【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる記憶装置、当該記憶装置を用いた信号処理回路を提供する。
【解決手段】インバータまたはクロックドインバータなどの、入力された信号の位相を反転させて出力する位相反転素子を用いた記憶素子内に、データを保持するための容量素子と、当該容量素子における電荷の蓄積および放出を制御するスイッチング素子とを設ける。上記スイッチング素子には、アモルファスシリコン、ポリシリコン、微結晶シリコン、あるいは酸化物半導体等の化合物半導体をチャネル形成領域に含み、そのチャネル長が最小加工線幅の１０倍以上あるいは、１μｍ以上であるトランジスタを用いる。上記記憶素子を、信号処理回路が有する、レジスタやキャッシュメモリなどの記憶装置に用いる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して信頼性が劣る場合があった。また、酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性は、基板内、基板間及びロット間において、ばらつきが大きい場合があった。そこで、信頼性が高く、電気特性のばらつきの小さい酸化物半導体を用いた半導体装置を作製する。
【解決手段】ロードロック室と、ロードロック室とゲートバルブを介して接続された搬送室と、搬送室とゲートバルブを介して接続された基板加熱室と、搬送室とゲートバルブを介して接続されたリークレートが１×１０^−１０Ｐａ・ｍ^３／秒以下である成膜室と、を有する成膜装置である。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。または
、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁層と、絶縁層中に埋め込まれたソース電極、およびドレイン電極と、絶
縁層表面、ソース電極表面、およびドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層と
、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、絶縁
層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根（ＲＭＳ）
粗さが１ｎｍ以下であり、絶縁層表面の一部とソース電極表面との高低差、および絶縁層
表面の一部とドレイン電極表面との高低差は、５ｎｍ以上の半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】高い電界効果移動度、良好なフィルム形成特性、および複合システムにおける高性能のための適切な形態を示す半導体組成物を提供する。
【解決手段】ボトムゲート型のボトムコンタクト型ＴＦＴ１０は、ゲート電極１８およびゲート誘電体層１４と接触した基板１６を含む。ゲート電極１８は、ここでは基板１６の頂上に記載されているが、ゲート電極は基板内のくぼみとして位置することもできる。ゲート誘電体層１４は、ゲート電極１８とソース電極２０、ドレイン電極２２、および半導体層１２とを分離することが重要である。半導体組成物から形成される半導体層１２は、ソース電極２０とドレイン電極２２との間に延びる。この半導体組成物は、ポリマー結合剤および小分子半導体を含む。半導体層中の小分子半導体は、１００ナノメートル未満の結晶サイズを有する。組成物から形成されたデバイスは、高い移動度および優れた安定性を示す。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層のパターン精度が良好であり、トランジスタ特性に優れた有機半導体素子を容易に製造することが可能な製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶性有機半導体材料を配向させる配向層１上にソース電極２およびドレイン電極３を形成する電極形成工程と、ソースおよびドレイン電極を覆うように配向層１上に、液晶性有機半導体材料を有する有機半導体層４を形成する工程と、基板５と上記基板上にパターン状に形成された親液部６および撥液部７を有する有機半導体層転写基板８を用い、撥液部がソースおよびドレイン電極間のチャネル領域Ｃ上に配置されるように、有機半導体層４上に積層して、親液部６上に、その液晶相温度で熱転写する工程と、液晶相温度よりも低い温度で、配向層１から剥離することにより、親液部６上に熱転写された有機半導体層４を配向層１から除去する工程と、を有することを特徴とする有機半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線にＣｕを用いる配線の電気抵抗値とＴＦＴの電気特性値を均一にするアクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板およびＴＦＴを有する表示装置の製造方法であって、ＴＦＴは、電極および電極近接層を有し、電極は、銅および銅以外の添加元素を含み、以下の工程を含む表示装置の製造方法（Ａ）基板の上に電極および電極近接層が形成される工程、（Ｂ）電極または電極近接層がオゾン水で洗浄される工程、（Ｃ）前記（Ｂ）の工程後の熱処理により、電極と電極近接層との界面に、酸素を含む酸化物膜が形成される工程。