【課題】簡単に放熱体を形成することができ、放熱効率を高めることができるプリント基板を提供する。
【解決手段】電子部品１２を実装すべき基板ユニット４であって、板状の絶縁基材９と、該絶縁基材９の少なくとも一方の面上に形成され、前記電子部品１２とリード線１５を介して直接又は間接に接続された導体パターン１０とを有する基板ユニット４と、前記絶縁基材９の他方の面に重ね合わされた金属製の放熱板２と、前記電子部品１２と前記放熱板２とを熱的に接続する伝熱経路とを備え、前記伝熱経路は、該放熱板２と密着して固定され、前記電子部品１２と接着された金属製のピン３である。 （もっと読む）

【課題】従来の放熱基板は、熱伝導性を高めるために無機フィラの含有量を増加した場合、伝熱層の表面が粗化しやすく、ここに埋め込んだリードフレームや配線基板との密着性が低下し、電気絶縁性に影響を与える可能性があった。
【解決手段】金属板１０８と、この金属板１０８上に設けられたシート状の、結晶性エポキシ樹脂を含む伝熱層１０２と、この伝熱層１０２に固定された、配線基板１０４と、リードフレーム１０３と、を有する放熱基板１０１であって、伝熱層１０２における無機フィラ１２６の含有率が、６６Ｖｏｌ％以上、９０Ｖｏｌ％以下であって、配線基板１０４もしくはリードフレーム１０３に隣接して凹部１１０を有している放熱基板１０１とすることで、無機フィラ１２６の含有量を増加した場合でも、伝熱層１０２の表面１２３の粗化を防止し、高精度位置決めと、優れた電気絶縁性を有する放熱基板１０１とする。 （もっと読む）

【課題】従来の放熱基板は、熱伝導性を高めるために無機フィラの含有量を増加した場合、伝熱層の表面が粗化しやすく、ここに埋め込んだリードフレームや配線基板との密着性が低下し、電気絶縁性に影響を与える可能性があった。
【解決手段】金属板１０８と、この金属板１０８上に設けられたシート状の、結晶性エポキシ樹脂を含む伝熱層１０２と、この伝熱層１０２に固定された、配線基板１０４と、リードフレーム１０３と、を有する放熱基板１０１であって、伝熱層１０２における無機フィラ１２３の含有率が、６６ｖｏｌ％以上、９０ｖｏｌ％以下であって、前記伝熱層１０２の表面の算術平均粗さＲａが３０００Å以下もしくは最大高さＲｙが１５０００Å以下のいずれか１つ以上である放熱基板１０１とすることで、無機フィラ１２３の含有量を増加した場合でも、伝熱層１０２の表面１２０の粗化を防止し、優れた電気絶縁性を有する放熱基板１０１とする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系めっき鋼板を緩衝材の素材として用いたろう付け接合構造の放熱構造体において、特に熱衝撃に対する耐久性を向上させたものを提供する。
【解決手段】絶縁基板２と、アルミニウム系めっき鋼板３と、伝熱材４とをろう付け接合して半導体発熱部品を搭載するための放熱構造体を製造するに際し、
絶縁基板２のアルミニウム系金属層Ａとアルミニウム系めっき鋼板３の間、およびアルミニウム系めっき鋼板３と伝熱材４の間にそれぞれろう材５および６を介在させ、且つ、セラミックス板２１とアルミニウム系金属層Ａの界面露出部分７をろう材溶融金属と反応しない耐熱塗膜８で被覆した状態としてろう付けを行う、半導体発熱部品搭載用放熱構造体の製造法。 （もっと読む）

【課題】金属ベース板の反りや放熱フィンの変形（ビレ等の発生）が抑えられた加工方法でもって微細なピッチの放熱フィンを備えるフィン一体型基板を簡単な工程で作製することが可能なフィン一体型基板およびフィン一体型基板の製造方法を提供する。
【解決手段】金属回路板１５のセラミックス基板１０との接合が溶湯接合法によって行われ、金属ベース板２０の一部である被切削部への複数の放熱フィン２０ａの形成は、前記被切削部の放熱フィン２０ａを形成する面に引張応力を負荷させるように治具による固定を行い、引張応力が負荷された面上に複数枚の円盤型カッターを積層したマルチカッターを回転させながら移動させて複数の溝を形成する溝入れ加工により行なわれる。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増大を抑制でき、かつ、微細配線に対応可能な配線基板及びその製造方法並びに前記配線基板を有する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本配線基板は、積層された複数のセラミック層及び内部配線を備え、前記内部配線と電気的に接続された電極が一方の面から露出しているセラミック基板と、主面に形成された配線パターンと、一端が前記配線パターンと電気的に接続され、他端が前記主面の反対面である裏面から露出しているビアフィルと、を含む配線層を備えたシリコン基板と、を有し、前記シリコン基板の前記裏面は、前記セラミック基板の前記一方の面にポリマー層を介して接合され、前記シリコン基板の前記ビアフィルは、前記ポリマー層を貫通し、前記セラミック基板の前記電極と直接接合されている。 （もっと読む）

