【課題】基板上の任意の位置に任意の向きの有機半導体単結晶を形成する。
【解決手段】親液性であって、結晶成長の方向を規制する形状（長方形など）を有する領域内に置かれた有機半導体に対して溶媒蒸気アニールを行うことにより、当該領域内に所定の方向に整列した有機半導体単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が高い有機半導体素子の製造に有用な有機半導体素子用電極、及び、該有機半導体素子用電極を有する有機半導体素子を安価に提供する。
【解決手段】基板１、ゲート電極４、ゲート絶縁膜３、有機半導体層２、ソース電極５及びドレイン電極６を有する有機半導体素子１００であって、前記ゲート絶縁膜上に設けられた自己組織化単分子膜のパターン領域と、前記自己組織化単分子膜のパターン領域外である電極形成領域２０に設けられたグラフェンナノリボンを含有する薄膜からなる前記ソース電極及びドレイン電極とを有する、有機半導体素子。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置の画素ＴＦＴとしてアモルファスシリコンよりも電界効果移動度が大きい、アモルファスの金属酸化物系半導体或いは有機半導体を用いた場合の過剰充電効果の増大に起因する、フリッカーレベルの増大や画面輝度の均一性低下による表示品位の低下を抑制する。
【解決手段】フリッカーや焼き付等の視認性が高い中間調表示における突き抜け電圧と、過剰充電効果の指標となる対向電極電位の面内格差との関係式を新たに導出し、これに基いて新たに導出した対向電極電位の面内格差を許容限界値以下に低減するための条件を満たすように設計する。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が高い有機トランジスタ作製に有用な高分子化合物を提供する。
【解決手段】式（１−１）〜式（１−３）で表される構造単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構造単位と、アリーレン基または２価の芳香族複素環基からなる構造単位とを含む高分子化合物とする。


式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^２は、炭素数が２以上のアルキル基を表す。Ｅは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−または−Ｎ（Ｒ^ａ）−を表す。Ｒ^ａは、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の芳香族複素環基を表す。環Ａは、芳香環または複素環を表す。ｎ_２は０以上の整数を表し、ｎ_３は１〜３の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】転写歩留まりを向上することが可能な電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１９の製造方法において、スタンプ５の半導体膜８および絶縁膜９が形成される側の面とは反対側の面５ａにガスバリア層７が形成されている。そのため、ガスバリア層７側からスタンプ５を空気で加圧する際に、スタンプ５の半導体膜８および絶縁膜９が形成される側の面とは反対側の面５ａから、半導体膜８および絶縁膜９が形成される面に、加圧した空気が抜けにくくなる。これにより、スタンプ５を基板１に押し付けることを持続することができるので、スタンプ５に形成された半導体膜８および絶縁膜９と基板１との密着性を増すことができる。したがって、基板１に転写されない半導体膜８および絶縁膜９が減少し、薄膜転写の歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】相分離構造を有し、かつ熱安定性、耐溶剤性及び耐久性に優れた有機半導体と、この有機半導体を形成するのに有用な組成物を提供する。
【解決手段】本発明は、第１の相を形成するための第１の成分系（複数のカルボニル基を有する芳香族カルボニル化合物と複数のアミノ基を有する芳香族アミン化合物）と、第１の相と相分離可能な第２の相を形成する第２の成分系（芳香族アルデヒド化合物と複素環のヘテロ原子に隣接して複数の遊離のα−炭素位を有する芳香族複素環式化合物）とを含んでいる。少なくとも一方の成分系が、３以上の反応部位を有する多官能性成分を含んでおり、π共役系（実質的に全体がπ共役系）の３次元架橋構造を有する有機半導体相を形成する。この組成物は、反応に伴って互いに相分離した第１の相と第２の相とを含み、ミクロ相分離乃至二層状に相分離した構造体を形成できる。 （もっと読む）

【課題】比較的大きい溶解度を有する縮合多環芳香族化合物の前駆体に用い得る化合物と合成法の提供。
【解決手段】下記式（ＩＩ）で表される縮合多環芳香族化合物：
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【課題】低いコンタクト抵抗、高い移動度を達成し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極１３、ゲート絶縁層１４、有機半導体材料層から構成されたチャネル形成領域１６、及び、金属から成るソース／ドレイン電極１５を有する電界効果型トランジスタから成る半導体装置において、チャネル形成領域１６を構成する有機半導体材料層と接するソース／ドレイン電極１５の部分は、電極被覆材料２１で被覆されており、電極被覆材料２１は、金属イオンと結合し得る官能基、及び、金属から成るソース／ドレイン電極１５と結合する官能基を有する有機分子から成る。 （もっと読む）

【課題】前駆体膜を変換して得られた半導体膜の導電率の向上。その有機膜を電極と有機半導体の間に配置することで、電極と半導体層の接触抵抗を低減すること。その結果として、接触抵抗が改善された高性能の電気特性を得ることが可能な電子デバイス用インク組成物ならびにそれを用いた電子デバイス、電界効果トランジスタ、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】電子デバイス用インク組成物であって、少なくともπ電子共役系化合物前駆体と、前記π電子共役系化合物のドーパントと、前記π電子共役系化合物前駆体とドーパントを溶解させる溶媒を含有することを特徴とするインク組成物。 （もっと読む）

【課題】比較的大きい溶解度を有する縮合多環芳香族化合物、その合成及び使用方法の提供。
【解決手段】下記ＤＮＴＴを代表とする化合物。
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【課題】有機トランジスタの活性層に用いた場合に、電界効果移動度が十分に高くなる高分子化合物を提供する。
【解決手段】式


