【課題】酸化物半導体薄膜の電気的特性を、電極付けすることなく、非接触型で評価・測定する方法を提供すること。
【解決手段】酸化物半導体薄膜が形成された試料に励起光及びマイクロ波を照射し、前記励起光の照射により変化する前記マイクロ波の前記酸化物半導体薄膜からの反射波の最大値を測定した後、前記励起光の照射を停止し、前記励起光の照射停止後の前記マイクロ波の前記酸化物半導体薄膜からの反射波の反射率の変化を測定し、前記測定した値からライフタイム値を算出することによって、前記酸化物半導体薄膜の移動度を判定する。 （もっと読む）

【課題】製造工程中に生じる静電気に起因する不良を防止しつつ、簡便なプロセスで製造可能であり、かつ、薄膜トランジスタ特性を維持しつつ検査に適した薄膜トランジスタアレイ基板を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタアレイ基板は、ゲート配線１及びソース配線２の少なくとも一方と、抵抗体４を介して電気的に接続されるショートリング配線３を備える。抵抗体４は、ソース配線２及びショートリング配線３と同一の層からなり、ショートリング配線３と一体的に形成されたメタル膜１３と、メタル膜１３の直下に形成された第２半導体膜１２と、その直下に形成された第１半導体膜１１の積層体からなる。抵抗体４の平面視上の形状は、少なくとも一部の領域において第１半導体膜１１の幅Ｗ１に比して第２半導体膜１２及び前記メタル膜１３の幅Ｗ２を小さくし、抵抗体４の抵抗値は、メタル膜１３の形状により調整する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法によってトランジスタの信頼性を評価する方法を提供すること。
【解決手段】バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）のかわりに、当該試験と相関関係を有する簡便な試験を行う。具体的には、酸化物半導体によってチャネル領域が形成されるｎチャネル型トランジスタのゲート及びソース間にトランジスタのしきい値電圧未満の電圧を印加し且つドレインにゲートに与えられる電位よりも高電位を与えた状態におけるゲート電流値の測定を行う。ゲート電流値の測定は、必要となる時間が短いなど、ＢＴ試験と比較して簡便な方法によって評価を行うことが可能である。すなわち、当該トランジスタを有する半導体装置の信頼性を簡便に評価することが可能である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を半導体層に用いたトランジスタのバイアス−熱ストレス試験において、再現性の高い測定方法を提供することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体を半導体層に用いたトランジスタを、遮光性を有する測定室に配置し、前記測定室内に、乾燥空気、窒素、又はアルゴンを導入し、露点−１１０℃以上−３０℃以下の雰囲気下に保持された前記測定室内で、前記トランジスタのゲート電極に所定の電圧を一定時間印加して、しきい値電圧の経時変化を測定するトランジスタの測定方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】低コストの歪センサを提供する。
【解決手段】本発明の歪センサは、応力に対して、曲率を発生する基板上に有機半導体層と、ソース電極及びドレイン電極とを備えた有機トランジスタを用いている。ソース電極６とドレイン電極７との間の距離をチャネル長Ｌ、このチャネル長Ｌの方向と直交する方向をチャネル幅Ｗとするチャネル領域８を有機半導体層５内に設け、チャネル長Ｌの方向と平行方向を歪検出方向として、歪みを検知することを特徴とする。また、有機トランジスタの特性変化に基づいて歪を算出する算出手段を有する。 （もっと読む）

【課題】光劣化が最小限に抑えられ、電気特性が安定したトランジスタを提供することを課題とする。
【解決手段】”ｓａｆｅ”トラップが存在するため、光応答の二種類のモードを示す酸化物半導体層を用いることによって、光劣化が最小限に抑えられ、電気特性が安定したトランジスタを実現する。なお、光応答の二種類のモードを示す酸化物半導体層は、１０ｐＡ以上１０ｎＡ以下の光電流値を有している。光応答の二種類のモードの存在は、キャリアが”ｓａｆｅ”トラップに捉えられるまでの平均時間τ_１が十分大きい場合、光電流の時間変化の結果において、急速に立ち下がる部分とゆっくり下がる部分がある。 （もっと読む）

