【課題】放熱性能を維持しつつ、放熱装置の変形を防止または抑制する。
【解決手段】一方面側に半導体素子を配置可能な絶縁基板の他方面側に、天板２２と、底板２４との間に、放熱フィン２６を挟み接合させる放熱器２０を備える。放熱フィン２６は、底板２４と接合する接合頂部２５ａ，２５ｂを含み、天板２２と底板２４との間隔にほぼ等しい振幅方向高さｈ_１を有する第１の部分２６ａ，２６ｄと、底板２４と所定の間隙ｄを有する非接合頂部２７ａ，２７ｂを含み、天板２２と底板２４との間隔よりも小さい振幅方向高さｈ_２を有する第２の部分２６ｂ，２６ｃと、を含むコルゲートフィンである。 （もっと読む）

本発明は、第１接合部品（２）および少なくとも１つの第２接合部品（３）を含む電気および電子複合構成部材（１）に関する。本発明によれば、第１接合部品（２）と第２接合部品（３）の間に開放多孔性の焼結成形体（６，７）が収容されており、該焼結成形体（６，７）は、焼結ペーストによって、第１接合部品および第２接合部品（２，３）と焼結されている。本発明はさらに、その製造方法に関する。
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【課題】この発明は、簡単な構成を確保したうえで、放熱効率の向上を図り得るようにして、高効率な熱制御を実現することにある。
【解決手段】一方面に発熱デバイス１４を含む印刷配線基板１３が搭載される放熱器１０の搭載ベース１１の他方面における少なくとも発熱デバイス１４に対向する領域に、突起部１１１を突設すると共に、この突起部１１１を含む他方面上に複数の放熱フィン１２を所定の間隔に併設して構成したものである。 （もっと読む）

【課題】板厚方向に対する熱伝導性を向上させることのできる放熱板、多層放熱板、及び放熱板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る放熱板１は、コア面と、コア面の法線方向に沿った方向に孔軸１５ａを向けた孔１５とを有するコア１０と、コア面に接合すると共に孔１０内を充填する伝熱板とを備える。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導基板の表面に絶縁層を形成することで導電性および放熱性に優れた放熱材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】高熱伝導基板と、少なくともその一面の表面に形成された窒化硼素層から構成され、前記窒化硼素層は、それを構成する窒化硼素化合物の硼素と窒素の六員環結合面が前記高熱伝導基板面と平行である配向性窒化硼素膜を含むことを特徴とする放熱材料に関する。 （もっと読む）

【課題】電子部品等から発生した熱を効率良く放散させることができるとともに、高い熱サイクル信頼性を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板１１の一方の面に回路層１２が形成され、他方の面に金属層１３が形成されたパワーモジュール用基板１０と、金属層１３側に接合されるヒートシンク４と、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板であって、金属層１３とヒートシンク４との間には、炭素質部材中にアルミニウム又はアルミニウム合金が充填されたアルミニウム基複合材料からなる緩衝層３０が設けられ、この緩衝層３０の熱膨張係数Ｋが、絶縁基板１１の熱膨張係数Ｋｃ及びヒートシンク４の熱膨張係数Ｋｔに対して、Ｋｃ＜Ｋ＜Ｋｔの関係とされており、緩衝層３０のうちヒートシンク４側にはアルミニウム又はアルミニウム合金からなるスキン層３１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール１に冷媒式のヒートシンク５を接合する場合に、パワーモジュール１中の絶縁基板３（セラミック基板３ａ）の反りを防止すると共に、冷却面として用いるヒートシンク底板７の反りを防止する。
【解決手段】パワーモジュール１は、放熱基板２と、その上の絶縁基板３と、その上に実装されるパワーデバイス４とを含んで構成される。ヒートシンク５は、天板６と、底板７と、これらの間に差し渡される放熱フィン（コルゲートフィン）８とを備える。ここにおいて、底板７と放熱フィン８との間に結合部Ｘと非結合部Ｙとを設け、非結合部Ｙ（補強板７ｂの貫通穴１１）を平面視でパワーモジュール１と重複するように位置させる。また、コルゲートフィン８の波の連続方向にスリット１２を設け、このスリット１２も平面視でパワーモジュール１と重複するように位置させる。 （もっと読む）

