【課題】印刷可能半導体素子を製造するとともに、印刷可能半導体素子を基板表面上に組み立てるための方法及びデバイスを提供する。
【解決手段】デバイス、デバイス部品は、幅広いフレキシブル電子デバイス及び光電子デバイス並びにデバイスの配列を高分子材料を備える基板上に形成する。伸張形態で良好な性能が得られる伸縮可能な半導体構造及び伸縮可能な電子デバイスを形成する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持面を有するフレキシブル基板と、
湾曲した内面を有し、前記湾曲した内面の少なくとも一部が前記フレキシブル基板の前記支持面に対して結合される半導体構造と、
を備える伸縮可能な半導体素子。
【請求項２】
前記半導体構造が湾曲形態を成している、請求項１に記載の伸縮可能な半導体素子。
【請求項３】
前記結晶無機半導体構造が、前記湾曲した内面と反対側の湾曲した外面を有している、請求項１に記載の伸縮可能な半導体素子。
【請求項４】
前記湾曲した内面を有する前記半導体構造が歪みを受けている、請求項１に記載の伸縮可能な半導体素子。
【請求項５】
前記湾曲した内面が、少なくとも１つの凸領域又は少なくとも１つの凹領域を有している、請求項１に記載の伸縮可能な半導体素子。
【請求項６】
前記湾曲した内面が、周期的な波により特徴付けられる輪郭形状又は非周期的な波により特徴付けられる輪郭形状を有している請求項１に記載の伸縮可能な半導体素子。
【請求項７】
前記半導体構造が湾曲形態のリボンを備え、このリボンが、当該リボンの長さを拡張する周期的な波により特徴付けられる輪郭形状を有している、請求項１に記載の伸縮可能な半導体素子。
【請求項８】
前記湾曲リボンが、約５ミクロン〜約５０ミクロンの範囲にわたって選択される幅と、約５０ナノメートル〜約５００ナノメートルにわたって選択された厚さとを有している、に請求項７記載の伸縮可能な半導体素子。
【請求項９】
前記湾曲した内面が、前記湾曲した内面に沿うほぼ全ての点又は前記湾曲した内面に沿う選択された点で前記支持面に対して結合されている、請求項１に記載の伸縮可能な半導体素子。
【請求項１０】
前記フレキシブル基板がポリ（ジメチルシロキサン）を備えている、請求項１に記載の伸縮可能な半導体素子。
【請求項１１】
前記フレキシブル基板が約１ミリメートルに等しい厚さを有している、請求項１に記載の伸縮可能な半導体素子。
【請求項１２】
前記半導体構造が、無機半導体材料、単結晶無機半導体材料又は単結晶シリコンである、請求項１に記載の伸縮可能な半導体素子。
【請求項１３】
支持面を有するフレキシブル基板と、
湾曲した内面を有し、前記湾曲した内面の少なくとも一部が前記フレキシブル基板の前記支持面に対して結合される電気回路と、
を備える伸縮可能な電気回路。
【請求項１４】
前記電気回路が複数の集積デバイス部品を備えている、請求項１３に記載の伸縮可能な電気回路。
【請求項１５】
前記集積デバイス部品が、
半導体素子と、
誘電体素子と、
電極と、
導体素子と、
ドープ半導体素子と、
から成るグループから選択される、請求項１３に記載の伸縮可能な電気回路。
【請求項１６】
前記電気回路が湾曲形態を成している、請求項１３に記載の伸縮可能な電気回路。
【請求項１７】
前記湾曲した内面を有する前記電気回路が歪みを受けている、請求項１３に記載の伸縮可能な電気回路。
【請求項１８】
前記湾曲した内面が、周期的な波により特徴付けられる輪郭形状又は非周期的な波により特徴付けられる輪郭形状を有している、請求項１３に記載の伸縮可能な電気回路。

【図１】

【図２】

【図３Ａ】

【図３Ｂ】

【図３Ｃ】

【図３Ｄ】

【図３Ｅ】

【図３Ｆ】

【図４Ａ１】

【図４Ａ２】

【図４Ｂ１】

【図４Ｂ２】

【図５Ａ】

【図５Ｂ】

【図５Ｃ】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０Ａ】

【図１０Ｂ】

【図１０Ｃ】

【図１０Ｄ】

【図１０Ｅ】

【図１０Ｆ】

【図１０Ｇ】

【図１０Ｈ】

【図１１Ａ】

【図１１Ｂ】

【図１１Ｃ】

【図１１Ｄ】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８Ａ】

【図１８Ｂ】

【図１８Ｃ】

【図１８Ｄ】

【図１８Ｅ】

【図１８Ｆ】

【図１８Ｇ】

【図１８Ｈ】

【図１８Ｉ】

【図１８Ｊ】

【図１８Ｋ】

【図１９】

【図２０Ａ】

【図２０Ｂ】

【図２０Ｃ】

【図２０Ｄ】

【図２０Ｅ】

【図２０Ｆ】

【図２１Ａ】

【図２１Ｂ】

【図２１Ｃ】

【図２１Ｄ】

【図２１Ｅ】

【図２１Ｆ】

【図２１Ｇ】

【図２２Ａ】

【図２２Ｂ】

【図２２Ｃ】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６Ａ】

【図２６Ｂ】

【図２７Ａ】

【図２７Ｂ】

【図２７Ｃ】

【図２８Ａ】

【図２８Ｂ】

【図２９Ａ】

【図２９Ｂ】

【図３０Ａ】

【図３０Ｂ】

【図３１Ａ】

【図３１Ｂ】

【図３１Ｃ】

【図３１Ｄ】

【図３２Ａ】

【図３２Ｂ】

【図３３】

【図３４Ａ】

【図３４Ｂ】

【図３４Ｃ】

【図３５Ａ】

【図３５Ｂ】

【図３５Ｃ】

【図３５Ｄ】

【図３５Ｅ】

【図３６Ａ】

【図３６Ｂ】

【図３７Ｂ】

【図３８】

【図３９Ａ】

【図３９Ｂ】

【図３９Ｃ】

【図３９Ｄ】

【図４０Ａ】

【図４０Ｂ】

【図４０Ｃ】

【図４１】

【図４２Ａ】

【図４２Ｂ】

【図４２Ｃ】

【図４３Ａ】

【図４３Ｂ】

【図４３Ｃ】

【図４４Ａ】

【図４４Ｂ】

【図４４Ｃ】

【図４４Ｄ】

【図４６】

【図４７】

【図３７Ａ】

【図４５】

【公開番号】特開２０１２−２５６８９２（Ｐ２０１２−２５６８９２Ａ）
【公開日】平成２４年１２月２７日（２０１２．１２．２７）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２０１２−１３９１２９（Ｐ２０１２−１３９１２９）
【出願日】平成２４年６月２０日（２０１２．６．２０）
【分割の表示】特願２００７−５１５５４９（Ｐ２００７−５１５５４９）の分割
【原出願日】平成１７年６月２日（２００５．６．２）
【出願人】（５０６１７５８４０）ザ　ボード　オブ　トラスティーズ　オブ　ザ　ユニヴァーシティー　オブ　イリノイ (30)
【Ｆターム（参考）】