【課題】複層のゲート絶縁層を備えたグラフェン電子素子を提供する。
【解決手段】グラフェンチャネル層とゲート電極との間に、有機物絶縁層と無機物絶縁層とからなる複層のゲート絶縁層を備えるグラフェン電子素子である。有機物絶縁層は、グラフェンチャネル層に不純物が吸着することを抑制して、グラフェンチャネル層の本来の特性を維持する。前記有機物絶縁層は、前記無機物絶縁層と前記グラフェンチャネル層との間に配置される。前記有機物絶縁層は、フッ素系高分子を含む。 （もっと読む）

【課題】開放端電圧が高い光電変換素子を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の電極と第２の電極とを有し、該第１の電極と該第２の電極との間に活性層を有し、該活性層に式（１）で表される構成単位を含む有機化合物を含有する光電変換素子。


（１）
（式中、Ｒ^１は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、複素環基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表す。Ｄ環及びＥ環は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香環を表す。） （もっと読む）

【課題】処有機薄膜トランジスタのチャネル領域の電荷状態の微視的様相を観測でき、電荷トラップなどの欠陥による電荷密度の変化を捉えることが可能な、有機薄膜トランジスタの評価方法を提供する。
【解決手段】基板上にゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜層と、有機半導体層とを備え、前記電極を介して印加する電圧によって該電極で画されたチャネル領域の電荷状態が制御を受ける薄膜トランジスタの評価方法であって、前記電極を通じて矩形波または正弦波により時間振動する変調電圧を印加するとともに、前記チャネル領域にレーザー光を照射してその透過光を得、前記変調電圧の高電圧時における透過光強度（Ｔ）と、該透過光強度（Ｔ）から前記変調電圧の低電圧時における透過光強度を差し引いた値（ΔＴ）を測定して、それらの値（ＴとΔＴ）に基づいて前記チャネル領域の電荷密度分布を求める。 （もっと読む）

【課題】 良好な絶縁特性を有する絶縁膜の形成に使用される高精細印刷インキ組成物および該印刷インキ組成物から形成された絶縁膜を提供すること。
【解決手段】 少なくとも不揮発性成分と溶剤を含有する絶縁膜形成用印刷インキ組成物であって、反転オフセット印刷、剥離オフセット印刷、マイクロコンタクト印刷のいずれかに用いられ、ポリシロキサンが不揮発性成分の７５重量％以上であることを特徴とする絶縁膜形成用印刷インキ組成物。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタおよび／または電子デバイスの電荷キャリア移動度を増大させ、高い移動度および優れた安定性を達成する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層は、半導体組成物として、ポリマー結合剤および小分子半導体を含む。また、半導体層は、ソース電極およびドレイン電極の間の方向に配列したアライメント層上に堆積されている。アライメント層は、電子デバイスの電界効果移動度を増大させるために使用される。 （もっと読む）

【課題】微細な貫通孔を有する膜を形成することが可能な膜の製造方法、およびこの方法を用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、第１パターンの膜を基材へ形成する第１転写工程と、第１パターンの膜上に第２パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２転写工程とを備えた膜の製造方法。基板に、ＴＦＴ，絶縁膜および有機ＥＬ素子を順に形成する工程を含み、絶縁膜を形成する工程は、第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、第１パターンの膜を基材へ形成する第１転写工程と、第１パターンの膜上に第２パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２転写工程とを備えた表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ソース電極およびドレイン電極と有機半導体層とにおける電荷注入効率の向上と性能の確保とを両立させることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、エッチングガスと反応可能な金属元素および半金属元素のうちの少なくとも一方を含む金属含有材料により形成された有機半導体層と、互いに離間されたソース電極およびドレイン電極と、有機半導体層とソース電極およびドレイン電極とが重なる領域において有機半導体層とソース電極およびドレイン電極との間に挿入され、エッチングガスと反応可能な金属元素および半金属元素のうちの少なくとも一方を含まない非金属含有材料により形成された有機導電層とを備える。 （もっと読む）

