【課題】閾値電圧の変動を防止できる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ８のゲート電極27を、アルミニウム層の母層31上に窒化チタン層の上層32を積層させ、母層31下に合金化していないチタン層の下層33を積層させた三層構造とした。薄膜トランジスタ８の活性層21のソース領域23およびドレイン領域24へのイオンドーピングをイオンインプランテーションとした。ソース領域23およびドレイン領域24を３５０℃以上４５０℃以下の低温度でアニールして活性化した。母層31と上層32および下層33との間の化学的な反応を抑制できる。ゲート電極27での抵抗値上昇を抑制できる。ゲート電極27を低抵抗化できる。薄膜トランジスタ８の閾値電圧の変動を抑制できる。
（もっと読む）

【課題】ソース電極、ドレイン電極と、ゲート絶縁層上のチャネルとの電荷移動をスムースにし、高い移動度を安定して実現した有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０の上にゲート電極１１を設ける。ゲート電極１１の上にゲート絶縁層１２を設ける。ゲート絶縁層１２の上に有機電子材料層１３を設ける。有機電子材料層１３の上の、ソース電極及びドレイン電極を設ける領域との間の間隙領域にスペーサー部３０を設ける。ソース電極及び／またはドレイン電極を設ける領域における有機電子材料層１３を、所定の深さまで除去する。ゲート絶縁層１２及び／または有機電子材料層１３の上のソース電極、及びドレイン電極を設ける領域に、ソース電極１５及びドレイン電極１４を設ける。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板にも低抵抗のＴｉシリサイド層を形成することを課題とする。
【解決手段】Ｔｉシリサイド層の加熱処理工程にレーザー光を用いることで、耐熱性の低い基板上にも低抵抗のＴｉシリサイド層を形成することができる。シリコンを含む半導体膜に接してＴｉ膜を成膜し、第一の加熱処理により高抵抗のＴｉシリサイド層を形成し、レーザー照射を用いた第二の加熱処理により、高抵抗のＴｉシリサイド層を低抵抗のＴｉシリサイド層にする。本発明によりＴｉシリサイド層を形成するために高温で加熱処理する必要がないため、基板を制限なく用いることができる。 （もっと読む）

【課題】電気的な接続の信頼性が確保される半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１の表面上に１対のソース・ドレイン領域４ａ，４ｂが形成された島状シリコン層４が形成されている。島状シリコン層４上に絶縁膜５を介在させてゲート電極６が形成され、そのゲート電極６を覆うように層間絶縁膜７が形成されている。層間絶縁膜７および絶縁膜５にコンタクトホール９が形成され、そのコンタクトホール９内にプラグ１０ａ，１０ｂが形成されている。コンタクトホール９は、島状シリコン層４を貫通するように形成され、島状シリコン層４を貫通するコンタクトホール９ａと、コンタクトホール９ａよりも大きい開口断面積を有するコンタクトホールの部分９ｂとにより構成される。コンタクトホール９内に露出した島状シリコン層４の部分に高濃度領域４ｄが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 接合リークを増大させることがなく、低抵抗なコンタクトを半導体基板の全面で安定して形成することができる半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体層を有する基板１上に、金属酸化物からなるライナ膜２６と絶縁膜２２からなる層間絶縁膜２０を形成する。次に、絶縁膜２２上に、コンタクトホール２４の形成位置に開口部を有するマスクパターン２３を形成する。そして、マスクパターン２３をエッチングマスクとして絶縁膜２２をエッチング除去し、ライナ膜２６を露出させる。この後、露出したライナ膜２６を真空中でエッチング除去し、半導体基板１を露出させ、当該真空中で連続して、露出した半導体基板１上に導電膜を形成することでコンタクト構造を形成する。 （もっと読む）

本発明は、有機薄膜トランジスタにおいて、半導体層と電極との間のオーミックコンタクトを容易にし、かつ半導体層そのものとして作用する有機化合物を含む有機物層を有する有機薄膜トランジスタに関するものである。
本発明に係る有機薄膜トランジスタは、半導体層とソース電極／ドレーン電極との間の電気的接触に優れて、電気電子素子の構成部品として広く用いることができ、その結果、前記有機薄膜トランジスタのソース電極やドレーン電極用材料として仕事関数が比較的低くても低費用で、かつ加工性に優れた物質を用いることができる。
（もっと読む）

【課題】モリブデン／銅／窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液を提供すること。また、前記エッチング液を利用する配線形成方法を提供すること。さらに、前記エッチング液を利用する薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】エッチング液、これを利用する配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法が提供される。モリブデン／銅／窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液は過酸化水素１０ないし２０重量％、有機酸１ないし５重量％、トリアゾール系化合物０．１ないし１重量％、ふっ素化合物０．０１ないし０．５重量％及び残量の超純水を含む。 （もっと読む）

