【課題】ＬＯＣＯＳ酸化膜端部の直下の電界集中が容易に緩和され、ＬＯＣＯＳ酸化膜直下の半導体導電層の良好な耐圧および抵抗を実現することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置（１）は、ＬＯＣＯＳ酸化膜（２２）の半導体基板の表面に対してラテラル方向に終端しているエッジ（２２ａ、２２ｂ）の少なくとも一部（２２ａ、２２ｂ）が、上面と下面とに１５度以上３０度以下の角度（θ）で挟まれて終端するプロファイルを有している。 （もっと読む）

【課題】トンネルトランジスタの高電圧での駆動力を向上させることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、基板と、前記基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを備える。さらに、前記装置は、前記基板内に前記ゲート電極を挟むように形成された、第１導電型の第１の主端子領域および前記第１導電型とは逆導電型の第２導電型の第２の主端子領域を備える。さらに、前記装置は、前記基板内において、前記第２の主端子領域の下面に接し、前記第１の主端子領域と離間された位置に形成された、前記第１導電型の第１の拡散層を備える。 （もっと読む）

【課題】インバータ回路を構成する直列接続された素子を備えた半導体装置において、その直列接続の高電位配線の影響による耐圧低下が生じるのを防止する半導体装置の提供。
【解決手段】第１および第２の素子は、各々、電流のスイッチングを行うトランジスタと、還流を行うダイオードとを含み、かつ、トランジスタの第１主電極とダイオードの第１主電極が電気的に接続され、トランジスタの第２主電極とダイオードの第２主電極が電気的に接続され、第１の素子および第２の素子は、第１の素子におけるトランジスタの第１主電極と、第２の素子におけるトランジスタの第２主電極が電気的に接続され、かつ、半導体基板を平面視したときに、第１の素子におけるトランジスタの第１主電極とドリフト領域の間の導電性半導体領域と、第２の素子におけるトランジスタの第２主電極とドリフト領域の間の導電性半導体領域とが対向するように、配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐圧バラツキを抑制し、歩留りを向上させることが可能となる横型素子を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】横型ＦＷＤなどの横型素子に備えられるＳＲＦＰ２１について、の不純物濃度を１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上となるようにする。このように、横型ＦＷＤ７などに備えられるＳＲＦＰ２１について、の不純物濃度を１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上とすることにより、耐圧バラツキを抑制することが可能となり、的確に目標とする耐圧を得ることができる製品とすることが可能になる。したがって、製品の歩留りを向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】チップ面積を増大させずにスナップバック現象を抑制することのできる、ＩＧＢＴと他の半導体素子とが一体化して配置された半導体装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴとドリフト層を有する他の半導体素子とを備えた半導体装置であって、ＩＧＢＴのドリフト層と他の半導体素子のドリフト層とが互いに接しており、ＩＧＢＴのエミッタ層と他の半導体素子のドリフト電界を発生させる電圧が印加される一方の極性層とが互いに導電的に接続されており、ＩＧＢＴのコレクタ層と他の半導体素子の他方の極性層とが互いに導電的に接続されており、ＩＧＢＴのドリフト層の他の半導体素子のドリフト層との境界から離れた領域に絶縁層を介して対向する領域をドリフト方向に沿って延伸し、Ｎチャネル型ＩＧＢＴではコレクタ側からエミッタ側に向けて電流が流され、Ｐチャネル型ＩＧＢＴではエミッタ側からコレクタ側に向けて電流が流される配線部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減する。オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に窒素プラズマ処理を行うことで酸化物半導体膜を構成する酸素の一部が窒素に置換された酸窒化領域を形成し、該酸窒化領域に接して金属膜を形成する。該酸窒化領域は酸化物半導体膜の他の領域と比べ低抵抗となり、また、接触する金属膜との界面に高抵抗の金属酸化物を形成しにくい。 （もっと読む）

【課題】耐圧の低下を抑制しつつ電流駆動能力の向上と小型化とを実現できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、ＳＯＩ基板の半導体層の上面に沿って形成されたゲート電極３１と、ソース拡散領域１８_１〜１８_Ｎと、電荷収集領域１９_１〜１９_Ｎ＋１と、ドレイン拡散領域１６と、電界緩和領域１７とを備える。ソース拡散領域１８_１〜１８_Ｎと電荷収集領域１９_１〜１９_Ｎ＋１とは、Ｙ軸方向に沿って交互に配列されている。ソース拡散領域１８_１〜１８_Ｎの各々の幅をＷ_ｅｆｆとし、ゲート電極３１の長さをＬ_ｇとし、ゲート電極３１とドレイン拡散領域１６との互いに対向する端部間の距離をＬ_{ｄｒｉｆｔ}とするとき、Ｗ_ｅｆｆ／２≦Ｌ_ｇ＋Ｌ_{ｄｒｉｆｔ}／２、との関係式が成立する。 （もっと読む）

