【課題】パネル製造工程におけるパネルの静電気破壊を除去し、歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板１上に複数の薄膜トランジスタｔと複数のコンデンサｃを配置してなる半導体装置において、複数のコンデンサｃの第１の電極は複数の薄膜トランジスタｔのソースに接続されており、複数のコンデンサｃの第２の電極は共通電極バイアスラインVs-lineと接続されており、複数の薄膜トランジスタのゲート電極は複数のゲートラインVg-lineに接続されており、複数の薄膜トランジスタのドレインは複数の転送ラインSig-lineに接続されており、共通電極バイアスラインと複数のゲートラインと複数の転送ラインとが電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】テストラインが交差領域でブレイクダウンされにくく、ブレイクダウンされても簡単な断線処理によって正常のテストが実現できる薄膜トランジスターにおけるマザーボードのテストライン及びその製造方法。
【解決手段】ゲート電極層金属テストラインと、前記ゲート電極層金属テストラインの上方に位置すると共に、前記ゲート電極層金属テストラインと交差するドレイン電極層金属テストラインとを備え、前記ゲート電極層金属テストラインが複数の信号ラインの一部と接続され、前記ドレイン電極層金属テストラインが前記複数の信号ラインの他の一部と接続され、前記ゲート電極層金属テストラインと交差するドレイン金属テストラインの上方に画素電極層テストラインが形成され、かつ前記画素電極層テストラインが前記ドレイン金属テストラインと電気的に接続される薄膜トランジスターにおけるマザーボードテストライン及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体素子又は半導体装置の閾値電圧を補正し、かつ製造の途中で該半導体素子又は半導体装置の良否を判別することによって、完成品の歩留まりを向上させ、製造コストの低減を実現する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも半導体を構成要素として有する半導体素子又は半導体装置の製造方法であって、前記半導体素子又は半導体装置を製造する途中に、前記半導体に該半導体の吸収端波長より長波長の光を照射して、該半導体素子又は半導体装置の閾値電圧を変化させる工程と、前記光の照射後又は照射中に該半導体素子又は半導体装置の閾値電圧を調べ、該閾値電圧があらかじめ決められた範囲内にあるかどうかを判別する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有し高性能な半導体素子を形成することを可能とする半導体基板を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定し、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、単結晶半導体層を部分溶融状態として再結晶化し、結晶欠陥を修復する。再結晶化後の単結晶半導体層は深さ方向の濃度分布において、炭素濃度が極大を有する。 （もっと読む）

【課題】レジスト塗布膜厚は、下地パターンに依存する。グレイトーン露光のような多階調露光によりレジスト膜を加工して、現像後のレジスト残膜厚が均一となるよう管理する場合、下地パターンが異なってもその上層のレジスト塗布膜厚を均一にしておく必要がある。
【解決手段】多階調露光を使う薄膜トランジスタの形成において、下地となる配線２ａの配線幅を４０μm以下、密集する場合の下地配線の線幅Ｗと隣接する配線間の間隔Ｓの比Ｒを１．７、好ましくは１．０以下とする。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の検査時に的確な検査を行う。
【解決手段】電気光学装置において、基板１０上に複数の検査端子１０３は、検査信号Ｃｘ１〜Ｃｘ８、ＹＥＰＲ、及びＹＥＰＬが出力される一部の検査端子１０３ｏ及び１０３ｙについて夫々、所定の周波数のクロック信号ＣＬＸ及び反転クロック信号ＣＬＸＢ、並びに転送開始パルスＤＸが夫々入力される他の検査端子１０３ｉの各々と互いに隣り合わないように配列される。 （もっと読む）

