【課題】高度な集積化を実現した、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層と、チャネル形成領域と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、チャネル形成領域と重畳するゲート電極と、チャネル形成領域とゲート電極との間のゲート絶縁層と、を含み、チャネル形成領域を含む半導体層の側面の一部と、ソース電極またはドレイン電極の側面の一部と、は、平面方向から見て概略一致している半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】高度な集積化を実現した、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層と、チャネル形成領域と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、チャネル形成領域と重畳するゲート電極と、チャネル形成領域とゲート電極との間のゲート絶縁層と、を含み、ゲート絶縁層の側面の一部と、ソース電極またはドレイン電極の側面の一部と、は、平面方向から見て概略一致している半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】縦型のトランジスタにおいてゲートからシリサイドの位置を精度よく制御できるようにする。
【解決手段】柱状半導体１４の中央部には、その周囲を囲むように、ゲート絶縁膜９が形成され、さらに、ゲート絶縁膜９の周囲を囲むように、ゲート層６が形成されている。この柱状半導体１４の中央部、ゲート絶縁膜９、ゲート層６により、ＭＩＳ構造が形成されている。ゲート層６の上下には、第１絶縁膜４が形成されている。第１絶縁膜４は、柱状半導体１４にも接している。柱状半導体１４の側面には、シリサイド１８及びｎ型拡散層（不純物領域）１９が形成されている。シリサイド１８は、第１絶縁膜４によってセルフ・アラインされた位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】生産性の高い半導体材料を用い、且つ耐圧性を向上させたトランジスタを提供することを課題の一とする。または、高耐圧のトランジスタを用いた大電力向けの半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】トランジスタにおいて、高電界の印加されるドレイン電極を平坦な面上に形成し、且つ、ゲート電極の、チャネル幅方向のドレイン電極側の端部、およびチャネル長方向の端部を、ゲート絶縁層を介して酸化物半導体層で覆うことによって、トランジスタの耐圧を向上させる。また、該トランジスタを用いた大電力向けの半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層によってチャネル領域が形成されるトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続されたノードにおいて電荷の保持を行う半導体装置に記憶された情報の経時変化を抑制すること。
【解決手段】書き込み期間と保持期間の間に、トランジスタのゲートに強い負電位を与える期間（反転期間）を設ける。反転期間において、当該トランジスタのドレインから酸化物半導体層に対する正電荷の供給が促進される。これにより、酸化物半導体層内又は酸化物半導体層及びゲート絶縁膜の界面への正電荷の蓄積を短期間で収束させることができる。そのため、反転期間後の保持期間における当該トランジスタのドレインに電気的に接続されたノードにおける正電荷の減少を抑制することが可能である。すなわち、当該半導体装置に記憶された情報の経時変化を抑制することが可能である。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶シリコン膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】本発明の微結晶シリコン膜の作製方法は、絶縁膜５５上に、第１の条件により第１の微結晶シリコン膜５７をプラズマＣＶＤ法で形成し、第１の微結晶シリコン膜上に、第２の条件により第２の微結晶シリコン膜５９を形成し、第１の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第２の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、堆積性気体の流量に対する水素の流量を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、疎水化処理を要することなく、フォトリソグラフィー技術による酸化シリコン膜のパターニングが可能な半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板上に形成された酸化シリコン膜上に機能層を形成する機能層形成工程と、上記機能層上に第１フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法により上記機能層および上記酸化シリコン膜をパターニングし、上記第１フォトレジストを除去する第１パターニング工程と、パターニングされた上記機能層上に第２フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法により上記機能層をさらにパターニングし、上記第２フォトレジストを除去する第２パターニング工程とを有し、上記機能層と上記第１フォトレジストおよび上記第２フォトレジストとの接触角が２０度以下であることを特徴とする半導体素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】大画面化しても低消費電力、歩留まり及び信頼性の向上を実現するための半導体
装置の構造及びその作製方法を提供する。
【解決手段】画面で使われる画素薄膜トランジスタを逆スタガ型薄膜トランジスタで作製
する。その逆スタガ型薄膜トランジスタにおいて、ソース配線、ゲート電極を同一平面上
に作製する。また、ソース配線と逆スタガ型薄膜トランジスタ、画素電極と逆スタガ型薄
膜トランジスタをつなぐ金属配線を同一工程で作製する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する第１の微結晶半導体膜を酸化絶縁膜上に形成した後、第２の条件により混相粒を結晶成長させて混相粒の隙間を埋めるように、第１の微結晶半導体膜上に第２の微結晶半導体膜を積層形成する。第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量比を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第２の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量比を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＺＯ系電界効果型薄膜トランジスタにおいて、消費電力が少なく、環境変化及び駆動に対する素子安定性の優れたものとする