【課題】高放熱性、かつ高剛性であり、熱膨張差による反りや変形等を効果的に抑止して、これらに起因するはんだ層や半導体素子に生じ得るクラック等の損傷を抑止でき、もって高耐久なパワーモジュールを提供する。
【解決手段】少なくとも基板２と半導体素子１とからなる回路ユニット４が第１の冷却器１１の一側面に載置固定され、該一側面上に回路ユニット４を封止する封止樹脂体７が形成されてなるパワーモジュールにおいて、回路ユニット４の側方に第２の冷却器１２が配設され、第１の冷却器１１の前記一側面と熱連通している。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクをプリント基板へ効率良く且つ確実に取り付けることができるヒートシンク取付構造を提供すること。
【解決手段】プリント基板と、該プリント基板の第１の面に実装される発熱部品と、該発熱部品へ取り付けられるヒートシンクと、該プリント基板の該第１の面に実装される１又は複数の第１の表面実装部品とを備え；該プリント基板は、第２の面からネジが挿通される１又は複数の挿通孔が規定され、該ヒートシンクは、該ネジが螺合される１又は複数のネジ孔が規定され、該ネジによって該発熱部品へ取り付けられ、該第１の表面実装部品が該ヒートシンクを支持する。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板に設けられた半導体スイッチング素子及び通電パターンから発熱された熱をヒートシンクで放熱させるヒートシンク取付構造を提供する。
【解決手段】電子機器は、プリント配線板２の下面に半導体スイッチング素子５１を搭載し、プリント配線板２から放熱を行うためのヒートシンクを上面に取り付けて構成されている。プリント配線板２には、通電パターン２０ａ〜２０ｃが形成されている。半導体スイッチング素子５１は、通電パターン２０ａ〜２０ｃを通した電源供給のオン・オフを切り換えるスイッチング動作を行い、通電パターン２０ａ〜２０ｃを通した電源供給のオン・オフを切り換える。ヒートシンクは、プリント配線板２の上面の通電パターン２０ｃ及び半導体スイッチング素子５１の配置位置と対向する箇所に、通電パターン２０ａ，２０ｂを本体で覆うようにしてプリント配線板２に固定されている。 （もっと読む）

【課題】低熱膨張性で、熱伝導性とくに厚み方向の熱伝導性に優れ、しかも全体の厚みも薄くて済む電子機器用放熱板を提供する。
【解決手段】Cuマトリックスと30質量％超え80質量％以下のCrを含有するCr−Cu合金板とCu板とを接合したのち、圧延を施して、Cr−Cu合金層とCu層との積層体とする。 （もっと読む）

【課題】バスバーの熱を効率良く吸収して、ユニット全体の温度上昇を抑制することができるパワー半導体ユニットを提供する。
【解決手段】 パワー半導体ユニット１は、パワー半導体素子２、パワー半導体素子２が実装される絶縁基板３、パワー半導体素子２への給電のためのバスバー４、及び冷却器８を備える。バスバー４は、導電部１０と、導電部１０を支持する樹脂製の基台１１とを有する。バスバー４の冷却天板９には、上面９ａから立設されると共に導電部１０の直下位置まで延在する突起部１２が設けられている。これらの突起部１２は、内部に冷媒を流通させるために中空状に加工されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子で発生した熱を迅速に奪い、半導体素子の発熱量が大きい場合においても高い放熱性を確保できる半導体実装構造体を提供する。
【解決手段】 半導体実装構造体（１００‘）は、基板（１０４）と、側面に凹凸部（１２０）が設けられたシリコン基板（１０３）と、シリコン基板（１０３）の上に実装された半導体チップ（１０１）と、半導体チップ（１０１）と覆おうと共にシリコン基板の上面を封止する絶縁層（１０５）とを備える。 （もっと読む）

【課題】発光素子を備えた発光モジュールにおいて、放熱性を確保しつつ長期における信頼性を確保することは困難であった。
【解決手段】発光モジュール１０において、実装基板１４は、アルミナ、ＡｌＮ、またはＳｉにより形成され、半導体発光素子１２が実装される。放熱基板１６は、実装基板１４を支持する。放熱基板１６は、Ｃｕより熱膨張率の低い金属およびＣｕからなる複合材料により形成される。実装基板１４は、融点が４５０℃以下の金属接合材料であるはんだ１８によって放熱基板１６に接合される。放熱基板１６は、ＣｕとＭｏとを積層させたクラッド材、またはＭｏにＣｕを含浸させた複合材により形成される。 （もっと読む）