【課題】光アニールおよび当該光アニールにより得られる膜質の評価を行うとともに、装置のコスト抑制および構成簡略化を図ることができる半導体膜の製造方法、および、当該半導体膜の製造方法に使用する光アニール装置を実現する。
【解決手段】半導体膜の製造方法は、光源（２）から出射された光を２つ以上のビーム（Ｌ１、Ｌ２）に分割する工程と、前記２つ以上のビームのうちの少なくとも１つを膜改質光（Ｌ１）として基板上に形成された半導体膜に照射することにより前記半導体膜の結晶性を改質する工程と、前記２つ以上のビームのうちの、前記膜改質光以外の少なくとも１つのビームを検査光（Ｌ２）として前記半導体膜に照射し、前記半導体膜から得られる前記検査光（Ｌ２）の照射の応答内容を検出することにより、前記半導体膜の改質状態を評価する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線撮像表示装置等に用いられるフォトセンサーの製造において、フォトダイオードの不良チェックを行う必要があるため、フォトセンサー用アレイ基板に対して、暗状態と光照射状態の２つの状況下でテストを実施する必要がある。ガード抵抗として逆スタガ型のＴＦＴを用いる場合、光照射状況下ではバックチャネル側に光が照射されるのでＴＦＴのＯＮ抵抗が減少する。サイズの小型化で改善されうるが、静電気対策のために最低限必要なサイズ以下にはできない。
【解決手段】 ガード抵抗４００はＴＦＴ２０１、２０２で形成されて、かつ、バックチャネル上部に形成された遮光膜２１ａにより遮光されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板検査に要するトータルの処理時間が長くすることなく、ステージの駆動機構による位置ずれによって生じる欠陥位置の誤差を低減する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板のアレイ欠陥を検査するＴＦＴアレイ検査装置であり、ＴＦＴアレイ基板を載置して検査位置に移動するステージと、移動中のステージの画像を取得する画像取得部と、この画像取得手段で取得した画像データを用いて検査位置におけるステージの位置ずれ量を算出する位置ずれ量算出部と、位置ずれ量算出部で算出したステージの位置ずれ量に基づいて、欠陥検査により得られたＴＦＴアレイの欠陥位置を補正する欠陥位置補正部とを備える。ステージが移動している間にステージの位置ずれ量を求めることによって、処理時間を短縮する。 （もっと読む）

【課題】大型基板上に多結晶シリコン(ポリシリコン)ＴＦＴを形成するために、基板上に形成した非晶質シリコン(アモルファスシリコン)膜をレーザ光で結晶化するプロセスにおいて、基板全面にわたり均一で大粒径の多結晶シリコンを容易に作成する。
【解決手段】基板上に形成した非晶質シリコン膜の平均膜厚を計測(ステップ201)し、この非晶質シリコン膜にレーザ光を照射(ステップ101)し、この照射で結晶化した多結晶シリコン膜の粒径分布を計測(ステップ102)し、多結晶シリコン膜の２つの点Ａ,Ｂにおける粒径の測定値(ステップ103〜105)から、適正なレーザ光照射エネルギー密度値を算出(ステップ106〜108)し、次の非晶質シリコン膜の平均膜厚を計測(ステップ110,201)し、この平均膜厚と１つ前の非晶質シリコン膜の平均膜厚とから照射するエネルギー密度値を算出(ステップ203,204)し、このエネルギー密度値をレーザ光照射系にフィードバック(ステップ109)する。 （もっと読む）

【課題】動作時の薄膜トランジスタにおける能動層の温度特性を検査する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、薄膜トランジスタの温度特性を評価するための半導体装置である。チャネル領域１４２を含んだ能動層１４を有する薄膜トランジスタと、
薄膜トランジスタのチャネル領域１４２に絶縁膜１３を介して重ね合わされるように配置された半導体材料からなる感温部１２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】レーザビームを往復させることによりスループットを高めると共に、往路と復路
との結晶性の差を確実に抑えることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板のレーザビームが照射された既照射領域６１と未照射領域６２との光学
特性の変化、例えば透過光または反射光の強度の変化を、コントラストすなわち（（既照
射領域の光学特性）−（未照射領域の光学特性））／（（既照射領域の光学特性）＋（未
照射領域の光学特性）と定義する。コントラストを第１方向（往路）と第２方向（復路）
との各々について計測し、第１方向のコントラストと第２方向のコントラストとの差が所
定範囲内に収まるようにレーザビームの照射パワー、または、レーザビームと基板との相
対的な速度を変調する。改質された半導体膜において往路と復路との結晶性の差が確実に
抑えられ、ＴＦＴ特性差が小さくなり、表示装置の表示むらが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタが有する特性のよいゲート絶縁膜、及びそのゲート絶縁膜を有する薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン薄膜トランジスタ基板が有する酸化ケイ素からなるゲート絶縁膜であって、ゲート電圧を正電圧から負電圧に掃引したとき、ゲート電極からゲート絶縁膜中に流れ込むゲートリーク電流の値が正から負に変わる時のゲート電圧値と、ゲート電圧を負電圧から正電圧に掃引したとき、ゲート電極からゲート絶縁膜中に流れ込むゲートリーク電流の値が負から正に変わる時のゲート電圧値との差ΔＶ（Ｖ）が、ゲート絶縁膜の厚さｄ（ｎｍ）との関係で、［ΔＶ／ｄ］＜０．００４５であるように構成する。 （もっと読む）

