【課題】ベースプレートの一方の面に複数の基板が載置され、他方の面に接するように冷媒流路が設けられた構成に関して、全ての基板のスイッチング素子を適切に冷却することができる構成を備えた半導体モジュールを提供する。
【解決手段】冷媒流路７内に平行な冷媒の流れを形成する平行流形成手段８を備え、各基板３は、スイッチング素子４とダイオード素子５とが冷媒の流れ方向Ｄに対する直交方向Ｃに並べて配置され、一対の下アーム用スイッチング素子４Ａ及び上アーム用スイッチング素子４Ｂのいずれか一方をそれぞれ備えた一対の基板３を一組とし、複数組が直交方向Ｃに並べて配置されるとともに、各組を構成する一対の基板３が冷媒の流れ方向Ｄに直列に配置され、一方の基板３では直交方向Ｃの一方側にスイッチング素子４が配置され、他方の基板では直交方向Ｃの一方側にダイオード素子５が配置される。 （もっと読む）

【課題】複数の基板のそれぞれのスイッチング素子とダイオード素子とが冷媒の流れ方向に直列に配置される構成に関して、全ての基板のスイッチング素子を適切に冷却することができる構成を備えた半導体モジュールを提供する。
【解決手段】冷媒流路７内に所定方向の平行な冷媒の流れを形成する平行流形成手段８を備え、各基板３は、スイッチング素子４とダイオード素子５とが冷媒の流れ方向Ｄに直列に配置されるとともに、スイッチング素子４と接続端子領域６とが冷媒の流れ方向Ｄに対する直交方向Ｃに位置を異ならせて配置され、一対の基板３が冷媒の流れ方向Ｄに直列に配置されるとともに、一方の基板３では直交方向Ｃの一方側にスイッチング素子４が配置され、他方の基板３では直交方向Ｃの一方側に接続端子領域６が配置される。 （もっと読む）

【課題】一対の基板のそれぞれが備えるスイッチング素子の熱によるベースプレート上での熱干渉を抑制し、全ての基板のスイッチング素子を適切に冷却することができる構成を備えた半導体モジュールを提供する。
【解決手段】冷媒流路７内に平行な冷媒の流れを形成する平行流形成手段８を備え、各基板３は、スイッチング素子４とダイオード素子５とが冷媒の流れ方向Ｄに対する直交方向Ｃに並べて配置されるとともに、スイッチング素子４と接続端子領域６とが冷媒の流れ方向Ｄに位置を異ならせて配置され、一対の基板３が流れ方向Ｄに直列に配置されるとともに、一方の基板３では直交方向Ｃの一方側にスイッチング素子４が配置され、他方の基板３では直交方向Ｃの一方側にダイオード素子５が配置され、少なくとも一方の基板３の接続端子領域６が当該基板３のスイッチング素子４よりも他方の基板３側に配置される。 （もっと読む）

【課題】限られた空間に配設でき熱交換能力に優れる熱電モジュール、および、限られた空間に配設でき熱交換能力に優れる熱電モジュールを備える光送信装置を提供すること。
【解決手段】熱電モジュール２の第１絶縁基板２１を、基板本体部と基板本体部に連続し基板本体部と交差する方向に延びる凸部２１１とで構成し、基板本体部の第１対向面には熱電変換素子２４に接続する電極２３を形成し、凸部には第１の対向面２１ａと交差する方向に延びる固定面２１ｂを設ける。あるいは、熱電モジュールの第１絶縁基板に第１対向面と、第１の対向面と交差する方向に延びる固定面とを設け、第１対向面には熱電変換素子に接続する電極を形成し、電極と外部電源とを電気的に接続する導通回路の一部を第１絶縁基板の内部に形成する。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体モジュールを対象に、従来の工法に比べて簡単，かつ短時間で半田接合する部材の表面に間隔保持用の突起を形成し、部材相互間を均一な厚さでリフロー半田接合できるように工法を改良した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１の銅箔回路パターン１ｂに半導体チップ２を重ねて半田接合したモジュールを対象に、前記銅箔回路パターン１ｂの接合面域内にレーザ光を照射してその表面複数箇所に半田接合層の層厚に対応する凹凸状のクレータ（レーザ加工痕）を分散形成した上で、その接合面域にクリーム半田ないし板半田を挟んで絶縁基板に半導体チップを重ね合わせ、半田リフロー工程を経て絶縁基板／半導体チップの間を接合する。 （もっと読む）