【課題】オン電圧の低減と、破壊耐量確保、高速スイッチングを同時に実現できる横型ＩＧＢＴを提供する。
【解決手段】エミッタ側にｎ型バリア層１５を形成することで、ホールのバリアとして機能させ、コレクタ側から注入されたホールがエミッタ側のチャネルｐウェル層６に流れ出てホール濃度が低下することを防止する。これにより、エミッタ近傍のｎ^-型ドリフト層２内のキャリア濃度を上げることが可能となり、オン電圧の低減が可能となる。また、コレクタ側において、コレクタ電極１２のうちｐ⁺型層４ａと接触している部分をオーミック接触、ｐ型層４ｂと接触している部分をショットキー接触とする。このショットキー接触とされた部分において、コレクタ側からのホールの注入が抑制され、蓄積キャリアを低減して、寄生バイポーラトランジスタがオンし難くなるようにできる。よって、低オン電圧を維持しながらスイッチング耐圧を確保することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】仕事関数の異なる複数の電極層を有し、ゲート抵抗が低く、作製が容易なゲート電極を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、基板と、前記基板上に形成されたゲート絶縁膜とを備える。さらに、前記装置は、前記ゲート絶縁膜の上面に形成され、第１の仕事関数を有する第１の電極層と、前記ゲート絶縁膜の上面と前記第１の電極層の上面に連続して形成され、前記第１の仕事関数と異なる第２の仕事関数を有する第２の電極層と、を有するゲート電極と、前記ゲート電極の側面に形成された側壁絶縁膜とを備える。さらに、前記装置では、前記第１の電極層の上面の高さは、前記側壁絶縁膜の上面の高さよりも低い。 （もっと読む）

【課題】深い不純物拡散層の形成が容易な誘電体分離基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】誘電体分離基板１０では、半導体基板１１に第１の厚さｔ１を有する絶縁膜１２が設けられている。絶縁膜１２上に第２の厚さｔ２を有する第１導電型の半導体層１３が設けられている。半導体層１３の下部に絶縁膜１２に接して第２導電型の不純物拡散層１４が部分的に設けられている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体層の上面部及び下面部に、酸化物半導体層と同種の成分でなるバッファ層が接して設けられたトランジスタ、及び該トランジスタを含む半導体装置を提供する。酸化物半導体層に接するバッファ層としては、アルミニウム、ガリウム、ジルコニウム、ハフニウム、又は希土類元素から選択された一以上の元素の酸化物を含む膜を適用することができる。 （もっと読む）

【課題】チャネル長の短い酸化物半導体トランジスタにおいて、十分なオン／オフ比が取れないことを抑制する。
【解決手段】酸化物半導体層と、当該酸化物半導体層のチャネル形成領域と重畳するゲート電極と、当該酸化物半導体層の第１の領域と重畳するソース電極又はドレイン電極と、当該チャネル形成領域と当該第１の領域との間に第２の領域を有し、当該第２の領域の上層は微小な空洞を含んでいる半導体装置に関する。酸化物半導体層と、当該酸化物半導体層のチャネル形成領域と重畳するゲート電極と、当該酸化物半導体層の第１の領域と重畳するソース電極又はドレイン電極と、当該チャネル形成領域と当該第１の領域との間に第２の領域を有し、当該第２の領域の上層は窒素を含んでいる半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】第１のトランジスタと第２のトランジスタが、ぞれぞれのドレイン領域とソース領域を共有して同一の半導体基板上に形成される構成の半導体装置の製造において、それぞれのトランジスタのソース領域およびドレイン領域の直下に埋め込み絶縁膜を効率的に形成できる製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上にそれぞれのトランジスタのソース領域およびドレイン領域に対応してトレンチを形成し、前記トレンチをＳｉＧｅ混晶層と半導体層を順次形成することにより充填し、さらに第１のトランジスタのソース領域および第２のトランジスタのドレイン領域直下のＳｉＧｅ混晶層を、素子分離溝を介して選択エッチングにより除去し、第１のトランジスタのドレイン領域および第２のトランジスタのソース領域として共有される拡散領域直下のＳｉＧｅ混晶層を、前記拡散領域に形成した孔を介して選択エッチングし、除去する。 （もっと読む）

