【課題】高温雰囲気下にあっても特性に変化が生じ難い有機半導体材料（具体的には、ジオキサアンタントレン系化合物）を提供する。
【解決手段】本開示のジオキサアンタントレン系化合物は、以下の構造式（１）で表される。


ここで、Ｒは、炭素数が４以上の分岐を有するアルキル基である。 （もっと読む）

【課題】バリア性の高い保護層を有する積層構造、有機半導体素子、配線および表示装置、並びに有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】導体または半導体を含む有機層と、絶縁材料により構成され、前記有機層を覆う保護層と、外周が前記絶縁材料と親和性を有する親和層に覆われ、前記保護層に分散された複数の粒体とを備えた積層構造。 （もっと読む）

【課題】工程数が少なく、且つ、材料の利用効率が向上した駆動用回路基板およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本開示の表示装置は、一対のソース・ドレイン電極と、チャネル領域を形成すると共に、ソース・ドレイン電極に接して設けられた有機半導体層と、ソース・ドレイン電極まで貫通する貫通孔を有すると共に、有機半導体層およびソース・ドレイン電極上に設けられた少なくとも１層からなる絶縁層と、チャネル領域に対応する位置に設けられたゲート電極と、貫通孔を介して前記ソース・ドレイン電極に電気的に接続されると共に、ゲート電極と同一材料、且つ、同一膜厚で絶縁層上に設けられた画素用電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】高温雰囲気下にあっても特性に変化が生じ難い有機半導体材料の提供。
【解決手段】下記ジオキサアンタントレン系化合物。
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【課題】光電変換素子に含まれる有機層に用いた場合に、開放端電圧が大きくなる高分子化合物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構成単位、及び、式（ＩＩ）で表わされる構成単位を有する高分子化合物。


（Ｉ）（ＩＩ）〔式（Ｉ）及び式（ＩＩ）中、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミノ基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、複素環基、複素環オキシ基、複素環チオ基、アリールアルケニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表す。Ｙは、２価の基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】高い安定性を有し、プロセスに対する適応性が高い有機半導体材料に適する新規化合物、及び該化合物からなる半導体層を備えた電子デバイスの提供。
【解決手段】ジオキサアンタントレン系化合物であり、は、代表的なものとして、下記で示される化合物、及び
該化合物からなる半導体層を備えた電子デバイス。
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【課題】剥離前の形状及び特性を保った良好な状態で転置工程を行えるような、剥離工程
を用いて半導体装置及び表示装置を作製できる技術を提供する。よって、より高信頼性の
半導体装置及び表示装置を装置や工程を複雑化することなく、歩留まりよく作製できる技
術を提供することも目的とする。
【解決手段】透光性を有する第１の基板上に光触媒物質を有する有機化合物層を形成し、
光触媒物質を有する有機化合物層上に素子層を形成し、光を第１の基板を通過させて、光
触媒物質を有する有機化合物層に照射し、素子層を前記第１の基板より剥離する。 （もっと読む）

【課題】アライメント精度良く半導体層を形成し、かつ、プロセス数を増やすことなくトランジスタの素子分離を行うことのできる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ５０は、基板１と、基板１上に形成されたゲート電極２と、基板１とゲート電極２とにわたって、これらの上に形成されたゲート絶縁体層４と、ゲート絶縁体層４上に形成された半導体層５と、半導体層５上に形成された保護層６と、ゲート絶縁体層４と半導体層５と保護層６とにわたって、これらの上に形成された、ソース電極７及びドレイン電極８と、を有し、半導体層５における、ソース電極７とドレイン電極８との間のチャネル部を流れる電流の方向の一端５ａは、ソース電極７の一端７ａと一致し、半導体層５における他端５ｂは、ドレイン電極８の一端８ａと一致している。 （もっと読む）

【課題】有機電子デバイスにおいて、仕事関数を制御することにより、電極から有機半導体への電荷注入障壁をより小さくすることが可能となる銀ナノ粒子を適用した電極及びそれを用いた有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】平均粒径が３０ｎｍ以下であり、沸点が１００〜２５０℃の範囲内にある中短鎖アルキルアミンと沸点が１００〜２５０℃の範囲内にある中短鎖アルキルジアミンを主成分とする保護分子により覆われた銀ナノ粒子を有機電子デバイス用電極として用いる。 （もっと読む）

【課題】比較的大きい溶解度等の好ましい特性を有する芳香族重合体を提供する。
【解決手段】式（ＩＶ）で表される縮合多環芳香族部分を２以上有する芳香族重合体：


（Ｇ_１、Ｇ_２、Ａ_１〜Ａ_４は、結合、水素原子、特定の置換基であり、Ｂは、ベンゼン環部分を有する縮合環であり、Ｙはカルコゲンである）。 （もっと読む）

【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供す
る。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に
露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残
し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。ＴＦＴの
ソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としてい
る。 （もっと読む）