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の移動度を低下させることなく、容易に有機半導体層をパターニングした有機半導体素子を得ることができる有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶性有機半導体材料を配向させる配向層１上にソース電極２およびドレイン電極３を形成するソース電極およびドレイン電極形成工程と、上記ソース電極および上記ドレイン電極を覆うように上記配向層上に、液晶性有機半導体材料を有する有機半導体層４を形成する有機半導体層形成工程と、上記有機半導体層上の少なくとも上記ソース電極および上記ドレイン電極間のチャネル領域Ｃ上に、誘電体層５を形成する誘電体層形成工程と、上記誘電体層が形成された上記有機半導体層を上記液晶性有機半導体材料の液晶相温度でアニール処理するアニール処理工程と、を有することを特徴とする有機半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡便な工程で、有機半導体層の移動度を低下させることなくパターニングした有機半導体素子を得ることができる有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ソース電極１およびドレイン電極２を覆うように有機半導体層３を形成する有機半導体層形成工程と、上記有機半導体層上の少なくとも上記ソース電極１および上記ドレイン電極２間のチャネル領域Ｃ上に、第一誘電体層４を形成する第一誘電体層形成工程と、上記第一誘電体層を覆うように上記有機半導体層上に、第二誘電体層５を形成する第二誘電体層形成工程と、を有し、第二誘電体層５は、第一誘電体層４の周囲で有機半導体層３と接触する接触部を有し、接触部Ｘにおける有機半導体層３および第二誘電体層５の界面に、有機半導体層と第二誘電体層とが混ざり合った混合層６を形成することを特徴とする有機半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い精度で効率良くパターニングすることができる有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体層形成用溶液に対して撥液性がある撥液部２を有する基体１を準備する第１工程、前記基体１の撥液部２上に遮蔽層５を形成する第２工程、前記基体１の撥液部２の一部を前記有機半導体層形成用溶液に対して親液性がある親液部７に変性する第３工程、及び、前記第１工程、前記第２工程、または前記第３工程の後に行い、前記基体１上にソース電極３及びドレイン電極４を形成する第４工程を有する有機半導体素子用基板６の形成工程と、有機半導体層８を親液部７上に形成する有機半導体層８の形成工程と、を有する有機半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好な半導体特性を有する酸化物半導体膜の形成方法を提供する。さらに、該酸化物半導体膜を適用し、良好な電気特性を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に接して設けられた水素透過膜を形成し、水素透過膜上に接して設けられた水素捕縛膜を形成し、加熱処理を行うことで、前記酸化物半導体膜から水素を脱離させる酸化物半導体膜の形成方法である。また、該形成方法を用いて作製する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】有機トランジスタの活性層の構成材料として優れた電界効果移動度を発揮することができる高分子化合物を提供すること。
【解決手段】下式で表される第１構造単位とチオフェン環、又は、少なくとも１つのチオフェン環を含む縮合環を表し、且つ、前記第１構造単位とは異なる構造を有する第２構造単位とを含む高分子化合物。
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【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いた半導体装置であるトランジスタにおいて、酸化物半導体膜から水素を捕縛する膜（水素捕縛膜）、および水素を拡散する膜（水素透過膜）を有し、加熱処理によって酸化物半導体膜から水素透過膜を介して水素捕縛膜へ水素を移動させる。具体的には、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのゲート絶縁膜を、水素捕縛膜と水素透過膜との積層構造とする。このとき、水素透過膜を酸化物半導体膜と接する側に、水素捕縛膜をゲート電極と接する側に、それぞれ形成する。その後、加熱処理を行うことで酸化物半導体膜から脱離した水素を、水素透過膜を介して水素捕縛膜へ移動させることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と接して形成される絶縁膜へのインジウムの拡散を抑え、また、酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜と接する絶縁膜との界面特性を良好にし、安定した電気的特性を有し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】インジウムを含む酸化物半導体膜において、表面のインジウム濃度を低減させることによって、酸化物半導体膜の上に接して形成される絶縁膜へのインジウムの拡散を防ぐ。