【課題】DBA基板やDBC基板などのセラミック基板の代替として有用であり、例えばパワー半導体から発生する熱を効率よく放熱することができる放熱基板部品を提供する。
【解決手段】有機樹脂を含有する電気絶縁層の少なくとも片面に、Cuマトリックスと30質量％超え80質量％以下のCrを含有するCr−Cu合金層を配置する。 （もっと読む）

【課題】放熱性を高め、長期の信頼性を得ることのできる回路基板及び半導体モジュールを提供する。
【解決手段】半導体素子５０のコレクタ電極と電気的に接続するための第１の導体ポスト３１と、第１の導体ポスト３１と接続する第１の金属板１１と、半導体素子５０のゲート電極５２と電気的に接続するための第２の導体ポスト３２と、第２の導体ポスト３２と接続する第２の金属板１２と、半導体素子５０のエミッタ電極５３と電気的に接続するための第３の導体ポスト３３と、第３の導体ポスト３３と接続する第３の金属板１３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】発熱素子が実装された基板を伝熱グリースを介して放熱体に搭載し、伝熱グリースを介して基板から放熱体への放熱を図るようにした電子装置において、基板を放熱体にねじ止めすることなく放熱体に固定できるようにする。
【解決手段】表面１１に発熱素子２０が設けられた基板１０と、放熱体３０とを備え、基板１０の裏面１２を放熱体３０に対向させた状態で、放熱体３０上に基板１０が搭載されており、基板１０の裏面１２と放熱体３０との対向間隔には、伝熱グリース４０が介在しており、基板１０と放熱体３０とを、基板１０の外周端部１３に位置する接着剤５０により接合している。 （もっと読む）

【課題】発熱によって機能制限が生じる携帯端末を、外部装置と結合する際に携帯端末の熱を効果的に排熱することで、携帯端末の機能制限を防止して携帯端末の信号処理性能を最大限に発揮させることのできる排熱機能を有する電子機器、排熱システム、排熱方法を提供する。
【解決手段】所定の第１温度以上で機能に制限が生じる携帯端末２と、携帯端末２と結合可能な外部装置３と、を備え、携帯端末２は、発熱体４と、発熱体４の熱を伝導する第１熱伝導経路５と、第１熱伝導経路５で伝えられる熱を排出する第１排熱手段６と、を有し、外部装置３は、携帯端末２と外部装置３とが結合する場合に、第１熱伝導経路５と熱的に接続する第２熱伝導経路８と、第２熱伝導経路８で伝えられる熱を排出する第２排熱手段９と、を有する。 （もっと読む）

【課題】小型化と防水性の向上が可能なスイッチングユニットを提供する。
【解決手段】スイッチングユニット１０は、ケーシング２０で包囲され、回路基板１１とバスバー回路１２とを密着させた回路基板１１側の表面にスイッチングデバイス１３を実装したユニット本体１５を有すると共に、ユニット本体１５からケーシング２０の外側へ延出する接続端子１２Ａを備える。さらに、スイッチングユニット１０はケーシング２０内に回路基板１１、バスバー回路１２の実装面側及びスイッチングデバイス１３の端子や接続部分（半田付け部分）全体を被覆する封止剤５０が充填されている。これにより、ユニット本体１５に水等が付着することを規制できるので防水性の向上が可能となる。 （もっと読む）

【課題】グラファイトフィルム、カーボンナノチューブ等の炭素系材料の放熱性が低くならないような構造体を提供する。
【解決手段】グラファイト基板の表面にナノメートルのオーダの凹凸構造を加工する工程（ステップ２０１）を具備する。これにより、可視光を含む領域の波長０．３−２μｍの反射率を低くすると共に、遠赤外領域の例えば波長２−５０μｍの反射率も低くなるので、輻射による放熱性を高くでき、また、炭素系基板を用いているので、放熱材料の融解及び熱伝導の悪化はほとんどなく、さらにＣＮＴを用いた場合のような爆発的な燃焼もない。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導度を示すため、より小さい面積のものでも効率よく放熱することが可能な、熱伝導性基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の熱伝導性基板１００は、下部ヒートシンク層１１０と、下部ヒートシンク層１１０に接触しながら形成される熱伝導体１２１、および熱伝導体１２１同士の間を充填する絶縁接着部１２２を含む熱伝導層１２０と、熱伝導層１２０上に形成され、熱伝導体１２１と接触して下部ヒートシンク層１１０へ熱を放出する上部層１３０とを含んでなる。 （もっと読む）