【課題】 可撓性を有するアクティブマトリクス型表示装置を実現する方法を提供することを課題とする。また、異なる層に形成された配線間の寄生容量を低減する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 第１の基板上に形成された薄膜デバイスと第２の基板とを接着して固定した後、第１の基板を取り除いて薄膜デバイスに配線等を形成する。その後、第２の基板も取り除き、可撓性を有するアクティブマトリクス型表示装置を形成する。また、第１の基板を取り除いた後、配線を活性層のゲート電極が形成されていない側に形成することにより、寄生容量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタの作製工程において、ゲート電極を形成後、インライン装置にて、酸化アルミニウム膜と酸化シリコン膜と酸化物半導体膜を大気暴露することなく連続的に形成し、さらに同インライン装置にて加熱および酸素添加処理を行い、他の酸化アルミニウム膜でトランジスタを覆った後、熱処理を行うことで、水素原子を含む不純物が除去され、且つ、化学量論比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体膜を形成する。該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ）試験前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減されており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いた半導体装置であるトランジスタにおいて、酸化物半導体膜から水素を捕縛する膜（水素捕縛膜）、および水素を拡散する膜（水素透過膜）を有し、加熱処理によって酸化物半導体膜から水素透過膜を介して水素捕縛膜へ水素を移動させる。具体的には、酸化物半導体膜を用いたトランジスタの下地膜または保護膜を、水素捕縛膜と水素透過膜との積層構造とする。このとき、水素透過膜を酸化物半導体膜と接する側に、水素捕縛膜をゲート電極と接する側に、それぞれ形成する。その後、加熱処理を行うことで酸化物半導体膜から脱離した水素を、水素透過膜を介して水素捕縛膜へ移動させることができる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく
作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層、ソース領域及びドレイン領域を酸化物半
導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層
の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のため
の加熱処理）を行う。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、少なくとも酸化物半導体膜中に希ガスイオンを注入する注入工程を行い、減圧下、窒素雰囲気下、又は希ガス雰囲気下において、希ガスイオンを注入した酸化物半導体膜に加熱工程を行って希ガスイオンを注入した酸化物半導体膜中に含まれる水素若しくは水を放出させ、酸化物半導体膜を高純度化する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた、高信頼性で且つ低コストで製造できる薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、表示装置を提供する。
【解決手段】
薄膜トランジスタアレイ基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の水素拡散防止膜と、前記第１の水素拡散防止膜上に形成された、酸化物半導体層を有する複数の薄膜トランジスタと、を備え、前記第１の酸化物拡散防止膜が前記薄膜トランジスタの前記酸化物半導体層とほぼ同一の組成からなる。 （もっと読む）

【課題】安定したボディ固定動作と共に、高集積化、低寄生容量化や配線容量の低減化を図ることができる、ＳＯＩ基板上に形成される半導体装置を得る。
【解決手段】ソース領域１，ドレイン領域２及びゲート電極３で形成されるＭＯＳトランジスタにおいて、ゲート一端領域及びゲート他端領域に部分分離領域１１ａ及び１１ｂが形成され、部分分離領域１１ａに隣接してタップ領域２１ａが形成され、部分分離領域１１ｂに隣接してタップ領域２１ｂが形成される。部分分離領域１１ａ，１１ｂ、タップ領域２１ａ，２１ｂ及び活性領域１，２の周辺領域は全て完全分離領域１０が形成される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を活性層に用いるトランジスタにおいて、チャネル領域と隣接するソース領域およびドレイン領域に微小な空洞を設ける。酸化物半導体膜に形成されるソース領域およびドレイン領域に微小な空洞を設けることによって、微小な空洞に酸化物半導体膜のチャネル領域に含まれる水素を捕獲させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施例は非晶質酸化物薄膜トランジスタ及びその製造方法、ディスプレイパネルを開示する。
【解決手段】前記非晶質酸化物薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体活性層、ソース電極及びドレイン電極を含む。前記半導体活性層はチャネル層とオーミック接触層を含み、前記チャネル層は前記オーミック接触層に比べ酸素含有量が高い。また、前記チャネル層は前記ゲート絶縁層と接し、前記オーミック接触層は二つの独立したオーミック接触領域に分けられ、かつ前記二つの独立したオーミック接触領域はそれぞれ前記ソース電極、ドレイン電極と接する。 （もっと読む）

【課題】テトラエトキシシラン等のシラン系有機材料を用いたプラズマＣＶＤ法によりシリケートガラスを形成した場合でも、シリケートガラスから半導体層へのフッ素の侵入を防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の製造方法において、ゲート電極３ｃの形成工程、低濃度不純物導入工程、および高濃度不純物導入工程を行った後、シランガス等のシラン系無機原料を用いたＣＶＤ法により第１絶縁膜４１１を形成する。次に、第１アニール工程において第１絶縁膜４１１をアニールした後、テトラエトキシシラン等のシラン系有機原料を用いたプラズマＣＶＤ法によりシリケートガラスからなる第２絶縁膜４１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行い、その後、酸化物半導体膜及び酸化物半導体膜上に設けられた酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、化学量論的組成比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体膜を形成する。