【課題】 電子回路チップの発熱について、主回路基板側へ熱伝導を良好に行えて発熱密度の増大に対応でき、放熱を効率よく確実に行える電子回路装置を提供すること
【解決手段】 集積回路などの半導体素子からなる電子回路チップ１をベース基板２に搭載し、ベース基板２にはケース部材３を覆い被せて装着し、所定の機能性素子として働くモジュールに構成する。電子回路チップ１とケース部材３との間に熱伝導部材４を設け、ケース部材３を放熱体にする。ケース部材３は取り合いを調整し、ベース基板２を主回路基板５上に搭載した際に、その周縁端部を主回路基板５表面の導体パターン６と接触させ、主回路基板５側と熱伝導の連係を行う。そして、ケース部材３の周縁端に、はんだフィレット７を設けて熱伝導の連係を行う連係部材とする。電子回路チップ１の表裏両面について熱伝導の経路を形成でき、何れの経路でも発熱を主回路基板５へ伝導できる。 （もっと読む）

【目的】半田付け工程において、半田が外部に飛散するのを防止でき設計の自由度が向上できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】放熱ベース１に乗せるペースト半田を島状半田３にして、島と島の間に隙間を形成して通路４とし、この通路４を溶融した半田に含まれるフラックスが気化してガスとなった場合の通り道とする。外部と繋がる通路４の長さＫを短くし、通路４の幅Ｅ１を広げることで、フラックスのガスや気泡を外部に放散し易くする。その結果、半田の飛散を防止することができる。また、通路４上に半導体チップをはいすることができて、設計の自由度が向上する。 （もっと読む）

【課題】個々にサイズや発熱量が異なる電子部品が実装された半導体装置であっても、それぞれを所定の温度以下にすることができ、所定の機能を果たすことのできる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ポリイミド基板と、前記ポリイミド基板の表面に形成された配線パターンと、前記配線パターンのインナーリードに接合された電子部品と、を備えてなるとともに、前記配線パターンのリード部分を除く表面に絶縁保護膜が被覆されてなる半導体装置であって、前記絶縁保護膜の表面に、厚さ,面積,および金属の種類のいずれかを調整することで電子部品の実測表面温度を想定表面温度に下げることのできる金属層からなる放熱手段を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体チップを高温動作させても、主配線電極の温度上昇を抑制することができ、外部回路機器への熱的な影響を低減できるパワー半導体装置を提供するものである。
【解決手段】放熱板８を、半導体チップ１が接合される放熱部８ａと、主配線電極３，４が接合される放熱部８ｂとに分離して構成する。放熱部８ａと放熱部８ｂは、耐熱樹脂９を介して互いの側面が対向するように接合する。半導体チップ１から発生する熱が、放熱部８ａから放熱部８ｂに伝達するのを防止できるので、主配線電極３,４の温度上昇を抑えることができる。また、主配線電極３，４の一部に備えられた放熱部８ｄに対応した主配線電極用冷却器１１ｃを備える。主配線電極に伝達した熱を主配線電極用冷却器を介して放熱することができる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性と熱伝導性に加えて、電気的絶縁性も具えることによって、室温付近（絶対温度〜３００Ｋ）のみならず、２００〜７００Ｋの広い温度範囲で、電子デバイスを絶縁保護しながら機能させるための熱伝導性プレート部品を提供する。
【解決手段】人工ダイヤモンド層２と結晶珪素を含む基材３とが積層された積層構造を有してなる熱伝導性プレート部品１。また、前記人工ダイヤモンド層２及び基材３の厚さｔ１，ｔ２が夫々２０μｍ以上であって、かつプレートの反りが１０μｍ/ｍｍ以下である熱伝導性プレート部品１。 （もっと読む）