【課題】 垂直に形成されたナノワイヤの長さを再現性良く作製する。
【解決手段】 半導体デバイスの製造方法であって、基板１０１の上に第１の層１０２を形成する工程と、第１の層の上に、第１の層よりヤング率が高いストップ層１０３を形成する工程と、第１の層及び前記ストップ層の一部をそれぞれ除去して前記基板の一部が露出するように凹部１０８を形成する工程と、凹部に、第１の層の厚さとストップ層の厚さの和よりも大きな長さを有するように、前記基板の表面に対して垂直方向に延びるナノワイヤ１０７を、成長させる成長工程と、前記ナノワイヤが成長した前記凹部に、前記和よりも大きい膜厚を有し、ヤング率が前記ストップ層よりも低い平坦化層を形成する工程と、平坦化層１０８を、ストップ層まで除去し、ナノワイヤを平坦化層の表面から露出させる工程と、ナノワイヤの上端に接続される電極を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】回路基板製造方法に関し、各レジスト膜又はレイヤーのパターンを適切に検査する方法を提案する。
【解決手段】回路基板２００は、基板２１０に薄膜を形成する薄膜形成工程；薄膜にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程；レジスト膜をマスクとして薄膜を剥離するエッチング工程；レジスト膜を剥離するレジスト剥離工程；を含む一連の工程によって予め定められたパターンのレイヤーを形成し、当該一連の工程が繰り返される。検査工程は、一連の工程において形成されたレジスト膜又はレイヤーのパターンの画像と、次工程以降で形成されるべきレジスト膜又はレイヤーのパターンの情報を含む参照情報とに基づいて、当該一連の工程で形成されたレジスト膜又はレイヤーのパターンを検査する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体の分野は近年注目されはじめた分野である。そのため、酸化物半導体層を用いたトランジスタの電気特性と、酸化物半導体層の物性値と、の相関関係が未だ明らかになっていない。よって、酸化物半導体層の物性値を調整することによって、トランジスタの電気特性を向上させることを第１の課題とする。
【解決手段】少なくとも、ゲート電極と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層と、を有し、前記酸化物半導体層は、比誘電率が１３以上（又は１４以上）である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する電位保持機能の高い固体撮像素子を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いて薄膜トランジスタのオフ電流を１×１０^−１３Ａ以下とし、該薄膜トランジスタを固体撮像素子のリセットトランジスタ及び転送トランジスタの両方に用いることで信号電荷蓄積部の電位が一定に保たれ、ダイナミックレンジを向上させることができる。また、周辺回路に相補型金属酸化物半導体素子が作製可能なシリコン半導体を用いることで高速かつ低消費電力の半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体の原理は解明されていることが多いが、酸化物半導体の原理は不明な部分が未だに多いため、酸化物半導体の評価方法も確立されていなかった。そこで、新たなたな酸化物半導体の評価方法を提供することを課題とする。
【解決手段】キャリア密度の量を評価するとともに水素濃度の量も評価する。具体的にはＭＯＳキャパシタ（ダイオード又はトライオード）を作製し、当該ＭＯＳキャパシタのＣＶ特性を取得する。そして、取得したＣＶ特性からキャリア密度を見積もる。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールによる結晶化を利用した半導体薄膜の形成において、その結晶化度を従来よりも高精度に評価することが可能な半導体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて照射光Ｌoutを照射し、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の透過画像を取得する。画像処理用コンピュータ１５において、ｐ−Ｓｉ膜２３（結晶化領域５１）の透過輝度とａ−Ｓｉ膜２３０（未結晶化領域５０）の透過輝度との透過コントラストを求める。この際、予め形成された基準マーク６を用いて、結晶化領域５１内および未結晶化領域５０内におけるコントラスト算出用領域６０，６１を特定し、これらのコントラスト算出用領域６０，６１を用いて透過コントラストを求める。そして、求めた透過コントラストに基づいて、ｐ−Ｓｉ膜２３に対する選別を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アニール処理後の結晶化の状態について、非接触で精度よく、しかも効率的に、評価を行えるようにする。
【解決手段】アニール処理後の半導体層を有する多層構造体２１０を搭載するステージ２０１と、前記半導体層に対して光を照射する光源２０２と、前記光源２０２による光の照射によって得られるラマン散乱光を受光する受光部２０５と、前記受光部２０５が受光した前記ラマン散乱光を用いて前記半導体層の結晶化度を検査する検査部２０７とを備えた半導体検査装置２００において、前記検査部２０７は、前記ラマン散乱光のラマンスペクトルによって特定される領域を波数についての所定閾値で領域分割する領域分割部と、前記領域分割をする前の領域全体と前記領域分割をした後の前記所定閾値を超える領域部分との面積比を算出し、その算出結果を前記半導体層の結晶化度とする結晶化度算出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、非破壊かつ簡便に、所望の電気特性を得るために最適なキャリア濃
度にドーピングできるドーピング装置、並びにドーピング方法、それを用いる薄膜トラン
ジスタの作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明では、接触角を用いて、半導体素子の電気特性（トランジスタにお
けるしきい値電圧など）を正確かつ精密にモニタし、ドーピング方法を制御することによ
って、特性を制御する。また、本発明により、ｉｎ−ｓｉｔｕで特性をモニタすることを
よって、情報を時々刻々取得し、時間遅延なくフィードバックできる。 （もっと読む）