また、さらに酸化物半導体膜表面のインジウム濃度を低減させることによって、表面にインジウムを実質的に含まない層を形成することができ、この層を絶縁膜の一部とすることにより、酸化物半導体膜と、該酸化物半導体膜と接する絶縁膜との界面特性を良好にする。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな製造装置を必要とすることなく、簡素、簡易な方法にて薄膜素子能動部を製造することができる薄膜素子の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜素子の製造方法は、支持基板２０上に樹脂材料から成る第１基材２１を塗布法にて形成した後、第１基材２１上に、熱によって又はエネルギー線の照射によって硬化する樹脂から成る第２基材２２を形成し、次いで、第２基材上に薄膜素子能動部３０を形成し、その後、支持基板２０を第１基材２１から剥離する各工程を備えており、第１基材２１を構成する樹脂材料のガラス転移温度は１８０゜Ｃ以上である。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の安定した酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供すること。また、結晶性の高い酸化物半導体膜を用いることにより、移動度の向上した半導体装置を提供すること。
【解決手段】表面粗さの低減された絶縁膜上に接して、結晶性を有する酸化物半導体膜を形成することにより、電気的特性の安定した酸化物半導体膜を形成することができる。これにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。さらに、移動度の向上した半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】高い精度で効率良く有機半導体をパターニングすることができる有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体層形成用溶液に対して撥液性がある撥液部２を有する基体１と、前記基体１上に形成されたソース電極３及びドレイン電極４と、前記基体１の撥液部２の一部上に形成された遮蔽層５とを有し、前記ソース電極３及び前記ドレイン電極４に金もしくは／及び白金、又は酸化還元電位が銀以下の金属が含まれている有機半導体素子用基板６上に紫外線又は含酸素プラズマを前記有機半導体素子用基板６に照射して、前記有機半導体層形成用溶液に対して親液性がある親液部７に変性する有機半導体素子用基板６の形成工程と、有機半導体層８の形成工程と、前記ソース電極３及び前記ドレイン電極４に酸化還元電位が銀以下の金属が含まれている場合は還元工程と、を有する有機半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いた半導体装置であるトランジスタにおいて、酸化物半導体膜から水素を捕縛する膜（水素捕縛膜）、および水素を拡散する膜（水素透過膜）を有し、加熱処理によって酸化物半導体膜から水素透過膜を介して水素捕縛膜へ水素を移動させる。具体的には、酸化物半導体膜を用いたトランジスタの下地膜または保護膜を、水素捕縛膜と水素透過膜との積層構造とする。このとき、水素透過膜を酸化物半導体膜と接する側に、水素捕縛膜をゲート電極と接する側に、それぞれ形成する。その後、加熱処理を行うことで酸化物半導体膜から脱離した水素を、水素透過膜を介して水素捕縛膜へ移動させることができる。 （もっと読む）

【課題】より安定した電気的特性の酸化インジウム亜鉛でなる酸化物半導体膜を提供する。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化インジウム亜鉛でなる酸化物半導体膜において、当該酸化物半導体膜は、ａ−ｂ面が酸化物半導体膜表面に概略平行である六方晶の結晶構造と、ａ−ｂ面が該酸化物半導体膜表面に概略平行である菱面体晶の結晶構造と、を有する酸化物半導体膜である。 （もっと読む）

【課題】優れた特性、即ち、十分な導電性が得られ、比較的低温の実用的な条件で製造することができ、組成比の調整によって導電性を制御することが可能な特性を有する新規なｐ型酸化物などの提供。
【解決手段】組成式ｘＡＯ・ｙＣｕ_２Ｏ（ｘとｙはモル比率を表し、０≦ｘ＜１００、かつｘ＋ｙ＝１００である。）で表されるアモルファス酸化物からなり、前記Ａが、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａから選択される少なくともいずれかを含むｐ型酸化物である。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物中の酸素欠損を低減し、電気的特性の安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第１の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。 （もっと読む）