【課題】電極端子と外部導体の接触面の面積を大きくすることなく、小型化が可能な半導体装置および半導体装置の冷却方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明の半導体装置６００は、半導体チップ６０１と、半導体チップ６０１が実装されるチップ実装金属電極６０３と、外部バスバー６１７と接続される電極端子６０７とを備えるパワーモジュール６１６、半導体チップ６０１を冷却するためのヒートシンク６０５およびパワーモジュール６１６とヒートシンク６０５を絶縁する絶縁シート６０４を有する。電極端子６０７は、パワーモジュール６１６の側面で外部バスバー６１７と接続される端子接続部６１３と、半導体チップ６０１またはチップ実装金属電極６０３と接続される通電用電極部分６０９と、絶縁シート６０４と接触する電極端子冷却部６０８とを備える。 （もっと読む）

【課題】電子機器の設計および取り付け作業が極めて簡単で、発熱体の熱が外部に伝達し過ぎない放熱構造体を提供する。
【解決手段】本放熱構造体は、出力が２Ｗ以下の発熱体１１と、発熱体１１を固定する基板１２と、熱拡散フィルム１３と、熱拡散フィルム１３を発熱体１１に対向させて支持する支持体１４とを備え、熱拡散フィルム１３は、面方向の熱伝導率が５００Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1以上で厚さ方向の熱伝導率が３０Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1以下である厚さが１００μｍ以下のグラファイトフィルム１５を含み、発熱体１１と熱拡散フィルム１３とは、非接触であり、その距離が０．３ｍｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、電気的又は電子的な構成素子又は回路のためのクーリングボックス（１）であって、該クーリングボックス（１）が、材料からなり、非電気伝導性又は略非電気伝導性であり、ワンピース又はマルチピースに構成されており、かつ前記材料により包囲される中空室（４）を備え、該中空室（４）が閉鎖されているか、又は少なくとも１つの開口（２）を備える形式のものに関する。熱導出を改善するために、該クーリングボックス（１）の少なくとも１つの表面領域が電気伝導性かつ／又は熱伝導性の機能により規定されているようにした。
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【課題】簡単な構造及び製造方法によって効率よく放熱することができるＣＯＦとその製造方法を提供することができる。
【解決手段】デバイスホールを有しないフレキシブル基板１の一主面上に形成され、インナーリード配線上に半導体チップ４が搭載されたＣＯＦ１００の半導体装置において、 フレキシブル基板１の半導体チップ４搭載側とは反対側の第２の主面上の半導体チップ４に対応する位置に第１の樹脂層６を形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールと放熱板との間および放熱板と冷却部材との間の熱抵抗を低く抑制し本来の性能を安定的に発揮する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子が樹脂封止され貫通孔が設けられた複数の半導体モジュール３と、半導体モジュール３の上面に配設される板状バネ４と、板状バネ４上面に配設される補強梁５と、半導体モジュール３の下面に半導体モジュール３の下面の大きさより大きく形成され配設される放熱板２と、半導体モジュール３を補強梁５側から補強梁５および板状バネ４を介して半導体モジュール３の貫通孔に挿入して放熱板２に固定する第１固定具６と、放熱板２の半導体モジュール３が配設されている面上に半導体モジュール３が配設されている外周を囲むように配設され固定されたフレーム部７とを備える。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子および絶縁基板のはんだ接合不均一を解決し、さらにはパワー半導体素子の放熱不均一をも解決することができるパワー半導体モジュール、および該モジュールを搭載したパワー半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係るパワー半導体モジュールは、放熱フィン４と周壁部５が一体成形されてフィン付ベースプレート２を構成し、放熱フィン４の突出量が周壁部５の突出量以下であり、周壁部５の周壁端面が同一平面となっている。また、本発明に係るパワー半導体デバイス１０は、上記パワー半導体モジュールと冷却ジャケット１１とで冷却媒体の流路を形成し、給水口１２と排水口１３が流路の隅部対角位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板の厚さ方向において高い熱伝導性を実現し、半導体の高機能化、高密度化や小形化による発熱量や発熱密度の増大に対しても十分な対応できる優れた放熱性が得られる放熱基板を提供する。
【解決手段】上下両面を露出させた状態で絶縁材２１、２２中に埋設され、それぞれが電気的に独立した少なくとも１個以上の金属放熱体１１を備え、金属放熱体１１の上面は下面より面積的に小さく形成されている。そして、金属放熱体１１の上面に発熱素子１０が搭載され、絶縁材２１の上面に発熱素子以外の電子部品１３が搭載される。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導率を有するとともに、シリコン又は化合物半導体と同程度の小さな熱膨張率を有し、熱履歴が実質的にない高熱伝導・低熱膨張複合材を提供する。
【解決手段】多孔質黒鉛化押出成形体に金属が含浸した高熱伝導・低熱膨張複合材は、前記金属が11〜14質量％の珪素、残部がアルミニウム及び不可避不純物からなるアルミニウム合金であり、その金属組織中に析出した珪素（Si）リッチ相のうち、長径が30μｍ以下でアスペクト比（長径／短径）が10以上の針状組織の割合（顕微鏡写真における面積率）が10％以下であり、当該複合材は熱伝導率及び熱膨張率に異方性を有し、押出方向の熱伝導率が250 W/mK以上で熱膨張率が４×10^-6／K未満であり、前記押出方向と直交する方向の熱伝導率が150 W/mK以上で熱膨張率が10×10^-6／K以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一定の厚みの放熱シートを用いることで放熱性能にむらや放熱シートの取り違えをなくすとともに、高価な材料からなる基板を用いずにコストを抑えることができる電子機器を得る。
【解決手段】電気機器１は、電気部品１２が基板に固定され、放熱シート５が電気部品１２と接し、基板に固定されている電気部品１１と接しているものと同じ厚さを有し、電気部品１２から発生する熱を伝導し、基板支持金具４が放熱シート５に伝導された熱を金属製シャーシ３に伝導する。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクのほこりの除去が容易な電子機器を提供する。
【解決手段】ポータブルコンピュータは、本体部筐体と、本体部筐体内に実装されるＣＰＵと、ＣＰＵに熱的接続されたヒートパイプと、ヒートパイプに熱的接続された第１のヒートシンク６０と、ファンユニット４０と、第２のヒートシンク７０とを有する。第１のヒートシンク６０は、所定の間隔で整列した複数のフィン６１と、このフィン６１を支持して通風孔を備えた箱状の支持部材６３とを有する。第２のヒートシンク７０は、フィン６１間に挿入されるフィン間挿入部７４を有する。 （もっと読む）