該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減されており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】素子基板に絶縁膜を成膜した際にフッ素が混入しても、電界効果型トランジスターに特性異常が発生することを防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】素子基板１０にシリコン酸化膜からなる絶縁膜１２を成膜する第１絶縁膜成膜工程の後、画素トランジスター３０（電界効果型トランジスター）の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程を行う。また、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４１を形成する第２絶縁膜成膜工程の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程を行う。このため、絶縁膜１２や層間絶縁膜４１にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、水素と結合してフッ化水素として放出される。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に形成されるヴィアホールの直径を縮小化することが可能で、高密度化に寄与することのできる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、基板１０上に第１導電体を形成する第１導電体形成工程と、第１導電体を被覆する様にゲート絶縁膜２１を成膜する第１絶縁膜成膜工程と、第１導電体上のゲート絶縁膜２１に貫通孔３２を開口して、当該貫通孔３２を介して第１導電体の表面および基板の表面を部分的に露出させる貫通孔形成工程と、貫通孔３２内に露出する第１導電体の表面を撥液化させる撥液化工程と、貫通孔３２内に露出する第１導電体以外の領域に第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に形成されるヴィアホールの直径を縮小化することが可能で、高密度化に寄与することのできる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、基板１０上に第１導電体を形成する第１導電体形成工程と、第１導電体を被覆する様にゲート絶縁膜２１を成膜する第１絶縁膜成膜工程と、第１導電体上のゲート絶縁膜２１に貫通孔３２を開口して、当該貫通孔３２を介して第１導電体の表面および基板の表面を部分的に露出させる貫通孔形成工程と、貫通孔３２内に露出する第１導電体の表面を撥液化させる撥液化工程と、貫通孔３２内に露出する第１導電体以外の領域に第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧変動が少なく信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体層に接して、加熱により酸素の放出が可能な絶縁膜を形成し、ゲート電極又はゲート電極と重なる領域に形成された金属層に光照射を行うことで、ゲート電極と重なる領域の酸化物半導体層中に酸素を添加する。これによりゲート電極と重なる領域の酸化物半導体層中に存在する酸素欠損や界面準位を低減することで、課題を達成できる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのサイズを縮小しつつ、良好なスイッチング特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】一対の第１の突起と、一対の第１の突起の間に設けられる第２の突起とを有するゲート電極と、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接して、且つ一対の第１の突起および第２の突起に重畳する半導体膜と、半導体膜と接して、且つ一対の第１の突起と重畳する一対の電極と、を有し、半導体膜の側端は、半導体膜のチャネル幅方向において、一対の第１の突起の頂面より外側であり、一対の電極の側端は、半導体膜のチャネル幅方向において、一対の第１の突起の頂面より外側である半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】微細化が容易で、短チャネル効果が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタのチャネル長方向の断面形状において、アスペクト比の大きいゲート電極上に半導体層を形成することで、トランジスタを微細化しても短チャネル効果が生じにくいチャネル長を確保できる。また、半導体層と重畳し、ゲート電極より下層に絶縁層を介して下部電極を設ける。下部電極と重畳する半導体層は、下部電極の電位（電界）により導電型が付与され、ソース領域及びドレイン領域が形成される。半導体層の、ゲート絶縁層を介してゲート電極と対向する領域は、ゲート電極がシールドとして機能し、下部電極の電界の影響を受けない。すなわち、不純物導入工程を用いることなく、自己整合によりチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を形成することができる。これにより、微細化が容易で、短チャネル効果が生じにくい半導体装置が実現できる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、電気的特性の良好なトランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に酸化物半導体膜及び絶縁膜を有し、酸化物半導体膜の端部は絶縁膜と接しており、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟んで形成されたドーパントを含む領域とを含み、酸化物半導体膜上に接して形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、サイドウォール絶縁膜を有するゲート電極と、サイドウォール絶縁膜、酸化物半導体膜、および絶縁膜に接して形成されたソース電極およびドレイン電極とを有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】低コストで、後工程にて形成される上層の塗布性に優れ、かつ高信頼性を示す電界効果型トランジスタなどの提供。
【解決手段】絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート絶縁層上に形成され、かつ、少なくとも前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層を被覆するように形成された保護層とを有し、前記保護層が、フッ素樹脂を含有し、前記保護層形成後の前記保護層の水に対する接触角が、７５°以上９０°以下である電界効果型トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】駆動用トランジスタと、スイッチング用トランジスタを有する発光装置において、トランジスタのばらつきを低減する。
【解決手段】駆動用トランジスタと、スイッチング用トランジスタを有する発光装置において、駆動用トランジスタのチャネル幅をチャネル長よりも小さくする。その際、ゲート配線と平行にアノード側電源線を設けて、フルカラー表示を行う。 （もっと読む）