【課題】クラックや段差の発生や素子形成領域の抜け落ちを防止することが可能な、素子分離構造を有する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ウェハ基板２の表面側から所望の素子、熱酸化膜８、電極９，１１、層間絶縁膜１０等を形成した後、ウェハ基板２の裏面側を研磨して、ウェハ基板２の厚さを薄くする。その後、ウェハ基板２の裏面側から、ウェハ基板２の表面に達するトレンチ３を形成し、そのトレンチ３の内部に絶縁層４を形成する。薄膜化工程では、単にウェハ基板からなる面に対して薄膜化のための研磨を施せば良いので、クラックや段差の発生を防止して、ウェハ基板２の裏面を均等に薄くすることができる。さらに、トレンチ３を形成しても、ウェハ基板２の各領域は、ウェハ基板２の表面に形成された熱酸化膜８等を介して連結された状態を維持するので、素子形成領域５の抜け落ちの問題も防止できる。 （もっと読む）

【課題】半透光部に半透光膜を用いたグレートーンマスクの製造段階で生じ得るアライメントずれを定量的に検査できるグレートーンマスクの検査方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２回の描画工程を含むパターニング工程を用いて透明基板上に形成した膜にパターンを形成することにより製造される遮光部と透光部と半透光部を有するグレートーンマスクの検査方法であって、１度目の描画工程によって得られる第一レジストパターンは第一マークを含み、２度目の描画工程によって得られる第二レジストパターンは第二マークを含み、第一レジストパターンにおける第一マーク又は該第一マークに相当する膜パターンのエッジと、第二レジストパターンにおける第二マーク又は該第二マークに相当する膜パターンのエッジとの距離を測定し、当該距離が所定範囲内であるか否かを検査する。 （もっと読む）

【課題】タンパク質、核酸、炭水化物、脂質およびステロイド等の検体を検知する。
【解決手段】ナノワイヤを含む電子デバイスが、その製造方法および用途とともに記載される。ナノワイヤはナノチューブおよびナノワイヤでよい。ナノワイヤの表面は選択的に官能基化されている。ナノ検出器デバイスが記載される。タンパク質、核酸、炭水化物、脂質およびステロイド等の検体によりゲート制御される電界効果トランジスタのアレイより構成されたナノセンサである。 （もっと読む）

装置は、ガラスに被覆された半導体繊維を含んでおり、その半導体繊維は、第１ｎ-ドープ部と第１ｐ-ドープ部、および第１ｎ-ドープ部に結合された第１伝導体と、第１ｐ-ドープ部に結合された第２伝導体とを含んでいる。 （もっと読む）

本発明は、流体流に含まれる少なくとも１つの物質を検出する装置に関しており、この装置は、測定センサとしての少なくとも１つの電界効果トランジスタ（３）と、基準素子として機能する少なくとも１つの電界効果トランジスタ（１）とを含んでおり、上記の電界効果トランジスタ（１，３）はそれぞれ少なくとも１つのソース電極（Ｓ）と、ドレイン電極（Ｄ）と、ゲート電極（Ｇ）とを有している。測定センサとして機能する電界効果トランジスタ（３）のゲート電極（Ｇ）は、少なくとも１つの検出すべき物質を感知し、基準素子として機能する電界効果トランジスタ（１）のゲート電極（Ｇ）は、少なくとも１つの検出すべき物質に対して実質的に感知しない。上記の複数の電界効果トランジスタ（１，３）のうちの１つの電界効果トランジスタのソース電極（Ｓ）と、複数の電界効果トランジスタ（１，３）のうちの別の１つの電界効果トランジスタのドレイン電極（Ｄ）とが互いに接続されかつ１つの信号線路（５）に接続されている。
さらに本発明は、上記の装置を使用して、流体流に含まれる少なくとも１つの物質を検出する方法に関しており、上記の信号線路（５）に０Ｖの電位が加えて、この信号線路（５）に流れる電流を測定する。
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【課題】保護膜や層間絶縁膜を形成する際に、島状半導体層の段差によるカバレッジ不良を低減する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、チャネル形成領域は前記リンを含有する層と重ならない前記真性または実質的に真性な層から形成され、前記半導体膜は、端部において前記チャネル形成領域と厚さの等しい突出部を有し、前記チャネル形成領域と突出部は前記リンを含有する層と重なる前記真性または実質的に真性な層より厚さが薄く、前記保護膜は前記チャネル形成領域と前記突出部とを覆っている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】多結晶膜の結晶状態に関する面内ばらつきを迅速かつ正確に評価することができる多結晶膜の評価方法を提供する。
【解決手段】ｘ方向に沿った線状のレーザ光を、ｘ方向と交差するｙ方向に走査し、該レーザ光の照射によって非晶質膜を加熱して得られる多結晶膜の評価方法であって、エネルギー密度を段階的に変化させたレーザ光で非晶質膜を照射し、多結晶膜からなる複数のサンプル領域２３〜２６を形成するステップと、各サンプル領域２３〜２６に向けて測定光を照射し、各サンプル領域２３〜２６からの散乱光の強度分布を計測するステップと、を含む。 （もっと読む）