【課題】簡単な工程でＮｉシリサイドを形成する。
【解決手段】基板上に半導体膜を形成し、前記基板を加熱しながら前記半導体膜上にＮｉ膜を成膜することにより、前記半導体膜にＮｉシリサイドを形成することを特徴とする。また基板上に半導体膜を形成し、前記基板を４５０℃以上に加熱しながら前記半導体膜上にＮｉ膜を成膜することにより、前記半導体膜にＮｉシリサイドを形成することを特徴とする。また基板上に半導体膜を形成し、前記基板を４５０℃以上に加熱しながら前記半導体膜上にＮｉ膜を１０ｎｍ以上成膜することにより、前記半導体膜にＮｉシリサイドを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電気光学装置の画素を駆動するＴＦＴに代替するスイッチング素子を採用することにより、電気光学装置の製造コストの削減、製造工程及び構造の単純化を図る電気光学装置及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１０と、基板１０上に、第１強磁性層２４と第１強磁性層２４に対向配置された第２強磁性層２８と第１強磁性層２４と第２強磁性層２８との間に設けられた半導体層２６とを有するスイッチング素子３０と、基板１０上に、第１金属層３４と第１金属層３４に対向配置された第２金属層３と第１金属層３４と第２金属層３との間に設けられた絶縁層３６とを有する容量部６０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 非晶質化のためのイオン注入の際に影のできやすい溝やテーパ状シリコン突出体の表面を均一に非晶質化する方法を提供することを主要な目的とする。
【解決手段】 シリサイド前の非晶質化イオン１０７の注入の角度（チルト角θ、ツイスト角）に制限を設け、非晶質化のためのイオン注入の際に影のできやすい溝４０２の表面を均一に非晶質化する。その後シリサイド化することにより、フィールド領域内のシリコン表面を使った局所配線を形成し、隣り合うトランジスタのソースまたはドレインを局所的に接続する。 （もっと読む）

【課題】配線の低抵抗性及び信頼性を同時に確保する。
【解決手段】基板１１０、該基板上に形成されゲート電極１２４を備えるゲート線、ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜１４０、ゲート絶縁膜上に形成されているソース電極１７３を備えるデータ線及びソース電極と対向しているドレイン電極１７５、データ線及びドレイン電極上に形成されている保護膜１８０、及びドレイン電極と接続されている画素電極１９０を備える。ゲート絶縁膜及び保護膜の少なくとも一方の下部にケイ素を含むカバー層８０１、８０３を備えている。これにより、接着性が向上し、配線抵抗を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 折り曲げ、湾曲や振動等の外力が加えられた場合も、配線の断線によるデバイス機能の喪失を避けることができるフレキシブルデバイスを提供する。【解決手段】 フレキシブル基板を用いたフレキシブルデバイスおいて、前記フレキシブル基板１が金属又は炭素を含む第一の導電層３と、導電性有機材料からなる第二の導電層４を含む配線層９を有するフレキシブルデバイス。外力等を加えてフレキシブルデバイスを湾曲することで、前記第一の導電層３が断線部１１で破断する場合でも、第二の導電層４は破断しないので導通できる。 （もっと読む）

【課題】特性が向上した薄膜トランジスタの製造方法、これを有する表示装置、及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１００は、基板１０５上にゲート電極１１０、ゲート絶縁膜１１５、半導体パターン１２２及び半導体パターン上に相互離隔する第１及び第２導電性接合パターン１２７ａ，１２７ｂ、第１バリヤーパターン１３１，１４１、ソース，ドレインパターン１３３，１４３、及び第１，第２キャッピングパターン１３５，１４５が形成されたソース，ドレイン電極１３０，１４０を含む。第１及び第２導電性接合パターン１２７ａ，１２７ｂが垂直なプロファイルを有するように形成する。 （もっと読む）