【課題】大型基板や高精細パネルのＴＦＴアレイ検査において、データ処理に用いるメモリ容量が不足することによる支障を防ぐ。
【解決手段】ＴＦＴアレイ検査装置は、パネルのＴＦＴアレイに検査信号を印加して、パネル上に所定パターンの電位分布を形成する検査信号印加手段と、二次電子の検出信号を用いてパネル欠陥を検出する信号処理手段とを備える。信号処理手段は、二次電子の検出信号の検出強度から得られる検出データを各ピクセルに対向付ける割り付け処理部と、各ピクセルに対応付けられた検出データを正規化して信号強度を算出する正規化処理部と、正規化処理部で得られる各ピクセルの信号強度から得られる一パネルの信号強度の配列に基づいて、一パネル内のピクセル欠陥を検出する欠陥検出部とを備える。割り付け処理部と正規化処理部は、一基板の全領域を複数のデータ処理領域に分け、各データ処理領域内の検出データを処理単位として処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極を備えたトランジスタ型の歪み検出素子であって、金属製歪みゲージよりも格段に優れた検出感度を有する歪み検出素子の提供。
【解決手段】ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、チャネルが形成される圧電材料からなる層と、を備えた歪み検出素子であって、（ａ）上記ゲート電極の長さが２μｍより大きいこと、（ｂ）上記ゲート電極の幅が１ｍｍより小さいこと、（ｃ）上記ゲート電極と上記ソース電極の距離と、上記ゲート電極と上記ドレイン電極の距離との和が１３μｍより大きいこと、の３条件のうち少なくともいずれか１つの条件が成立していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マザーＴＦＴ基板からのＴＦＴ基板の取得枚数を減らすことなく、かつＴＦＴ基板の外形を大きくすることなく、ＴＦＴ基板の状態における検査を可能とする。
【解決手段】液晶表示装置を駆動する端子の外側に検査用端子１０１を形成し、検査用配線１０２を当該ＴＦＴ基板１００の下側に配置されたＴＦＴ基板１００に形成する。検査用配線１０２が形成された領域は、下側のＴＦＴ基板１００の端部と表示領域１０の間のシール材等が形成されたスペースなので、ＴＦＴ基板１００を実質的に大きくすることは無い。また、検査用配線領域１１０を別途形成してこの部分を捨てるということが無いので、1枚のマザーＴＦＴ基板から取得できるＴＦＴ基板１００の枚数は減少しない。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴアレイ検査装置において、ピクセルの仕様やピクセルの検出点数等の検査条件を変更する場合に、データテーブルの作成を不要として、テーブル作成に要する時間を省いて作業時間を短縮する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ検査装置は、ＴＦＴ基板に荷電粒子ビームを照射し、この荷電粒子ビーム照射によりＴＦＴ基板の画素電極から発生する二次電子を検出することによってＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置であり、荷電粒子ビームのフォーカスを定めるフォーカスパラメータを荷電粒子ビームのサンプリングピッチに基づいて算出するフォーカスパラメータ算出手段と、算出したフォーカスパラメータに基づいて荷電粒子ビームのフォーカスを制御するフォーカス制御手段とを備え、ビーム径やビーム形状等の設定データをデータテーブルに格納する構成に代えて演算によって求める。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴアレイの検査において、走査画像の高い位置分解能と短い検査時間とを両立させ、ピクセル位置に対する走査画像の位置精度を高め、欠陥の検出精度を向上させる。
【解決手段】ＴＦＴアレイ検査は、１ピクセル当たりに照射する荷電粒子ビームの照射点数を増やし、ピクセルの境界に跨ることなくピクセルの中心側を照射する照射点の個数を増やす。照射点数を増やすことによって、隣接するピクセルの影響を受けることなく各ピクセルの取得データを取得して走査画像の位置分解能を向上させる。１ピクセルについて取得する取得データのデータ数を増やすことによって、走査するフレーム数を減少させて検査時間を短縮し、これによって、走査画像の高い位置分解能と短い検査時間とを両立させる。 （もっと読む）

【課題】点灯状態を判定するための設定値を、基板種やスキャン条件によって調整することを要することなく、パネルの点灯状態を判定する。
【解決手段】電子線を基板に形成されるパネル上を走査して得られる二次電子を検出することによりパネルのＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、パネルのＴＦＴアレイに検査信号を印加して、パネル上に所定パターンの電位分布を形成する検査信号印加手段と、二次電子の検出強度を用いてパネルの点灯状態を判定する信号処理手段とを備える。二次電子の検出強度に対するデータ数から得られる強度分布を求め、この強度分布を正常に点灯した際に得られる強度分布と比較することによってパネルの点灯状態の正否を判定する。この強度分布による判定は基板種やスキャン条件に依存しないため、基板種やスキャン条件が変化した場合であっても判定のための調整は不要である。 （もっと読む）