【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のゲート電極と、第１のソース領域およびドレイン領域と、を有する第１のトランジスタと、少なくとも第１のソース領域またはドレイン領域の一部と重畳するように設けられた、酸化物半導体材料からなる第２のチャネル形成領域と、第２のソース電極と、第１のゲート電極に電気的に接続される第２のドレイン電極と、第２のゲート電極と、を有する第２のトランジスタと、第１のトランジスタと第２のトランジスタとの間の絶縁層と、を含むメモリセルを有し、第２のトランジスタをオフ状態とすべき期間において、少なくとも第１のソース領域またはドレイン領域に正の電位が与えられるときに第２のゲート電極に負の電位が与えられる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本製造方法は、ベース基板に、第１透明導電薄膜層とソース・ドレイン金属薄膜層を順次形成し、第１回パターニング工程を行って、第１画素電極パターン、ソース電極パターン、ドレイン電極パターン及びデータラインパターンを形成する工程と、有機半導体薄膜層とゲート絶縁薄膜層とを順次形成し、第２回パターニング工程を行って、前記ソース電極パターンとドレイン電極パターン上に位置する有機半導体アイランドパターン及びゲート絶縁アイランドパターンを形成する工程と、一層のパッシベーション層薄膜を形成し、第３回パターニング工程を行って、データラインパッド領域を形成する工程と、第２透明導電薄膜層とゲート金属薄膜層とを順次形成し、第４回パターニング工程を行って、第２画素電極パターン、ゲート電極パターン、及びゲートラインパターンを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】高移動度のアセン系有機半導体膜を塗布法で形成できるポリアセン化合物。
【解決手段】３．３以下の１，０００Hzでの誘電率εを有する有機結合剤および式Ａ：


式中、Ｒ_ｍ（_ｍ＝Ｒ_１〜１２）のそれぞれは、同一または異なっていてもよく、独立して、水素、カルビル基、ヒドロカルビル基、アルコキシ基などであり、飽和または不飽和の環を形成するように架橋されていてもよく、飽和または不飽和の環は、酸素原子、硫黄原子などが介在、または置換されていてもよい；および式中、ｎは、０、１、２、３または４である、のポリアセン化合物を含む、有機半導体層用処方物。 （もっと読む）

【課題】優秀な導電性及び大きい仕事関数を有する電極及びそれを含んだ電子素子を提供する。
【解決手段】グラフェン含有層と、前記グラフェン含有層上に形成される仕事関数傾斜層と、を含み、前記仕事関数傾斜層は、前記グラフェン含有層と接触する第１面、及び前記第１面に対向する第２面を有する単一層であり、前記仕事関数傾斜層の仕事関数は、前記第１面から前記第２面に向かう方向に沿って漸進的に増大する電極。 （もっと読む）

【課題】半導体装置をより少ない工程で作製する。
【解決手段】トランジスタと、画素電極とを有し、トランジスタは、第１のゲート電極と、第１のゲート電極上の第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の半導体層と、半導体層上の第２の絶縁層と、第２の絶縁層上の第２のゲート電極とを有し、第１のゲート電極は、第１の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、第２のゲート電極は、第２の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、画素電極は、第２の絶縁層上に設けられ、第１の領域は、第２のゲート電極の少なくとも一部が、半導体層の少なくとも一部と重なる領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第２の領域は、画素電極が設けられた領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第１の領域における第２の絶縁層は、第２の領域における第２の絶縁層よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】大きい仕事関数および高い電気伝導度を有する電極を具備した電子素子を提供する。
【解決手段】０．１Ｓ／ｃｍ以上の電気伝導度を有する導電性物質および低表面エネルギー物質を含み、第１面と、前記第１面に対向する第２面と、を有し、前記第２面の低表面エネルギー物質の濃度が、前記第１面の低表面エネルギー物質の濃度より高く、前記第２面の仕事関数が５．０ｅＶ以上であり、かつ前記第２面の電気伝導度が１Ｓ／ｃｍ以上である大きい仕事関数および高い電気伝導度を有する電極、を具備した電子素子である。 （もっと読む）

【課題】画素電極の電圧が保持され、画質が悪化することがないアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基材１１０上で半導体層１５０と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極１２０及びドレイン電極１３０と、前記チャネル領域を制御するゲート電極１４０と、前記ドレイン電極１３０と接続され液晶材料を駆動する画素電極１９０と、を複数有するアクティブマトリクス基板において、複数の前記画素電極１９０の間の空間に配された無機絶縁膜１９５と、前記画素電極１９０とは接触せずに、前記無機絶縁膜１９５と接触するようにして配された遮光膜２００と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機半導体材料として利用可能な、新規なポリマーを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有することを特徴とするポリマー。
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【課題】有機半導体層の上面の層の形状不良を抑えることが可能な半導体素子およびこれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】有機半導体層と、有機半導体層の上面に設けられた層とを有し、この層の外形線は、有機半導体層の外形線よりも内側にある半導体素子。この半導体素子を備えた電子機器。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の形成位置について、別途精密な制御を必要とすることなく、高精細なパターニングが行われた有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】ソース電極１、ドレイン電極２、ゲート電極３、有機半導体層４及びゲート絶縁膜５を備え前記ソース電極１及び前記ドレイン電極２の表面エネルギーが、いずれも30mN／m以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高いキャリア移動度を有する高分子化合物を提供すること。
【解決手段】式（１）で表される構造単位を有する高分子化合物であって、


