特徴とする非晶質酸化物透明導電膜材料。この材料を用いてＡｌ配線を備えた透明基板上に透明導電膜を成膜すれば、バリヤーメタル等を用いなくても、ＴＭＡＨを用いた現像処理を行っている最中にＡｌ配線が溶出することがない。さらに、Ａｌ配線と透明導電膜との接触抵抗を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 特定の金属を含有する透明導電材料を透明導電膜に使用することにより、Ａｌ配線を設けた積層基板の製造方法を簡略化する。
【解決手段】 透明基板と、前記透明基板上に設けられたＡｌ配線と、酸化亜鉛を主成分とする導電性酸化物からなり、前記Ａｌ配線に直接接合する透明導電膜と、を含むことを特徴とするＡｌ配線を備えた透明導電膜積層基板である。バリヤーメタルを間に設けず、直接Ａｌ配線と透明導電膜が直接接合しているので、製造工程を簡略化することができる。 （もっと読む）

【課題】
フィン型構造を持つ電界効果トランジスタのソース／ドレインのコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】
半導体装置は、絶縁性表面を有する支持基板上に形成され、ほぼ垂直な一対の側面および前記両側面を接続する上面を有し、第1導電型を有するフィン型半導体領域と、前記フィン型半導体領域の中間部を横断して形成され、フィン型半導体領域の側面に倣う側壁を有する絶縁ゲート電極構造と、ゲート電極両側のフィン型半導体層に形成された、第1導電型と逆の第２導電型を有するソース／ドレイン領域と、導電性ゲート電極の側壁上に形成された部分を含み、ソース／ドレイン領域上において、前記フィン型半導体領域の側面の上端から下端に達する開口を有するサイドウォール絶縁膜と、サイドウォール絶縁膜の開口内に露出されたソース／ドレイン領域の表面に形成されたシリサイド層と、シリサイド層にコンタクトするソース／ドレイン電極と、を有する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、薄膜トランジスタの点欠陥や線欠陥を完全に排除するのは極めて困難であるのが現状である。その原因の１つである薄膜トランジスタのコンタクト不良を低減することを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタの層間絶縁膜に設けられたソース領域又はドレイン領域に達する第一のコンタクトホールと、層間絶縁膜に設けられたゲート電極に達する第二のコンタクトホールと、第一のコンタクトホール及び第二のコンタクトホールにそれぞれ形成された配線とを有し、該配線に第一のチタン膜と、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする膜と、第二のチタン膜とが積層した構造を用い、且つアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする膜がアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする膜に流動性を付与する元素を有することにより、コンタクト不良を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】プロジェクタ等に用いられるアクティブマトリクス型の表示装置において、補助容量と、遮光膜またはシールドパターンを備えた構成について提案する。
【解決手段】本発明に係る表示装置は、薄膜トランジスタを有する画素マトリクス回路を用いた表示装置であって、当該薄膜トランジスタ上に順次形成された第１の絶縁膜、第１および第２の電極、窒化珪素膜、電極パターンと、窒化珪素膜および電極パターン上に形成された第２の絶縁膜と、当該第２の絶縁膜上に順次形成された遮光膜、第３の絶縁膜と、当該第３の絶縁膜上に形成され、第１の電極に接続された画素電極と、を有し、第１の電極、窒化珪素膜、電極パターンによって、容量が形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
高誘電率のＳｉＯ_２ゲート積層体上に熱的に安定したｐ型金属炭化物としてＴｉＣを製造する方法を提供する。
【解決手段】
本発明の金属化合物は、ＴｉＣを含み、約４.７５乃至約５.３ｅＶ、望ましくは、約５ｅＶの仕事関数を有し且つ高誘電率の誘電体および界面層を含むゲート積層体上で熱的に安定する。更に、そのＴｉＣ金属化合物は、非常に意欲的な等価酸化膜厚（ＥＯＴ）およびｐ型金属酸化物半導体（ｐＭＯＳ）装置における１４Åよりも小さい反転層厚へのスケーリングを可能にする１０００℃においても非常に効率的な酸素拡散バリアである。 （もっと読む）

【課題】導電層と半導体層との界面のエネルギー障壁を低減できる電極を有する有機電界効果トランジスタ及び有機電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】有機電界効果トランジスタ用の電極、すなわち有機電界効果トランジスタにおけるソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の一部に、有機化合物と金属酸化物とを含む複合層を用いる。または、さらにアルカリ金属等を含む層を設けた電極とする。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な半導体装置、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で密着性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】第１の導電層と第２の導電層の間に、導電性の有孔バッファ層を形成することによって、第１の導電層と第２の導電層との密着性を高める。有孔バッファ層が有する孔に、粒子状の導電性材料を侵入させ、焼成によって固化し、第２の導電層を形成する。孔内で固化した導電層がくさびのような働きをし、この働く力によって、第２の導電層は、第１の導電層と密着性よく安定して形成される。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程でＮｉシリサイドを形成する。
【解決手段】基板上に半導体膜を形成し、前記基板を加熱しながら前記半導体膜上にＮｉ膜を成膜することにより、前記半導体膜にＮｉシリサイドを形成することを特徴とする。また基板上に半導体膜を形成し、前記基板を４５０℃以上に加熱しながら前記半導体膜上にＮｉ膜を成膜することにより、前記半導体膜にＮｉシリサイドを形成することを特徴とする。また基板上に半導体膜を形成し、前記基板を４５０℃以上に加熱しながら前記半導体膜上にＮｉ膜を１０ｎｍ以上成膜することにより、前記半導体膜にＮｉシリサイドを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極や配線を低抵抗な金属膜を用いて形成することにより、大面積なデバイスにも対応できる半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上にアルミニウムを主成分とする第１の導電層を形成し、前記第１の導電層上に当該第１の導電層と異なる材料からなる第２の導電層を形成し、前記第１の導電層及び前記第２の導電層をパターニングしてゲート電極を形成することを特徴とする。また、前記第１の導電層は、炭素と、クロム、タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、シリコン、ニッケルのいずれか一又は複数を含有していることを特徴とする。前記第２の導電層は、クロム、タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、ニッケルまたはこれらの窒化物のいずれか一又は複数からなることを特徴とする。 （もっと読む）