【課題】 ＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】 半導体基板１のｐ型ウエル７上にゲート絶縁膜８を介してゲート電極１５が形成され、ｐ型ウエル７にはソース・ドレインとしてのｎ^＋型半導体領域３５が形成されている。ゲート電極１５の両側壁上にはオフセットスペーサ２３を介してサイドウォールスペーサ３３が形成され、サイドウォールスペーサ３３の側面３４ａには凹部３４ｂが形成されている。ゲート電極１５上およびｎ^＋型半導体領域３５上に金属シリサイド膜４３ａ，４３ｂが形成され、金属シリサイド膜４３ａはゲート電極１５の上面上だけでなく、サイドウォールスペーサ３３の側面３４ａうちの凹部３４ｂよりも上部の領域上にも延在している。金属シリサイド膜４３ｂは、ｎ^＋型半導体領域３５の上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板に形成され、素子間分離として部分トレンチ分離を有する半導体装置において、トランジスタのソースドレインの低抵抗化およびリーク電流の低減を図る。
【解決手段】埋込酸化膜層（ＢＯＸ層）２上に形成されたＳＯＩ層３には、分離絶縁膜５で規定された活性領域にＭＯＳトランジスタ１０が形成されている。分離絶縁膜５は、ＢＯＸ層２に達していない部分トレンチ分離であり、ソースドレイン領域１７は、互いに質量数が異なる第１および第２不純物イオンにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】 構成分子と電極との界面での接触抵抗を低減できる新規な構造をもつ機能性分子素子及びその製造方法、並びに機能性分子装置を提供すること。
【解決手段】 まず、リニアテトラピロールの１種で、ポルフィリン様の略円盤状構造を有する骨格部２と、アルキル鎖からなるフレキシブルな側鎖部３とをもつπ電子共役系分子１を用いて、電極５および６の表面に密着した分子層を単層で形成する。次に、このπ電子共役系分子１の上にπ-πスタッキングによって、π電子共役系分子１又は他のπ電子共役系分子を積層させ、配列構造体４を形成する。配列構造体４の第１層の分子層を形成するπ電子共役系分子１は、フレキシブルな側鎖部３が電極５（または６）の表面に吸着され、この結果、骨格部２の円盤面が電極５（または６）の表面に平行に密着するように固定される。また、配列構造体４の第２層以後の分子層の積層方向は、π-π相互作用によって制御される。 （もっと読む）

ナノワイヤのラップゲートトランジスタはＳｉより狭いバンドギャップを持つ半導体材料において実現される。ナノワイヤの歪み緩和は、トランジスタが多くの種類の基板と素子中に組み込まれるヘテロ構造との上に配置されることを可能にする。各種ヘテロ構造は、低減された衝突イオン化速度により出力コンダクタンスを低減し、電流オンオフ比を増加し、サブしきい値の傾斜を減少し、トランジスタの接触抵抗を減少し、および熱安定性を改善するためにトランジスタ中に導入される。寄生容量は半絶縁基板の使用とソースおよびドレインアクセス領域の間の横木構造の使用によって最小にされ得る。本トランジスタはデジタル高周波、低電力回路およびアナログ高周波回路に応用されるだろう。
（もっと読む）

【課題】銀（Ａｇ）配線用エッチング液を提供すること。また、エッチング液を利用する銀（Ａｇ）配線形成方法を提供すること。さらに、エッチング液を利用する薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明により、エッチング液、これを用いた配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法が提供される。エッチング液は下記化学式１で表示される物質、酢酸アンモニウム及び超純水を含む。
（化学式１）
Ｍ（ＯＨ）_ＸＬ_Ｙ
（ただし、前記式でＭはＺｎ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｂａ、Ｆｅ、Ｔｉ、ＳｉまたはＢであり、Ｘは２または３であり、ＬはＨ_２Ｏ、ＮＨ_３、ＣＮ、ＣＯＲ、ＮＨ_２Ｒであり、Ｙは０、１、２または３であり、Ｒはアルキル基である。） （もっと読む）