（１）
〔式中、Ａｒ^１は、置換基を有していてもよいアリーレン基又は置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基を表す。Ａｒ^２は、置換基を有していてもよいアリーレン基又は置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基を表す。ｎは、０〜３の整数を表す。Ａｒ^２が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。〕２個の高分子化合物の主鎖間のキャリア伝導性と高分子化合物の主鎖内のキャリア伝導性の両方が大きく、高いキャリア移動度を有する高分子化合物。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタの長期的な信頼性を向上させることのできる有機保護膜組成物を提供する。
【解決手段】下記の一般式１および一般式２の構造単位を含むオリゴマーまたはポリマーと、架橋剤と、を含む。


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【課題】基板上に形成された絶縁膜の応力を低減し、歩留まりが向上したデバイスおよびこのデバイスを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】本開示の表示装置は、基板と、基板上の一部の領域に形成された金属層と、金属層上に設けられると共に、金属層未形成領域の少なくとも一部に溝を有する第１絶縁膜とを備える。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１のゲート
電極、第１のソース電極、および第１のドレイン電極を有する第１のトランジスタと、第
２のゲート電極、第２のソース電極、および第２のドレイン電極を有する第２のトランジ
スタと、を有し、第１のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、第２のトラ
ンジスタは酸化物半導体層を含んで構成された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】省電力化かつ高速での書き込み処理が可能なメモリの多値化に適した半導体装置およびベリファイ処理を提供する。
【解決手段】半導体装置に用いるメモリセルを、酸化物半導体を用いたトランジスタと酸化物半導体以外の材料を用いたトランジスタをそれぞれ有する構成とし、書き込み回路を用いてデータバッファのデータをメモリセルに書き込む前に、予め各々のメモリセルの有するしきい値ばらつきを調べ、データバッファのデータに対して当該しきい値ばらつきを補正したデータが各々のメモリセルに書き込む。 （もっと読む）

【課題】巻き取りを行っても傷や損傷が発生し難い構成、構造を有する薄膜素子組立体を提供する。
【解決手段】薄膜素子組立体にあっては、可撓性を有する基材２０の第１面２１上に複数の薄膜素子１０が備えられており、基材２０において、複数の薄膜素子１０が備えられた第１領域の外側に、薄膜素子を備えていない第２領域が設けられており、基材２０の第１面２１の第２領域、又は、第２面２２の第２領域、又は、第１面２１及び第２面２２の第２領域に凸部３１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】微細化及び高集積化を達成した酸化物半導体を用いた半導体装置において、安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタ（半導体装置）において、酸化物半導体膜を、絶縁層に設けられたトレンチ（溝）に設ける。トレンチは曲率半径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の曲面状の下端コーナ部を含み、酸化物半導体膜は、トレンチの底面、下端コーナ部、及び内壁面に接して設けられる。酸化物半導体膜は、少なくとも下端コーナ部において表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡便な工程で製造可能な、電荷注入効率に優れた薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板上に金属電極層を形成する金属電極層形成工程と、上記金属電極層の上面に、電子吸引性または電子供与性の官能基を有する表面処理剤で表面処理を行うことにより、表面処理層積層体を形成する表面処理工程と、上記表面処理層積層体をパターニングし、ソース電極およびドレイン電極を形成するパターニング工程と、上記ソース電極および上記ドレイン電極上に有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程と、上記有機半導体層上にゲート絶縁層を形成するゲート絶縁層形成工程と、上記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】微細化及び高集積化を達成した酸化物半導体を用いた半導体装置、及び半導体装置の作製工程において、安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。また、上記半導体装置の作製工程において、不良を抑制し、歩留まりよく作製する技術を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜を、絶縁層に設けられたトレンチに設ける。トレンチは下端コーナ部及び曲率半径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の曲面状の上端コーナ部を含み、酸化物半導体膜は、トレンチの底面、下端コーナ部、上端コーナ部、及び内壁面に接して設けられる。酸化物半導体膜は、少なくとも上端コーナ部において表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜である。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高い光電変換素子を提供することを目的とする。
【解決手段】一対の電極と、該電極の間に式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を含む有機層を有する光電変換素子。


（Ｉ）
式中、Ａｒは、アリーレン基を表す。Ｒは、フッ素原子又はフッ素原子を有する１価の有機基を表す。２個あるＲは、同一でも相異なってもよい。式（Ｉ）で表される繰り返し単位は、式（Ａ−１）〜式（Ａ−４）で表される繰り返し単位であることが好まし。Ｒはフッ素原子であることが好ましい。 （もっと読む）