【課題】配線の低抵抗特性及び信頼性を同時に確保する。
【解決手段】導電性酸化物を含有する第１導電層及び銀を含有する第２導電層を有する表示装置用配線と、基板１１０、該基板１１０上に形成されているゲート線、ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜１４０、ゲート絶縁膜１４０上に形成されているソース電極１７３を含むデータ線１７１及びソース電極１７３と対向しているドレイン電極１７５、及びドレイン電極１７５と接続されている画素電極１９０を有している。ゲート線とデータ線１７１及びドレイン電極１７５の少なくとも一方とは、導電性酸化物を含有する第１導電層及び銀を含有する第２導電層を有する。これにより、配線の密着性が向上するので剥離を防止することができ、信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の半導体装置のゲート電極とゲート配線の配置を工夫することにより、画面の大面積化を可能とする。
【解決手段】表示領域に設けられた画素ＴＦＴが含むゲート電極は、第１の導電層により形成されている。また、表示領域に設けられたゲート配線は、第２の導電層で形成されている。ゲート電極はゲート配線と接続部で電気的に接触している。接続部は、画素ＴＦＴが含む半導体層の外側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の半導体装置のゲート電極とゲート配線の配置を工夫することにより、画面の大面積化を可能とする。
【解決手段】表示領域に設けられた画素ＴＦＴが含むゲート電極は、第１の導電層により形成されている。また、表示領域に設けられたゲート配線は、第２の導電層で形成されている。ゲート電極はゲート配線と接続部で電気的に接触している。接続部は、画素ＴＦＴが含む半導体層の外側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及びこれを採用した平板表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、これと絶縁されたソース電極及びドレイン電極と、ゲート電極と絶縁され、ソース電極及びドレイン電極と電気的に接続された有機半導体層と、ゲート電極をソース電極及びドレイン電極または有機半導体層と絶縁させる絶縁層とを備え、ソース電極及びドレイン電極と有機半導体層との間にルイス酸化合物を含有する電子受容層を有する薄膜トランジスタ及びこれを採用した有機電界発光素子である。これにより、低電界でも電荷蓄積が容易になる半導体層にチャンネルドーピングの効果を与え、エネルギー障壁特性を排除でき、チャンネルに注入されるキャリアの量を増加させることにより、結果的に接触抵抗の減少、キャリア注入増加及び電荷移動度の増加効果を有する薄膜トランジスタが得られる。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗性及び信頼性を同時に確保できる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタ表示板は、絶縁基板と、絶縁基板上に形成されるゲート線と、ゲート線上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されるソース電極を含むデータ線と、ソース電極と対向しているドレイン電極と、ドレイン電極と接続される画素電極とを有し、ゲート線と、データ線及びドレイン電極とのうちの少なくとも一つは、導電性酸化物からなる第１導電層及び銅を含む第２導電層を有する。 （もっと読む）

【課題】 ソース及びドレイン電極が、下地に対する優れた密着性を有し、かつ、電流通路との接触域において半導体層に対し良好なオーミック接触を形成し、しかも簡易な工程で生産性よく製造できる電極構造を有する、有機電界効果トランジスタなどの半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ドープしたシリコン基板１をゲート電極とし、一方の主面に酸化シリコンからなるゲート絶縁膜２を形成する。ゲート絶縁膜２の上にソース電極３とドレイン電極４を形成し、有機半導体層５をこれらの電極に接して連続的に設ける。ソース電極３及びドレイン電極４を、それぞれ、ゲート絶縁膜２との密着性のよい金属からなり、主面全体がゲート絶縁膜２に接して形成されている密着層３ａ及び４ａと、電流通路６との接触域７及び８において密着層３ａ及び４ａを被覆し、半導体層５とオーミック接触を形成するオーミック接触層３ｂ及び４ｂとで形成する。 （もっと読む）

