【課題】従来の放熱基板では、異形部品等の固定力が低く、絶縁基板に固定している厚肉回路導体が剥がれる可能性があった。
【解決手段】異形部品１５の一部以上を、放熱基板１８側に固定したバスバーを兼用する取付治具１６によって、樹脂構造体１１側に固定し、この樹脂構造体１１を直接、金属板２１は、金属板２１等に固定し、異形部品１５の耐振性を高めると共に、リードフレーム１９と伝熱層２０との密着強度を局所的に高め、回路モジュールの高強度化を行う。 （もっと読む）

【課題】緻密に接合することのできる亜鉛を主成分とするはんだ材料、および該はんだ材料で接合された接合体およびパワー半導体モジュールを提供すること。更に、緻密に接合できる亜鉛を主成分とするはんだ材料、接合体、及びパワー半導体モジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の亜鉛系はんだ材料５５は、亜鉛系材料５０における表面の酸化膜５０１を除去した後に、又は表面に酸化膜５０１が存在しない状態で、前記酸化膜５０１よりもその酸化物が還元され易い金属を主成分とする被覆層５１を前記表面に設けてなる。また、本発明の接合体およびパワー半導体モジュールは、接合部に前記亜鉛系はんだ材料５５が用いられ、接合後には前記被覆層５１が消失している。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル基板上に半導体チップを実装した半導体装置でも充分な放熱性が確保できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、フレキシブル基板１と、フレキシブル基板１の第１の主面上に形成され、半導体チップ５と電気的に接続された第１の熱伝導層である導体パターン２と、フレキシブル基板１の第２の主面上に形成され、半導体チップ５とは電気的に絶縁された第２の熱伝導層である導体パターン３とを有する。 （もっと読む）

【課題】画像検出器に対する無駄な冷却を回避して省エネルギー化を図ることが可能な画像検出器及び画像撮影システムを提供する。
【解決手段】センサ基板３８における放射線Ｘの照射面又は背面に冷却パネル１３０を配置し、この冷却パネル１３０を構成する各冷却部１４２ａ〜１４２ｉのうち、センサ基板３８における放射線画像情報の記録領域（に応じた各画素）に対向する冷却部を駆動させて、前記記録領域を冷却する。これにより、センサ基板３８に対する無駄な冷却が回避されて、当該センサ基板３８を効率よく冷却することが可能となり、冷却パネル１３０を含む放射線固体検出器２６及び画像撮影システム全体の省エネルギー化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】通電時に発生する熱による、セラミックス基板の割れ及び放熱体の反りを抑制しうる半導体装置を提供すること。
【解決手段】金属からなる放熱体１と、樹脂からなる外装ケース２とにより内部に形成される収容部が、該放熱体に接しているセラミックス基板３と、該セラミックス基板に接している金属部材４と、該金属部材４の上に搭載された電子部品５と、該収容部から該収容部の外部に通じる電極６と、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュールにおいては、１ｋＶを超える高電圧のものや、半導体の動作温度が１００℃を超えるものでは、半導体素子と放熱体との間の放熱性及び絶縁性が重要な特性となっている。このようなパワーモジュールに使用されるセラミックス基板の割れを防ぎ、絶縁性を有しながら、効率的に放熱する半導体装置が望まれていた。
【解決手段】放熱する放熱部材と、筐体に半導体を含む電子部品を収容し、該電子部品を搭載する金属部材と、通電する電極とを備える半導体装置であって、金属部材と、セラミックス粉体層と、表面粗部を備える放熱部材とが、順次接してなることを備える、半導体装置。前記セラミック粉体層に脱気層を備える、半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子を上部電極と下部電極により挟持し、上部電極および下部電極のうち何れか一方の電極を放熱板へ圧着する際、スペーサや穴を用いることなく、半導体素子の損傷を防止できると共に、半導体素子の一方の電極と放熱板とを均一に圧着できる圧着方法を提供すること。
【解決手段】複数の半導体素子２５、２６を上部電極２７と下部電極２３とにより挟持し、上部電極２７および下部電極２３のうち何れか一方の電極を放熱板２１へ圧着する半導体素子２５、２６の電極と放熱板２１との圧着方法において、複数の半導体素子２５、２６間に補助圧着治具５１を挿入し、複数の半導体素子２５、２６および他方の電極と間隙を形成しつつ囲繞すると共に一方の電極の周縁および補助圧着治具５１に係合する圧着治具５２を装着し、圧着治具５２を押圧して一方の電極を放熱板２１へ圧着する。 （もっと読む）

