【課題】半導体装置において、消費電力を低減する。また、スタンバイ回路を少ない素子で構成し、半導体装置の回路面積の増大を防ぐ。
【解決手段】半導体装置に備えるスタンバイ回路をトランジスタ一つのみで構成し、該トランジスタに供給する電圧を切り替えることで、半導体装置の出力電流を制御する。これにより、スタンバイ状態での半導体装置の出力電流をほぼゼロにすることができるため、消費電力の低減が可能になる。なお、トランジスタの半導体層に酸化物半導体を用いることで、リーク電流を極小に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】記憶回路におけるデータの保持期間を長くする。また、消費電力を低減する。また、回路面積を小さくする。また、１回のデータの書き込みに対する該データの読み出し可能回数を増やす。
【解決手段】記憶回路を具備し、記憶回路は、ソース及びドレインの一方にデータ信号が入力される第１の電界効果トランジスタと、ゲートが第１の電界効果トランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続される第２の電界効果トランジスタと、ソース及びドレインの一方が第２の電界効果トランジスタのソース又はドレインに電気的に接続される第３の電界効果トランジスタと、を備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つ
ソース電極及びドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、加熱処理
を行う。この加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物
半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設け
ることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発
生するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】電源をオフしてもデータを保持することができ、退避動作と復帰動作が不要なレジスタ回路を提供する。
【解決手段】複数のレジスタ構成回路と、オフ電流が小さい第１のトランジスタと、オフ電流が小さい第２のトランジスタと、を有するレジスタ回路において、データ保持部を前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方に接続し、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方に接続する。前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタはオフ電流が小さいので、データ保持部の電荷がリークせず、レジスタ回路の電源をオフしてもデータ保持部にデータが保持される。そのため、退避動作と復帰動作を行わなくてよい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を小型化する。また、メモリセルを有する半導体装置の駆動回路の面積を縮小する。
【解決手段】少なくとも第１の半導体素子を有する素子形成層と、素子形成層上に設けられた第１の配線と、第１の配線上に設けられた層間膜と、層間膜を介して第１の配線と重畳する第２の配線と、を有し、第１の配線と、層間膜と、第２の配線と、は、第２の半導体素子を構成し、第１の配線と、第２の配線と、は、同電位が供給される配線である半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いたｎチャネルＴＦＴのみを用いてバッファ回路やインバータ回路などを構成することを課題の一つとする。
【解決手段】ソース電極及びドレイン電極の両方がゲート電極に重なる第１のトランジスタと、ソース電極はゲート電極と重ね、且つ、ドレイン電極はゲート電極と重ならない第２のトランジスタとを組み合わせてバッファ回路やインバータ回路などを構成する。第２のトランジスタをこのような構造とすることによって、容量Ｃｐを小さくし、電位差ＶＤＤ−ＶＳＳが小さい場合でもＶ_Ａ’が大きくとれるようになる。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の供給の停止及び再開を行う構成において、揮発性の記憶装置と不揮発性の記憶装置との間のデータの退避及び復帰の必要のない半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】不揮発性の半導体記憶装置とする際、揮発性の記憶装置と不揮発性の記憶装置を分離することなく構成する。具体的に半導体記憶装置には、酸化物半導体を半導体層に有するトランジスタ及び容量素子に接続されたデータ保持部にデータを保持する構成とする。そしてデータ保持部に保持される電位は、電荷をリークすることなくデータの出力が可能なデータ電位保持回路及び電荷をリークすることなくデータ保持部に保持した電位を容量素子を介した容量結合により制御可能なデータ電位制御回路で制御される。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも
制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる材料、例えば、ワ
イドギャップ半導体である酸化物半導体材料を用いて半導体装置を構成する。トランジス
タのオフ電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いることで、長期間にわた
って情報を保持することが可能である。また、信号線の電位変化のタイミングを、書き込
みワード線の電位変化のタイミングより遅らせる。これによって、データの書き込みミス
を防ぐことが可能である。 （もっと読む）

【課題】電力の供給が停止した後もデータを保持することができる、新たな構成の記憶素子を提供することを目的の一とする。
【解決手段】記憶素子は、ラッチ回路と、第１の選択回路と、第２の選択回路と、第１の不揮発性記憶回路と、第２の不揮発性記憶回路と、を有する。また、第１の不揮発性記憶回路及び第２の不揮発性記憶回路は、それぞれトランジスタ及び容量素子を有する。第１及び第２の不揮発性記憶回路のそれぞれが有するトランジスタは、チャネルが酸化物半導体膜に形成されるトランジスタである。当該トランジスタは、オフ電流が極めて低いため、トランジスタと容量素子の接続点であるノードにデータが入力された後、トランジスタがオフ状態となり、電源電圧の供給が停止しても、長期間にわたりデータを保持することができる。 （もっと読む）

【課題】小型でコントラストの高い画像データを取得することができるフォトセンサを提供する。該フォトセンサを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】受光素子と、スイッチング素子であるトランジスタと、トランジスタを介して受光素子と電気的に接続する電荷保持ノードとを有するフォトセンサにおいて、導通状態から非導通状態とするためにトランジスタへ供給する駆動パルスの入力波形の立ち下がり時間を遅延させ、電荷保持ノードが保持する電荷の減少を抑制する。 （もっと読む）