【課題】回路基板に接合された半導体素子上にヒートマスが接合されたままの状態で、Ｘ線による半田接続状態の検査を行うことのできる半導体装置の提供にある。
【解決手段】半導体素子１２と、半導体素子１２を載置して接合させる回路基板１１と、半導体素子１２上に半田で接合されるヒートマス１７とを備えた半導体装置１０において、ヒートマス１７の半導体素子１２と接合する側は、半導体素子１２と半田Ｈで接合される複数の突出部１９ａと、接合されない複数の非突出部１９ｂとを有し、ヒートマス１７の半導体素子１２と接合する側の反対側に、ヒートマス１７の突出部１９ａと非突出部１９ｂにおけるそれぞれの厚さ方向の距離ｄ４、ｄ５が同じとなるように突出部１９ａに対応して凹部２０が形成されている。
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【課題】 フレキシブルで、実装した電子部品の放熱を良好に行うことができるフレキシブルプリント配線基材及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁基材１１と、この絶縁基材１１の一方面に形成された導電体層をパターニングした導電体パターンを含む配線パターン１２とを具備するフレキシブルプリント配線基材１０であって、前記絶縁基材１１の他方面に設けられた金属材料からなる放熱層１４を具備し、前記絶縁基材１１及び前記配線パターン１２を貫通して設けられて前記放熱層１４の上に電子部品３０を実装可能とした貫通部１５を具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い熱伝導率を有し、発熱源表面に存在する微小な凹凸の隙間に、隙間なく侵入するようにして接触することが可能な放熱材料及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る放熱構造の製造方法は、ＳiＣ基板、又は少なくとも一の表面がＳiＣ層である基板に電流を流し、該電流を流したときに発生するジュール熱によってＳiＣを加熱し、基板のＳiＣ表面にＳiＣウィスカー層を形成することを特徴とする。また、前記基板の比抵抗が１×１０^-1Ωｃｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱放射性および熱伝導性に優れ、基板上に形成するLED素子等の光源素子や半導体素子の温度上昇を抑制でき、熱に対する安定性を高めることが出来る高放熱炭素材料を提供する。
【解決手段】黒鉛結晶を含む炭素中に金属が分散された複合材料からなる高放熱炭素材料であって、炭素の含有率が７０〜９０体積％であり、熱放射率が０．５以上、熱伝導率が２００Ｗ／（Ｋ・ｍ）以上であることを特徴とする特徴とする高放熱炭素材料。前記複合材料中の炭素に占める黒鉛結晶の割合が５０〜７０体積％であって、黒鉛結晶の平均面間隔ｄ００２が０．３３８ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】冷却効率の高い電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の電子機器は、発熱源となる電子デバイス（１０）と、低熱膨張で高熱伝導の基部（２１）と基部上に設けられ電子デバイスがハンダ接合される配線層を有する配線部（２２）と基部上で配線部の反対面側に設けられ基部を通過した電子デバイスからの発熱を放熱する放熱部（２３）とからなる基板（２０）と、基板を保持する筐体（３０）と、からなる電子機器であって、さらに、前記基板の放熱部に冷媒を直接導く冷媒誘導体（４０）を有することを特徴とする。冷媒が基板の放熱部へ直接誘導されるので、高い冷却効率が得られる。 （もっと読む）

【課題】水を含んだ冷却液による腐食を防止しうるヒートシンクを提供する。
【解決手段】ヒートシンク１は、第１面2aが冷却液通路に臨まされるとともに、第２面2bが発熱体取付面となされる放熱基板２と、放熱基板２の第１面2aに、鍛造により相互に間隔をおくように一体に形成された複数のピン状放熱フィン３とよりなる。放熱フィン３は先端に向かって細くなった円すい状である。放熱基板２の第１面2aおよび全放熱フィン３の表面を犠牲腐食層５で覆う。放熱フィン３の外周面の勾配Ｓを３％以上とし、放熱フィン３の高さＨを放熱フィン３の基端部の直径Ｄの２〜１０倍とする。放熱基板２の第１面2aと各放熱フィン３の外周面との連接部に丸み６を形成するとともに、丸み６の曲率半径Ｒを放熱基板２の板厚Ｔの１／２以上とする。 （もっと読む）

【課題】線膨張係数が相違する部材間の熱応力を緩和する。
【解決手段】第１の部材２２と、第２の部材２４との間に、接合部材２６を挟み接合させる接合構造を備える。第２の部材２４は、第１の部材２２よりも線膨張係数が大きく、接合部材２６は、第２の部材２４側から第１の部材２２側に向かって気孔率が大きくなるように形成された導電性多孔体２８の空隙部分３０にはんだを含浸させてなる。 （もっと読む）

【課題】回路構成の増大等による駆動回路を強化しなくてもパワー半導体素子の駆動能力が向上させられるようにし、パワー半導体素子の異常発熱を抑制できるようにする。
【解決手段】パワー半導体素子７で発した熱を放出するための放熱パターン１１、具体的には放熱パターン１１の一部で構成される受熱パターン１１ａの上に駆動トランジスタ４を配置することにより、パワー半導体素子７の発熱が駆動トランジスタ４に積極的に伝わるようにする。これにより、駆動トランジスタ４の駆動能力を向上させることが可能となり、パワー半導体素子７が半ＯＮ領域で駆動されることを回避することができる。したがって、回路構成の増大等による駆動回路を強化しなくてもパワー半導体素子７の駆動能力が向上させられ、パワー半導体素子７の異常発熱を抑制できる負荷駆動用半導体装置とすることが可能となる。 （もっと読む）