【課題】高効率散熱機能を有する発光ダイオードランプ構造を提供する。
【解決手段】この発光ダイオードランプ構造は、散熱モジュール１ａと、発光モジュール２と、電源転送モジュール３と、ケーシングモジュール４とを含む。散熱モジュールは、複数の散熱フィン１０ａを有し、これらの散熱フィンは収容空間１１ａを形成するように放射形状に組み合わせられる。発光モジュール２は散熱モジュール１ａの収容空間内に収容される。電源転送モジュール３は発光モジュール２に電気的に接続される。ケーシングモジュール４は、上板本体４０、該上板本体と相互に組み合わせられる下板本体４１、及び上板本体とこれらの散熱フィンとの間に設けられるジョイント板本体４２を備え、上板本体及びジョイント板本体は、それぞれ、発光モジュールを露出させる開口を有する。各散熱フィンの上端はジョイント板本体に接触し、下端は下板本体から所定距離離れる。 （もっと読む）

【課題】ヒートサイクルに起因するクラックの発生、伸展を防止又は抑制できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】互いに異なる熱膨張係数の第１の部材２５と第２の部材２３ａとを接合した接合層２４を有する半導体装置において、接合層２４の周辺部を第１の部材２５と共に挟むように配置され、第２の部材２３ａに比べて第１の部材２５との熱膨張差の小さい第３の部材２３ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】実装される表面実装部品の構造を設計変更することなく、表面実装部品からの熱を効率よく放熱することが可能な放熱部材を提供する。
【解決手段】このメタルベース基板（放熱部材）１２０は、アルミニウムから構成される板状の基材部１２１と、基材部１２１の上面上に絶縁層１２５を介して形成された導体層１２６と、導体層１２６の上面側に開口端を有し、導体層１２６および絶縁層１２５を貫通することにより基材部１２１に底面が形成された細長状の溝部１２７と、溝部１２７の底面および溝部１２７の内側面を覆うように被覆された銅メッキ層１２８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】従来の放熱基板１は、複数のリードフレーム３の間を狭くする（あるいは狭ギャップ化）ことが難しいため、その放熱効果に限度がある課題を有していた。
【解決手段】リードフレーム１４の上に、更にめっき電極部１５を形成し、これを絶縁樹脂層１６や伝熱樹脂層１３に埋め込むことで、見かけ上リードフレーム１４の間を狭くした（あるいは狭ギャップ化が可能となる）放熱配線板１１を提供することができ、パワー半導体や高輝度発光ダイオード、高輝度半導体レーザ等を実装した場合の放熱性を高められ、各種機器の小型化、光学系の低コスト化に貢献できる放熱配線板１１を提供する。 （もっと読む）

【課題】放熱性がよく、かつ信頼性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、表面に配線パターン１２を有している配線基板１０と、配線基板１０の表面に実装された第１半導体チップ１と、配線基板１０の表面及び第１半導体チップ１に、直接又は第１絶縁層を介して接している第１放熱体３０と、第１放熱体３０に設けられ、第１半導体チップ１が入り込む第１凹部３１と、配線基板１０の裏面に、直接又は第２絶縁層を介して接している第２放熱体４０と、第１放熱体３０、配線基板１０、及び第２放熱体４０を挿通しており、第１放熱体３０及び第２放熱体４０を配線基板１０に押し付ける第１固定部材５１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】放熱特性を向上できる電子部品を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子等の回路素子７に接続されるリードフレームにより形成された配線電極４と、回路素子７に熱接続された高熱伝導性を有する放熱部１１と、配線電極４及び放熱部１１と一体成形される絶縁基板３と、回路素子７の周囲を囲む高熱伝導性を有した枠体６とを備え、枠体６から突出して放熱部１１に直接接する突起部６ｂを設け、突起部６ｂの周囲に形成される隙間６ｃに固着材１９を充填して枠体６を絶縁基板３に固着した。 （もっと読む）