【課題】従来、熱伝導基板に発熱部品３は、直接取り付けられていため、その床面積が広くなったり、その上に、プリント配線板８を取り付けた場合、熱がこもりやすくなるという課題を有していた。
【解決手段】金属板１１上に、シート状の伝熱層１２と、前記伝熱層１２に固定したリードフレーム１３とからなる熱伝導基板において、前記リードフレーム１３の一部を熱伝導基板の外周部で略垂直に折り曲げ、ここに発熱部品１５（例えば、その金属部２０側をリードフレーム１３側に、そのリード線２１側をプリント配線板２４側に）を実装することで、熱伝導基板の放熱効果を高め、その床面積を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性が高く、ピッチ系炭素短繊維が高充填された炭素繊維複合材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】構造と形状が適切に制御されたピッチ系炭素短繊維フィラーを樹脂マトリクスに高濃度で分散させることで、熱伝導率の高い炭素繊維複合体を作製する。また、それらを用いた電子部品、電波遮蔽体を提供する。 （もっと読む）

【課題】 高い放熱性を有する半導体装置とその製造方法を提供することができる。また、上記の高熱伝導性を有する半導体装置を構成するのに適しており、電気絶縁性が高く、かつシート面に垂直な方向に熱伝導性の高い接着シートを提供する。
【解決手段】 表面に電気絶縁膜を有する異方形状の金属粒子が樹脂中に分散している接着剤を有する接着シートであって、金属粒子の長手方向が、接着シート面と垂直な方向に配向していることを特徴とする接着シート。また、異方形状の磁性金属粒子の長手方向を磁場により接着シート面と垂直な方向に配向させる工程を含む製造方法で接着シートを製造する。 （もっと読む）

【課題】 電気絶縁性および熱伝導性が高く、配線基板などに塗布しやすい接着剤やその接着剤が塗布された接着シートを提供し、高い放熱性を有する半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 表面に電気絶縁膜を有する金属粒子が樹脂中に分散している接着剤であって、粘度が５０Ｐａ・ｓｅｃ以上２００Ｐａ・ｓｅｃ以下とする。さらに、半導体素子と配線基板とヒートシンクとを備える半導体装置において、本発明の接着剤または接着シートを用いて、配線基板とヒートシンクを接着することができる。 （もっと読む）

【課題】従来、電極体をファインパターン化（電極体の配線幅や配線隙間を小さくすること）するには、電極体の薄層化が必要であるため、電極体を介した放熱効果が低下し、配線抵抗が増加するという課題を有していた。
【解決手段】電極体１１を結合層１２を介して複数枚を積層し一体化し、積層電極体１３とし、これを金属板１５上の伝熱層１４に埋め込むことで、積層電極体１３をファインパターン化しても変形しにくくでき、更に積層によって肉厚化した電極体厚み１５ａによっても放熱効果を得られるため、ファインパターン化に対応できる熱伝導基板とその製造方法及び回路モジュールを提供する。 （もっと読む）