【課題】紫外線照射による表面自由エネルギーの変化が大きい積層構造体並びに該積層構造体を有する電子素子アレイ、画像表示媒体及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】積層構造体１０は、基板１１上に、ポリイミドを含む濡れ性変化層１２及び導電体層１３が順次積層されており、ポリイミドは、ポリアミド酸を脱水閉環させて得られ、ポリアミド酸は、ジアミンとテトラカルボン酸二無水物を開環重付加させて得られ、ジアミンは、一般式（１）で表される化合物を含む。
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【課題】印刷可能半導体素子を製造するとともに、印刷可能半導体素子を基板表面上に組み立てるための方法及びデバイスを提供する。
【解決手段】デバイス、デバイス部品は、幅広いフレキシブル電子デバイス及び光電子デバイス並びにデバイスの配列を高分子材料を備える基板上に形成する。伸張形態で良好な性能が得られる伸縮可能な半導体構造及び伸縮可能な電子デバイスを形成する。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタ（より広義には、十分にオフ電流が小さいトランジスタ）を用いた記憶回路と、酸化物半導体以外の材料を用いたトランジスタ（換言すると、十分な高速動作が可能なトランジスタ）を用いた駆動回路などの周辺回路と、を一体に備える半導体装置とする。また、周辺回路を下部に設け、記憶回路を上部に設けることで、半導体装置の面積の縮小化及び小型化を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも
制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる材料、例えば、ワ
イドギャップ半導体である酸化物半導体材料を用いて半導体装置を構成する。トランジス
タのオフ電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いることで、長期間にわた
って情報を保持することが可能である。また、信号線の電位変化のタイミングを、書き込
みワード線の電位変化のタイミングより遅らせる。これによって、データの書き込みミス
を防ぐことが可能である。 （もっと読む）

【課題】開放端電圧が十分に高い有機薄膜太陽電池を製造することが可能な高分子化合物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構成単位を含む高分子化合物。


（Ｉ）〔式中、Ａは、特定の３価の芳香族炭素環基又は３価の芳香族複素環基及び４価の芳香族炭素環基又は４価の芳香族複素環基よりなる〕 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、非晶質酸化物半導体膜を形成し、該非晶質酸化物半導体膜に酸素を導入して酸素を過剰に含む非晶質酸化物半導体膜を形成する。該非晶質酸化物半導体膜上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体膜の少なくとも一部を結晶化させて、結晶性酸化物半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、有機半導体層の移動度を低下させることなく、容易に有機半導体層をパターニングした有機半導体素子を得ることができる有機半導体素子の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、ソース電極およびドレイン電極を覆うように、低分子有機半導体材料を有する有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程と、上記ソース電極および上記ドレイン電極間のチャネル領域を含むように、上記有機半導体層上に第一誘電体層を形成する第一誘電体層形成工程と、上記低分子有機半導体材料を溶解することができる溶媒で、上記有機半導体層の一部を洗浄することにより、第一誘電体層非形成領域の上記有機半導体層を除去する洗浄除去工程と、上記第一誘電体層を覆うように第二誘電体層を形成する第二誘電体層形成工程と、を有することを特徴とする有機半導体素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ワイドギャップ半導体、例えば酸化物半導体を含むメモリセルを用いて構成された半導体装置であって、メモリセルからの読み出しのために基準電位より低い電位を出力する機能を有する電位切り替え回路を備えた半導体装置とする。ワイドギャップ半導体を用いることで、メモリセルを構成するトランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができ、長期間にわたって情報を保持することが可能な半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】従来のボトムゲートのトップコンタクト構造の薄膜トランジスタを製造する時、使用されるマスクの数が多いので、該薄膜トランジスタの製造コストが高くなる。
【解決手段】ソース・ドレイン電極及びパターニングされた活性層を製造するためのマスクに、チャンネル領域に対応する幅が露光装置の分解能より小さいスリットを形成し、露光量を大きくすることで、ソース・ドレイン電極を通常に形成でき、さらに該マスクを用い、露光量を小さくすることで、所望形状の活性層を形成できる。 （もっと読む）

【課題】高い配向性及び高い硬膜度の有機薄膜、及びその製造方法の提供。
【解決手段】少なくとも１種の重合性液晶化合物を含有する組成物の配向を、プラズマ照射による重合により固定してなる有機薄膜である。また、少なくとも１種の重合性液晶化合物を含有する組成物を配向させること、前記組成物を配向させるとともに、又は配向させた後に、前記組成物にプラズマを照射して重合を進行させて、配向を固定すること、
を含む有機薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高い電荷移動度を得るために高誘電率絶縁物質でゲート絶縁層を形成しながらも、同時に薄膜トランジスタの漏れ電流の減少が図られるゲート絶縁層を備える液晶表示素子用薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極１１と、ゲート電極上１１に、官能基、金属酸化物系（Ｍｅ）、シリコン（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）が結合した構造を有する高誘電率絶縁物質から形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に形成されたソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂとを備える液晶表示素子用薄膜トランジスタとした。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】直列に接続されたメモリセルと、容量素子と、を有し、メモリセルの一は、ビット線及びソース線に接続された第１のトランジスタと、信号線及びワード線に接続された第２のトランジスタと、ワード線、に接続された容量素子とを有し、第２のトランジスタは酸化物半導体層を含み、第１のトランジスタのゲート電極と、第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、容量素子の電極の一方とが接続された、半導体装置。 （もっと読む）