【課題】少なくとも有機絶縁膜を有する層間絶縁膜上に透明導電膜をパターン形成する液晶表示装置の製造方法において、ＩＴＯドライエッチング時の均一性を確保する。
【解決手段】パッシベーション膜３２にコンタクトホール２６，２７を開口する工程は、層間絶縁膜上にフォトレジストをパターン形成する工程と、フォトレジストをポストベークする工程を経ることなく、フォトレジストをマスクとしてパッシベーション膜３２にドライエッチングを施す工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン領域へのコンタクトの方法を改良することにより、配線抵抗を減らす。
【解決手段】ガラス基板上に第１の絶縁膜、島状の結晶性珪素膜、ゲイト絶縁層、ゲイト電極、第１の配線、ゲイト電極及び第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜及びゲイト絶縁層をエッチングしてゲイト電極及び第１の配線の側面に側壁を形成するとともに、島状の結晶性珪素膜のソース領域及びドレイン領域を露出し、ゲイト電極、第１の配線、側壁、島状の結晶性珪素膜及び第１の絶縁膜上に金属層を形成し、ソース領域及びドレイン領域と、金属層とを反応させて島状の結晶性珪素膜の側面から上面にわたって密着したシリサイド層を形成し、金属層をエッチングして、ソース領域又はドレイン領域の一方のシリサイド層と第１の配線とを接合する第２の配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 接合リークを抑制しつつ、ソース／ドレイン層の低抵抗化を図るとともに、ショートチャネル効果を抑制する。
【解決手段】 ゲート電極１５の一方の側に絶縁層１２に底面が接する合金層からなるソース層１８ａを配置し、単結晶半導体層１３の結晶方位面２０ａに沿ってチャネル領域１７に対する接合面を形成し、ゲート電極１５の他方の側に絶縁層１２に底面が接する合金層からなるドレイン層１８ｂを配置し、単結晶半導体層１３の結晶方位面２０ｂに沿ってチャネル領域１７に対する接合面を形成し、ソース層１８ａを構成する合金層と単結晶半導体層１３との界面には、結晶方位面２０ａに沿うようにして自己整合的に形成された不純物導入層１９ａを設け、ドレイン層１８ｂを構成する合金層と単結晶半導体層１３との界面には、結晶方位面２０ｂに沿うようにして自己整合的に形成された不純物導入層１９ｂを設ける。 （もっと読む）

【課題】銀（Ａｇ）配線の低抵抗性の利点を生かしながらも接着性及びエッチングプロファイルを補完する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上に第１信号線を形成する段階と、第１信号線上にゲート絶縁膜１４０及び半導体層を順次に形成する段階と、ゲート絶縁膜１４０及び半導体層上に第２信号線１７１を形成する段階と、第２信号線１７１と連結される画素電極１９１を形成する段階と、を含み、第１信号線を形成する段階及び第２信号線１７１を形成する段階のうちの少なくとも一つの段階は、第１導電性酸化膜を形成する段階と、銀（Ａｇ）を含む導電層を形成する段階と、第１導電性酸化膜よりも低い温度で第２導電性酸化膜を形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置に用いられる薄膜トランジスタ基板及びその製造方法に関し、ゲート電極や所定の配線の材料に低抵抗金属を用いても、高い信頼性を確保しうる薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＴＦＴ基板は、窒素含有層としてのＡｌＮ膜５１と、主配線層としてのＡｌ膜５０と、ＭｏＮ膜５４とＭｏ膜５３とからなる上層配線層とにより構成された積層構造のゲート電極３３を有している。ゲート電極３３の側面は全体としてなだらかに傾斜するように形成されているので、ゲート絶縁膜３２上に良好な膜質のゲート絶縁膜３２を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 下部コンタクトに対するアクセス抵抗を低減させ、ゲート長が制御された、ナノワイヤ・チャネルを含む垂直型ＦＥＴを提供する。
【解決手段】 ＦＥＴチャネルを形成するナノワイヤを有する垂直型ＦＥＴ構造を開示する。ナノワイヤを、導電性シリサイド層の上に形成する。ナノワイヤは、周囲のゲートによって制御される。上部および下部の絶縁プラグがゲート・スペーサとして機能し、ゲート−ソースおよびゲート−ドレイン静電容量を低減させる。 （もっと読む）

【課題】 配線の抵抗を大幅に低減することができる多層相補型配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 多層配線構造は、基板と、第１の方向に互いに平行に延び基板上の第１の層に形成される複数の第１の導電性ラインと、第１の方向に直交する第２の方向に互いに平行に延び第１の層上の第２の層に形成される複数の第２の導電性ラインと、第１の方向に延び第２の層に形成され、その各セットが第１の導電性ラインの１つに対応する複数の第３の導電性ラインのセットと、第１の層と第２の層との間に形成され、その各セットが第１の導電性ラインの１つと第３の導電性ラインの１つのセットに対応し、対応する第１の導電性ラインを対応する第３の導電性ラインのセットに電気的に接続する複数の導電性パスのセットを備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの特性及び表示装置の性能を向上させる。
【解決手段】基板４１上に多結晶シリコン膜４２が形成され、その上に多結晶シリコン膜の表面を露出させるコンタクトホール４４を有する絶縁膜４３が形成されている。該絶縁膜上には、非晶質シリコン膜４５及び導電膜４６を有するゲート線が形成され、コンタクトホールを介して多結晶シリコン膜４２と接続している。また、ゲート線上に絶縁膜とデータ線が形成されている。このように、非晶質シリコン膜４５を設けて側面傾斜を多様にし、基板を熱処理して導電膜４６と非晶質シリコン膜４５の間の接着力を向上させることで、接触抵抗を低減することができ、薄膜トランジスタの特性及び信頼性が向上される。 （もっと読む）