【課題】安定した接触特性及び電気的特性を有する信号線を含む有機半導体薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、絶縁基板上にゲート線を形成し、ゲート線を覆う有機絶縁物質のゲート絶縁膜を形成する。次に、ゲート絶縁膜上に常温で非晶質状態のＩＴＯ膜を積層して感光膜パターンを利用した湿式エッチング工程でパターニングして、データ線及びドレイン電極を形成する。この時、エッチング液はクロムエッチング液を利用する。次に、感光膜パターンを除去した後でアニーリング工程を実施して、非晶質状態のＩＴＯ膜を準結晶化する。次に、有機半導体を形成した後、ドレイン電極を露出する接触孔を有する保護膜を形成し、接触孔を通じてドレイン電極と連結される画素電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で大面積基板に微細な形状を有する配線を形成する方法を提供する。また、少ない工程数及び原料の削減により、コスト削減及びスループットの向上が可能であり、かつ微細構造の半導体素子を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】金属粒子と有機樹脂とで形成される液状物質にレーザ光を照射し、金属粒子の一部を溶融した後、レーザ光が照射されない液状物質を除去して、配線、電極等に代表される導電層を基板上に形成することを特徴とする。また、本発明は、上記焼結された導電層を配線又は電極として有する半導体装置を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩ基板上に、酸化シリコン膜を介して金属シリサイド膜を形成する際に、金属シリサイド膜中に残存する酸素を低減し、抵抗を低く抑える半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＳＯＩ基板１００上にＣＭＯＳトランジスタを形成した後、シリコン膜１０３上に０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下の膜厚を有する酸化シリコン膜８０１を形成する工程と、チタン膜８０３を形成する工程と、酸素及び窒素の浸入を防ぐためのバリア膜としての窒化チタン膜９０１を形成する工程と、Ｃ４９結晶相チタンシリサイド膜９０２を形成するための低温熱処理を行なう工程と、窒化チタン膜９０１と未反応のチタン膜と９０１のみを選択的に除去するエッチング工程を順に行なう。 （もっと読む）

基板シリコン中のシリコン原子の消費量をできるだけ少なくして、なおかつ十分な厚さをもった低抵抗のニッケルシリサイド膜の形成方法、半導体装置の製造方法およびニッケルシリサイド膜のエッチング方法を提供する。表面に半導体領域および絶縁膜領域を有する基板上に、シリサイド反応を起こさない第１の基板温度で少なくとも各１層よりなるニッケル層とシリコン層を交互に積層する積層膜形成工程と、その積層膜をニッケルモノシリサイドが生成する第２の基板温度で熱処理するシリサイド反応工程と、ウェットエッチングによって絶縁膜上に形成された膜を除去する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、積層膜形成工程において、積層膜全体のシリコン原子数に対するニッケル原子数の比を１または１より大きくすることによって、上記課題を解決した。
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【課題】 細りのない所望する断面積の銅配線を形成することができる銅配線層の形成方法および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板１上に下地絶縁膜２、下地バリア層３、銅シード層４を順次成膜したのち、この銅シード層４上にフォトレジスト層５の配線溝６パターンを形成し、この配線溝６の底部に露出した銅シード層４上に銅配線層７を形成し（図２（ａ））、この層７上に保護層８を形成したのちこの層８をマスクとしてフォトレジスト層５、銅シード層４、下地バリア層３を順次エッチングして図２（ｅ）に示す銅配線層７のパターンを形成する。
この層７からの銅の拡散を防止するため表面に層間絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗、且つ高耐熱性を有するゲート電極またはゲート配線を備えた高性能な半導体装置を実現する。
【解決手段】ゲート電極またはゲート配線を三層以上の積層構造とし、例えば、第１の導電層１０６ａ／第２の導電層１０６ｂ／第３の導電層１０６ｃを形成する。さらに、第２の導電層の幅は、第１の導電層及び第３の導電層の幅よりも狭いことを特徴とする。そして第１の導電層及び第３の導電層は高融点金属でなる。これにより高性能な半導体装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型ＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な表示装置の作製方法を提供する。更には、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を有する層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

絶縁体（１０４）上に半導体層（１０６）を備える、その上に絶縁体（１０４）を有する半導体基板（１０２）を提供する。半導体層（１０６）に歪みを引き起こす深いトレンチ分離（１０８）を形成する。半導体層（１０６）上にゲート絶縁体（２０２）およびゲート（２０４）を形成する。ゲート（２０４）の周りにスペーサ（３０４）を形成し、スペーサ（３０４）の外側の半導体層（１０６）および絶縁体（１０４）を除去する。スペーサ（３０４）の外側にくぼんだソース／ドレイン（４０２）を形成する。
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