【課題】容易に共振周波数の設定を行う。
【解決手段】コイルとしての機能を有するアンテナと、アンテナと並列接続で電気的に接続される容量素子と、アンテナ及び容量素子と並列接続で電気的に接続されることにより、アンテナ及び容量素子と共振回路を構成する受動素子と、受動素子とアンテナ及び容量素子を並列接続で電気的に接続するか否かを制御する第１の電界効果トランジスタと、記憶回路と、を備え、記憶回路は、チャネルが形成される酸化物半導体層を含み、ソース及びドレインの一方にデータ信号が入力され、ソース及びドレインの他方の電圧に応じて第１の電界効果トランジスタのゲートの電圧が設定される第２の電界効果トランジスタを備える。 （もっと読む）

【課題】高速動作を実現できる記憶装置、或いは、リフレッシュ動作の頻度が低減できる記憶装置を提供する。
【解決手段】セルアレイ１０１の内部において、メモリセル１００に接続された配線に、駆動回路１０２から電位の供給が行われる。さらに、駆動回路１０２上にセルアレイ１０１が設けられており、セルアレイ１０１が有する複数の各メモリセル１００は、スイッチング素子と、スイッチング素子により電荷の供給、保持、放出が制御される容量素子とを有する。そして、スイッチング素子として用いられるトランジスタは、シリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を、チャネル形成領域に含んでいる。 （もっと読む）

【課題】待機電力を十分に低減した新たな半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の電源端子と、第２の電源端子と、酸化物半導体材料を用いたスイッチ
ングトランジスタと、集積回路と、を有し、前記第１の電源端子と、前記スイッチングト
ランジスタのソース端子またはドレイン端子の一方は電気的に接続し、前記スイッチング
トランジスタのソース端子またはドレイン端子の他方と、前記集積回路の端子の一は電気
的に接続し、前記集積回路の端子の他の一と、前記第２の電源端子は電気的に接続した半
導体装置である。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】直列に接続されたメモリセルと、容量素子と、を有し、メモリセルの一は、ビット線及びソース線に接続された第１のトランジスタと、信号線及びワード線に接続された第２のトランジスタと、ワード線、に接続された容量素子とを有し、第２のトランジスタは酸化物半導体層を含み、第１のトランジスタのゲート電極と、第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、容量素子の電極の一方とが接続された、半導体装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】化学量論的組成比を超える酸素を含む領域を有する非晶質酸化物半導体層と、該非晶質酸化物半導体層上に設けられた酸化アルミニウム膜とを含んで構成される半導体装置を提供する。該非晶質酸化物半導体層は、脱水又は脱水素化処理を行った結晶性又は非晶質酸化物半導体層に対して、酸素注入処理を行い、その後、酸化アルミニウム膜を設けた状態で４５０℃以下の熱処理を行うことで形成される。 （もっと読む）

【課題】消費電力が少なく、表示品質の良い表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】第１の基板上に、端子部と、画素電極と、酸化物半導体を有するスイッチングトランジスタと、可視光に対して高い光感度を有する第１の光センサと、赤外光に光感度を有し、第１の光センサより可視光に対する光感度が低い第２の光センサを設ける。第１及び第２の光センサを用いて表示装置周囲の照度または色温度を検出して表示映像の輝度や色調を調整する。また、第１の基板に向かい合って第２の基板を設け、第２の基板上に対向電極を設ける。端子部からスイッチングトランジスタを介して対向電極へ電位を供給し、また、静止画を表示する期間において、スイッチングトランジスタを非導通状態として、対向電極を浮遊状態とする。 （もっと読む）

【課題】開示する発明の一態様は、安定して動作することが可能なパルス信号出力回路及
びそれを含むシフトレジスタを提供することを課題の一とする。
【解決手段】開示する発明の一態様のパルス信号出力回路は、第１乃至第１０のトランジ
スタを有し、第１のトランジスタおよび第３のトランジスタのチャネル長Ｌに対するチャ
ネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌは、第６のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きく、第５のトランジスタ
のＷ／Ｌは、第６のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きく、第５のトランジスタのＷ／Ｌは
、第７のトランジスタのＷ／Ｌと等しく、第３のトランジスタのＷ／Ｌは、第４のトラン
ジスタのＷ／Ｌよりも大きくする。これによって、安定して動作することが可能なパルス
信号出力回路及びそれを含むシフトレジスタを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】新規な非シリコン系半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．００１〜０．１２であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に
接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図ることを課題の一と
する。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層の
うち、酸化物半導体層と接する一層を酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有
する金属又はそのような金属の合金とする。二層目以降のソース電極層またはドレイン電
極層の材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述
した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生
産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向か
って結晶成長する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化
物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第１の酸化物結晶部
材と第２の酸化物結晶部材がｃ軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の
同軸（アキシャル）成長をさせていることである。 （もっと読む）