【課題】薄い活性層を有する積層基板に形成される横型ＩＧＢＴの特性を改善する。
【解決手段】横型ＩＧＢＴ１は、ｐ型のコレクタ領域４６，４８とｐ型のコレクタウェル領域４４を備えている。コレクタウェル領域４４は、コレクタ領域４６，４８を取り囲んでコレクタ領域４６，４８に接している。コレクタウェル領域４４の不純物濃度は、コレクタ領域４６，４８の不純物濃度よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を活性層に用いるトランジスタにおいて、チャネル領域と隣接するソース領域およびドレイン領域に微小な空洞を設ける。酸化物半導体膜に形成されるソース領域およびドレイン領域に微小な空洞を設けることによって、微小な空洞に酸化物半導体膜のチャネル領域に含まれる水素を捕獲させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ボディ浮遊効果を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１と、シリコン基板１上に形成された埋め込み絶縁層２と、埋め込み絶縁層２上に形成された半導体層３とを備えるＳＯＩ構造の半導体装置であって、半導体層３は、第１導電型のボディ領域４、第２導電型のソース領域５及び第２導電型のドレイン領域６を有し、ソース領域５とドレイン領域６との間のボディ領域４上にゲート酸化膜７を介してゲート電極８が形成され、ソース領域５は、第２導電型のエクステンション層５２と、エクステンション層５２と側面で接するシリサイド層５１を備え、シリサイド層５１とボディ領域４との境界部分に生じる空乏層の領域に結晶欠陥領域１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】トンネルトランジスタにおいて、その寄生容量を低減したゲート電極を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜２０１を介して形成されたゲート電極２０２を挟むように形成された、第１導電型のソース領域１２１及び前記第１導電型とは逆導電型の第２導電型のドレイン領域１２２と、基板１０１内において前記ソース領域１２１と前記ドレイン領域１２２との間に形成された、第２導電型のチャネル領域１２３とを備える。そして、前記ゲート絶縁膜２０１は、前記ソース領域上に位置し、チャネル幅方向に平行な第１のエッジＥ１と、前記チャネル領域上又は前記ソース領域上に位置し、チャネル幅方向に平行な第２のエッジＥ２とを有し、第１の膜厚を有する第１の絶縁膜部分を有する。さらに、前記ゲート絶縁膜２０１は、前記第１の絶縁膜部分に対して前記ドレイン領域側に位置し、前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有する第２の絶縁膜部分を有する。 （もっと読む）

【課題】下地に対する選択比が大きく、テーパー形状の配線を形成するドライエッチング
方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下の配線を形成
する。また、基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下のゲート配線
を形成し、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に活性層を形
成する。 （もっと読む）

【課題】従来に比してオン電圧性能に優れた横型ＩＧＢＴ、および順方向電圧特性に優れた横型ＦＷＤを同一基板上に構成可能とする半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上において、横型ＩＧＢＴと、横型ＦＷＤとが、絶縁体であるトレンチ絶縁仕切り部を挟むように横方向に隣接配置されて成る半導体装置であって、横型ＩＧＢＴは、平面視した場合に、エミッタ領域と当該横型ＩＧＢＴのドリフト領域との境界面の幅がコレクタ領域と当該横型ＩＧＢＴのドリフト領域との境界面の幅より狭くなるよう形成されており、横型ＦＷＤは、平面視した場合に、カソード領域と当該横型ＦＷＤのドリフト領域との境界面の幅がアノード領域と当該横型ＦＷＤのドリフト領域との境界面の幅より狭くなるよう形成されていることを特徴とする、半導体装置。 （もっと読む）

【課題】高速スイッチング動作を行う場合でも、アバランシェブレークダウンを抑制でき、スイッチング損失低減や素子破壊を抑制することが可能な構成とする。
【解決手段】横型ＦＷＤ７などの横型素子において、ＳＲＦＰ２１の全抵抗Ｒの抵抗値を９０ｋΩ〜９０ＭΩ、好ましくは２７０ｋΩ〜２７ＭΩ、より好ましくは９００ｋΩ〜９ＭΩとすることにより、２ｎｄピーク時のアノード電流Ｉ_Aなどの電流が大きくなることを抑制できる。これにより、高速スイッチング動作を行う場合でもアバランシェブレークダウンを抑制でき、横型ＦＷＤ７のスイッチング損失低減や素子破壊を抑制することが可能となる。 （もっと読む）