【課題】放熱特性を向上できる電子部品を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子等の回路素子７に接続される配線電極４が形成される回路基板３と、回路基板３の表面に形成された導体パターンから成る第１放熱部１１と、回路基板３の裏面に配される第２放熱部１２と、第１放熱部１１に接して配されて回路素子７の周囲を囲む枠体６と、回路基板３に形成した孔部３ｄ内に配されて枠体６と第２放熱部１２とを連結する連結部１３とを備え、回路素子７が第１放熱部１１または第２放熱部１２に接して配される。 （もっと読む）

【課題】この発明は、構成簡易にして、高効率な熱伝導効率を実現し得、且つ、熱膨張係数の調整を実現し得るようにすることにある。
【解決手段】プレート本体１０を、銅層１１ｃとグラファイト層１２とモリブデン層１３を交互に複数積層して、その両面に外部銅層１１ａ，１１ｂを設けて、その周縁に銅とモリブデンを配合した枠部１５を設けて構成したものである。 （もっと読む）

半導体アセンブリは、ヒートシンクおよびヒートシンクの表面に配置されて、第１の表面の露出部分を画定する第１のパターンポリマー層を備えた第１のサブアセンブリを含む。第１の表面の露出部分は、第１の層からヒートシンク表面に沿って半径方向内側に延びる。サブアセンブリは、第１のパターンポリマー層の半径方向外側部分に配置された第２のパターンポリマー層も含む。第１および第２の層は、パワー半導体ダイを収容するためのセルを画定する。はんだ材料が、セル内のヒートシンク表面の露出部分上に配置される。パワー半導体ダイが、セル内の第１の層の半径方向内側部分に配置され、はんだ材料によりヒートシンクに熱的に結合される。 （もっと読む）

【課題】大電流が流されるリードピンを実装する場合であっても実装後の信頼性を高め易いリードピンの実装構造を得ること。
【解決手段】発熱素子２３が実装される実装基板１にリードピン３ａ〜３ｄを実装するにあたり、実装基板にはスルーホール１ａを設け、当該実装基板で発熱素子が実装される実装面の反対側には、実装基板にスペーサ１１を介して接続された放熱部材７を配置し、各リードピンは、スルーホールを貫通させてその一端を放熱部材に接続することで、たとえリードピンに比較的多量のジュール熱が生じても当該熱を周囲に放散させてリードピンの温度上昇を抑え、リードピンが高温になることに起因して当該リードピンと放熱部材７とを接合しているはんだ９が再溶融してしまうのを防止する。 （もっと読む）

【課題】従来、絶縁放熱基板は、伝熱層が単層であったため、電極と金属板との間の絶縁（強化絶縁）を行うためには、伝熱層の厚みを一定以上厚くする必要があり、伝熱層の厚みによって、その放熱性が低下するという課題を有していた。
【解決手段】金属板１５上に、第１の伝熱層１３や第２の伝熱層１４等からなる複数の絶縁性の伝熱層を形成し、個々の伝熱層を測定電極１２を用いて別々に耐電圧試験できる構造とすることで、金属板１５と配線パターン２７の間を第１の伝熱層１３や第２の伝熱層１４で個別に絶縁保証した絶縁層で多層に絶縁することができ、絶縁放熱基板１１の絶縁性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】発泡金属などの金属多孔質体の高い延性によって、耐ヒートサイクルに優れた接合体および電子モジュールを提供する。
【解決手段】素子の接合面と基板の接合面との間に導電性を有するろう材３の層を介して接合される接合体１であって、接合体１は基材が金属多孔質体２であり、ろう材３の層に接する基材の両面に金属多孔質体２にろう材３を含浸させた含浸層４をもち、金属多孔質体２にろう材３が含浸していない非含浸層５で含浸層４を挟んだものである。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージを含むプリント配線基板上に実装された電子部品への機械的ストレスを低減する放熱構造を提供する。
【解決手段】放熱構造を、プリント配線基板１の上に実装された半導体パッケージ２と、その半導体パッケージ２の上面に配置した熱伝導シート３と、その熱伝導シート３から伝わる熱を受け大気中に放出するための放熱フィン４を設けた金属ケース５とで構成し、金属ケース５においては、熱伝導シート３との接触部に凹凸構造を設ける。 （もっと読む）