【解決手段】電界効果型トランジスタ１ａは、基板１０上に、ゲート電極２１と、ゲート絶縁膜３０と、ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物からなる（不可避不純物を含んでもよい）活性層４０と、活性層４０上にパターン形成されてなるソース電極２２及びドレイン電極２３と、酸化ガリウムを主成分とする第1の保護層５０とを備え、保護層５０は、少なくとも、ソース電極２２とドレイン電極２３との間のバックチャネル領域の活性層４０上に形成されてなるものである。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の長時間にわたる保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を含む複数のメモリセルと、増幅回路と、スイッチ素子と、を含む読み出し回路と、リフレッシュ制御回路と、を有し、第１のチャネル形成領域と第２のチャネル形成領域は、異なる材料を主成分として構成され、第１のゲート電極と、第２のソース電極および第２のドレイン電極の一方は電気的に接続され、第２のソース電極および第２のドレイン電極の他方と、増幅回路の入力端子の一は電気的に接続され、増幅回路の出力端子は、スイッチ素子を介して第２のソース電極および第２のドレイン電極の他方と接続され、スイッチ素子の導通状態または非導通状態は、リフレッシュ制御回路によって制御される半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１のトランジスタ上に設けられた第２のトランジスタと容量素子とを有し、第２のトランジスタの半導体層にはオフセット領域が設けられた半導体装置を提供する。第２のトランジスタを、オフセット領域を有する構造とすることで、第２のトランジスタのオフ電流を低減させることができ、長期に記憶を保持可能な半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性および再現性が優れるとともに、歩留まりが高く生産性が優れた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極を覆って基板上に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第２の絶縁膜を形成して、第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜からなる積層体を得る工程と、積層体の第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜をパターニングして、それぞれゲート絶縁層、活性層およびチャネル保護層を形成する工程と、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程とを有する。第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜は、大気に曝されることなく連続して形成される。 （もっと読む）

【課題】オーミックコンタクト層の膜厚やドライエッチング時のエッチングレートに依存せず所望のエッチングが可能となる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に、ゲート電極と、ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、半導体層と、オーミックコンタクト層と、ソース・ドレイン電極と、を備える薄膜トランジスタの製造方法であって、絶縁性基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、オーミックコンタクト層と、ソース・ドレイン電極と、がこの順に積層される積層ステップと、積層ステップによって積層されたソース・ドレイン電極とオーミックコンタクト層とがエッチングガスでエッチングされるエッチングステップと、オーミックコンタクト層がエッチングされてゲート絶縁膜が露出し始める点をエッチング終了ポイントとして検知するエッチング終了検知ステップと、を備える薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡便に界面の欠陥を低減することを可能とする。
【解決手段】大気と遮断された真空成膜室内で、基板上に酸素不定比性のある酸化物を含有する第１層を成膜する第１成膜工程と、前記第１層上に前記第１層と同一材料又は異なる材料からなる第２層を成膜する第２成膜工程と、前記第１成膜工程後前記第２成膜工程前までの間、前記第１層を、前記真空成膜室を含む大気と遮断された室内で、前記第１成膜工程における前記真空成膜室内の酸素分圧よりも高い酸素分圧下に保持する分圧制御工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第２の絶縁膜中に酸素原子を供給し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを製造する際に熱処理による電気特性のバラツキが抑制され、特に大面積のデバイスの作製に適した薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、酸化物半導体層１２と、ソース電極１３と、ドレイン電極１４と、ゲート絶縁膜１５と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを製造する方法であって、隣接する層の組成が異なる３層以上の積層構造を有し、かつ、ゲート電極に最も近い側に配置された層１２Ｃとゲート電極から最も遠い側に配置された層１２Ａとの間に、ゲート電極に最も近い側に配置された層及びゲート電極から最も遠い側に配置された層よりも比抵抗が小さい低抵抗層１２Ｃが少なくとも１層存在する酸化物半導体層を形成する工程と、前記酸化物半導体層を形成した後、熱処理する工程と、を含む薄膜トランジスタ１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第１の絶縁膜に酸素原子を供給し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】製造効率が良く、かつ、光リーク電流の発生が抑制されたＴＦＴを提供する。
【解決手段】ＴＦＴ１０１は、ゲート電極２が、基板１側から見て、第１の金属遮光膜Ａと絶縁膜Ｂと第１の金属遮光膜Ａよりも形成面積の小さい第２の金属遮光膜Ｃとの積層構造を有し、第１の金属遮光膜Ａと第２の金属遮光膜Ｃのうち一方がゲート回路に電気的に接続され、他方がゲート回路から絶縁された構造を有するものであり、第１の金属遮光膜Ａは、半導体積層膜１０の形成領域を含む領域に形成されており、チャネル層８において、少なくともソース電極１１とドレイン電極１２との間の領域１３は、第１の金属遮光膜Ａと第２の金属遮光膜Ｃのうちゲート回路に電気的に接続された金属遮光膜と近接し、チャネル層８の両端部は、ゲート回路から絶縁された金属遮光膜と近接するよう、第１の金属遮光膜Ａ及び第２の金属遮光膜Ｃが形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】ＤＣスパッタリング法を用いて、酸化ガリウム膜を成膜する成膜方法を提供することを課題の一つとする。トランジスタのゲート絶縁層などの絶縁層として、酸化ガリウム膜を用いる半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化ガリウム（ＧａＯｘとも表記する）からなる酸化物ターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング法、またはＤＣパルススパッタ方式により絶縁膜を形成する。酸化物ターゲットは、ＧａＯｘからなり、Ｘが１．５未満、好ましくは０．０１以上０．５以下、さらに好ましくは０．１以上０．２以下とする。この酸化物ターゲットは導電性を有し、酸素ガス雰囲気下、或いは、酸素ガスとアルゴンなどの希ガスとの混合雰囲気下でスパッタリングを行う。 （もっと読む）