【課題】ソースおよびドレインと半導体層との間において良好なコンタクトを確保することが可能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機薄膜トランジスタは、有機材料よりなる半導体層上のソース電極およびドレイン電極に対向する第１および第２の領域のそれぞれに導電層を有し、この導電層が、還元反応によって導電性が変化する酸化物を含むものである。導電層が、半導体層とソース電極およびドレイン電極とのコンタクト層として機能すると共に、トップコンタクト構造では、製造プロセスにおいて半導体層上に、上記導電層を含むエッチングストッパ層を形成可能となる。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあわせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】データ配線が銀や銀合金により形成されており、またデータ配線に、ゲート絶縁層によって被覆されておらずむき出しとなっている部分があった場合でも、当該むき出しとなっている部分でマイグレーション現象が生じることがないトップゲート型アクティブマトリックスを提供する。
【解決手段】基材と、前記基材上に直接または間接的に形成された、ソース電極、ドレイン電極、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極、層間絶縁層、画素電極、および前記ソース電極と接続したデータ配線と、を有するトップゲート型アクティブマトリックス基板において、前記ソース電極と前記データ配線をともに銀または銀合金で形成し、前記ゲート電極を銀または銀合金以外で形成し、前記データ配線においてむき出しとなっている部分をゲート電極と同じ材質からなる被覆層によって被覆する。 （もっと読む）

【解決手段】化学センサは、第１のトランジスタと第２のトランジスタとを備える電子機器である。第１のトランジスタは、第１の半導体とカーボンナノチューブとから作られる半導体を備えている。第２のトランジスタは、第２の半導体から作られる半導体層を備えており、カーボンナノチューブは含んでいない。この２種類のトランジスタは、化学化合物への応答という点で異なっており、その応答の差を利用し、特定の化学化合物の属性を決定することができる。
【効果】この化学センサは、爆発性化合物、例えば、トリニトロトルエン（ＴＮＴ）の使い捨て可能なセンサとして有用であろう。この電子機器を分析器とともに使用し、分析器は、電子機器によって作られた情報を処理する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、第１の導電層及び第２の導電層の積層によって構成されるソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁層、及びゲート電極層が順に積層されたコプレナー型のトランジスタにおいて、該ゲート電極層は、該第１の導電層と該ゲート絶縁層を介して重畳し、該第２の導電層と前記ゲート絶縁層を介して非重畳とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置及びその不良画素の修復方法を提供する。
【解決手段】第１の絶縁基板と、第１の絶縁基板上に実質的に第１の方向に互いに平行するように配値されたゲート配線およびストレージ配線と、ゲートおよびストレージ配線と絶縁されて交差し、実質的に第２の方向に配値されたデータ配線と、データ配線上に形成された保護膜と、保護膜上に形成された第１の画素電極と第２の画素電極と、第１の画素電極に隣接する第２の画素電極を含み、ストレージ配線は、実質的に第１の方向に配値された水平部および水平部から実質的に第２の方向に分枝し、データ配線とオーバーラップする垂直部を含み、垂直部は、第１の画素電極および第２の画素電極とオーバーラップし、第１の画素電極と垂直部がオーバーラップする幅は第２の画素電極および垂直部の間のオーバーラップする幅と実質的に同一であることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】塗布開始場所以外の場所からの結晶成長を防止し、配向度の高い有機半導体薄膜を形成できるようにする。
【解決手段】有機半導体材料を含むインク１１の塗布開始場所からインク１１を乾燥させ、インク１１中の有機半導体材料を結晶化させて有機半導体薄膜１５を形成する。このとき、ノズル部２として、基板１２の表面と対向する先端面２ｆを構成するオーバハング部を有したノズル胴体部２ａと、ノズル胴体部２ａの先端面２ｆから基板１２側に突出すると共に一方向を長手方向として延設された吐出口２ｇを有する溶液吐出部２ｃとを備えたものを用いる。そして、溶液吐出部２ｃの下端を基板１２から離間させた状態でインク１１を吐出し、吐出されたインク１１にて溶液吐出部２ｃと基板１２の間に液溜まりを形成しつつ、ノズル部２を吐出口２ｇの長手方向に対する垂直方向に移動させることによりインク１１をライン状に塗布する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安定的に電子素子部を形成可能な電磁波剥離性フレキシブルデバイス用基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、可撓性を有する金属基材と、上記金属基材の少なくとも一方の表面上に形成された絶縁層と、上記金属基材の他方の表面上に形成され、電磁波剥離性を有する電磁波剥離性粘着樹脂を含む電磁波剥離性粘着層と、を有することを特徴とする電磁波剥離性フレキシブルデバイス用基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】印刷法を用いて薄膜トランジスタを製造する場合において、前処理などを必要とせずに微細パターンを形成可能であり、トランジスタ特性の面内均一性に優れるとともに、インキの利用効率に優れた薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性の基板上に形成されたゲート電極４１、ゲート絶縁膜、ソース電極４３、ドレイン電極４４、半導体層４５及び封止層４６を有する薄膜トランジスタ１を製造する薄膜トランジスタの製造方法であって、インキ供給手段を用いて凹凸パターンが形成された印刷用版にインキを供給するインキ供給工程と、インキの予備乾燥を経た後に凸版を用いて非画線部のインキ液膜を除去するインキ液膜除去工程と、印刷用版上に残った画線部のインキ液膜を基板４０に転写して、半導体層４５及び封止層４６のうち少なくとも一方を形成するインキ液膜転写工程を有する。 （もっと読む）