〔式中、Ｅは、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｓｅ−を表す。Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、ヘテロアリール基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基又はハロゲン原子を表すか、２個のＲ^２が連結して環を形成する。〕で表される構造単位と、式（１）で表される構造単位とは異なる式−Ａｒ^１−で表される構造単位とを含む高分子化合物である（式中、Ａｒ^１は、２価の芳香族基、−ＣＲ^３＝ＣＲ^３−で表される基又は−Ｃ≡Ｃ−で表される基を表す）。 （もっと読む）

【課題】有機デバイスに好適に応用可能な高分子化合物を提供する。
【解決手段】繰り返し単位の少なくとも一部が炭素クラスター構造を含む基を有する高分子化合物。 （もっと読む）

【課題】性能および製造安定性を向上させることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、第１の面および第２の面を有する有機半導体部と、第１の面に隣接されたソース電極部と、第２の面に隣接されたドレイン電極部とを備える。ソース電極部およびドレイン電極部のうちの少なくとも一方は、有機半導体部よりも高導電性の有機半導体材料を含む高導電性電極部である。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上の有機半導体層をレーザ光を用いてパターニングしたときであっても、有機半導体層に損傷が生じ難い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、（Ａ）基体１０上にゲート電極１２を形成した後、（Ｂ）基体１０及びゲート電極１２上にゲート絶縁層１３を形成し、次いで、（Ｃ）基体１０に到達する分離溝１６をゲート絶縁層１３に形成した後、（Ｄ）ゲート絶縁層１３上及び分離溝１６の底部に露出した基体１０上に有機半導体層１４を形成し、次に、（Ｅ）少なくとも分離溝１６の底部に露出した基体１０上に形成された有機半導体層１４の部分にレーザ光を照射して分離溝１６の底部の少なくとも一部を露出させる一方、有機半導体層１４の上に一対のソース／ドレイン電極１５を形成する各工程から成る。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の電気的特性を確保することが可能な電子機器を提供する。
【解決手段】電子機器は、光源と、有機半導体層を含む薄膜トランジスタと、光源から生じた光が有機半導体層に至る経路に配置され、その有機半導体層の光吸収波長域のうちの少なくとも一部を含む波長域の光を吸収すると共にそれ以外の波長域の光を透過する光吸収透過層とを備える。 （もっと読む）

【課題】小面積、低電力動作、高速動作を並立する論理ゲートを含む半導体装置の構成を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極と半導体層が配置され、半導体層に接続してソース電極とドレイン電極とが配置される薄膜トランジスタを２つ以上含む論理ゲートで構成される。少なくとも第一の薄膜トランジスタは、そのゲート電極が電気的に浮遊状態にあり、かつ、その半導体層は基板面に対して垂直方向について、ゲート電極とソース電極により挟まれる第１の重なり領域とゲート電極とドレイン電極により挟まれる第２の重なり領域を有する。また、少なくとも第二の薄膜トランジスタは、そのゲート電極が入力端子に接続され、かつ、そのチャネル層は基板面に対して垂直方向について、ゲート電極とソース電極により挟まれる第１の重なり領域とゲート電極とドレイン電極により挟まれる第２の重なり領域を有する。 （もっと読む）

【課題】
形状に限定されることなく、柔軟性ないし可撓性を有し、任意の形状の各種装置を作成することが可能な素子を用いた集積装置を提供すること。
【解決手段】
回路素子が長手方向に連続的又は間欠的に形成されている素子、回路を形成する複数の領域を有する断面が長手方向に連続的又は間欠的に形成されている素子を複数複数束ね、撚り合せ、織り込み又は編み込み、接合し、組み合わせて成形加工し又は不織状に成形したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大気中での接触角の経時変化が少ない自己組織化単分子膜を基板表面に形成して、良好な特性を有する有機半導体層を再現性よく形成することを可能とする。
【解決手段】有機半導体層を形成する溶液に対する良好なぬれ性を基板表面に与える自己組織化単分子膜を形成するための化合物であって、下記の化学式（１）で表される構造を有する。ただし、化学式（１）中、ｎ＝１または８、Ｒ¹はアルキル基、Ｒ²及びＲ³はそれぞれ水素、アルキル基またはアリール基から選ばれた一種であって、Ｒ²＝Ｒ³＝Ｈの場合を除く。
【化１】
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【課題】非接触でデータの送受信が可能な半導体装置は、鉄道乗車カードや電子マネーカ
ードなどの一部では普及しているが、さらなる普及のためには、安価な半導体装置を提供
することが急務の課題であった。上記の実情を鑑み、単純な構造のメモリを含む半導体装
置を提供して、安価な半導体装置及びその作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】有機化合物を含む層を有するメモリとし、メモリ素子部に設けるＴＦＴのソ
ース電極またはドレイン電極をエッチングにより加工し、メモリのビット線を構成する導
電層とする。 （もっと読む）

【課題】半導体材料として優れた特性を有し、且つ、高い電荷注入促進機能を併せて有する分子配向系材料を提供する。
【解決手段】芳香族環を構造の少なくとも一部に含む、π−電子共役系からなる電荷輸送性分子ユニットＡと；該分子ユニットＡに結合した、ＯＨ基を有する側鎖Ｓを少なくとも１個有する有機半導体材料。所定のセル内に、該有機半導体材料を配置した際に、動作温度において、１０^５Ｖ／ｃｍの電界強度で１０^−５Ａ／ｃｍ^２以上の電流密度を与える。 （もっと読む）