本発明は、第１半導体域と第２半導体域との間に配置されたフィールド電極および／またはフィールド領域を備えた、ＳＯＩ半導体素子に関するものである。電気的結合を、フィールド電極とフィールド領域との間で行うことができる。
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横方向薄膜シリコン−オン−インシュレータ（ＳＯＩ）デバイスにおいて、フィールドプレートは、パッケージ及び表面電荷効果からデバイスを保護するために横方向ドリフト領域に亘って実質的に延在するように設けられている。特に、フィールドプレートは、シリコンドリフト領域にドーピング量勾配により形成される横方向電界分布を呈するように、スペーシングにより相互に横方向において絶縁される複数の金属領域からなる層を備えている。
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共通のソース電極を共有するアクティブセルとキャパシタとを備える縦型有機電界効果トランジスタ。アクティブセルは、ドレイン電極と共通のソース電極との間に挟まれた半導体層を備える。キャパシタは、ゲート電極と共通のソース電極との間に挟まれた誘電体層を備える。共通のソース電極は、ゲート電極に印加される電位を制御することによってソース電極とドレイン電極との間を流れる電流を制御することを可能にする。

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