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Fターム[5F136BC03]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 発熱体と放熱部材間の熱伝導部材 (3,299) | ヒートスプレッダ (627)

Fターム[5F136BC03]に分類される特許

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【課題】発熱部品の放熱は、金属板等からなる放熱板や、リード線から、個別に行われていたため、低背化や高放熱化が難しい場合があった。
【解決手段】1以上の平面部と、1以上の加工部21からなる段差部と、を有する金属板20と、この金属板20上に設けた、熱硬化性樹脂と無機フィラーとを含むシート状の伝熱層17と、からなる放熱板18であって、前記伝熱層17は、前記段差部に隣接した前記平面部に設けられ、かつ前記伝熱層17の一部が前記段差部の一部以上も覆う放熱板18とすることで、放熱板18の上に実装するリード線12を有する発熱部品11の低背化実装と高放熱化が可能となり、プラズマテレビを初めとする機器の薄型化が可能となる。 (もっと読む)


【課題】密閉構造を有するコントロールユニットに内蔵されたCPUの温度上昇を効果的に抑えることができるサーボ制御システム及び作業機械を提供する。
【解決手段】サーボ制御システム1は、直流電力を交流電力に変換して交流電動機を駆動するためのインバータ回路を各々有する複数のドライバユニットと、複数のドライバユニットのインバータ回路を制御するコントロールユニット600とを備える。コントロールユニット600は、密閉構造を有する筐体601と、筐体601内において複数のドライバユニットのそれぞれに対応して設けられ、当該ドライバユニットのインバータ回路を制御する複数のCPU605a〜605eと、CPU605a〜605eと熱的に結合され、筐体601の外部から冷却液を導入することによりCPU605a〜605eを冷却する冷却用配管608とを有する。 (もっと読む)


【課題】高熱伝導率を有し、放熱性能に優れた放熱部品を安価に提供すること。
【解決手段】基板と、該基板の両面または片面に形成されたZnまたはZn合金を主成分とする表面層と、該表面層から外側に向かって成長しているZnOウィスカー層とを有し、表面層の融点が基板の融点よりも低いことを特徴とする放熱部品により、上記課題が解決される。Zn合金は、Cu、Bi、Sn、Cd、Niの少なくとも一種を含むものであることが好ましい。また、基板は、金属または合金からなり、25℃における熱伝導率が150W/mK以上であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】フリップチップ実装用でないワイヤボンディング用の光素子を用いてもフリップチップ実装を実現でき、かつ、放熱性に優れた光伝送モジュールを提供する。
【解決手段】基板2はケース筐体8に収納され、基板2に搭載する側の面に電極が1列に形成された光素子3を、基板2にフリップチップ実装する光伝送モジュールであって、光素子3の搭載面と反対側の面をベース部材4に接合してフリップチップ実装用モジュール5を形成し、そのフリップチップ実装用モジュール5を基板2にフリップチップ実装すると共に、フリップチップ実装用モジュール5をケース筐体8と当接させて放熱路を形成したものである。 (もっと読む)


【課題】熱伝導性成形体及びその製造方法において、簡単な組成で金属と同等以上の高い熱伝導率を持ちながら有機合成樹脂並みに軽く、低コストである素材を製造できること。
【解決手段】切断工程(a)において炭素繊維が所定長さの短繊維2Aに切断され、整列工程(b)において短繊維2Aがプレス金型10内に整列させられ、流入工程(c)において短繊維2Aが整列したプレス金型10内に液状エポキシ樹脂3Aが流入させられ、プレス工程(d)においてプレス金型10,12によって液状エポキシ樹脂3Aが整列した短繊維2Aとともに整列した方向と垂直な方向にプレスされ、短繊維の間及び単繊維の束である短繊維の中に入り込むとともに、圧縮されて液状エポキシ樹脂3Aの占める体積が必要最小限となる。その後、硬化工程(e)において液状エポキシ樹脂3Aが硬化することによって、全体に表面硬度と強度とが付与されて、熱伝導性成形体1Aが得られる。 (もっと読む)


【課題】一般的なガラスエポキシ等のプリント回路基板に実装される高輝度LEDからの熱を効率良く放散させることができる冷却構造を提供すること。
【解決手段】高輝度LED15の放熱部15ceでプリント回路基板14の貫通穴14cを覆うように発光手段15をプリント回路基板14の上面14aに配置し、発光手段15が発する熱を放散するための放熱板11をプリント回路基板14からみて放熱板11の側に配置する。プリント回路基板14より厚さが厚い熱伝導性のスペーサー10を貫通穴14c内に配置するとともにスペーサー10の上面10aを発光手段15の放熱部15ceと放熱板11の上面11aに当接させ、発光手段15を放熱板11の方向へ押圧する押圧板13で発光手段15とスペーサー10を挟持固定する。 (もっと読む)


【課題】樹脂部分が冷却媒体のシール面となっている場合でも充分なシール性能を得ることのできるパワーモジュールのシール部構造を提供する。
【解決手段】ヒートシンク31上にトランジスタ等を実装して半導体装置70を構成する。半導体装置70を樹脂ケース34に保持させて半導体ユニット32を構成し、半導体ユニット32の下面に流路ケース41を取り付けてパワーモジュール30を構成する。樹脂ケース34と流路ケース41の間にシール部材47を介装し、樹脂ケース34の側縁部をボルト50によって流路ケース41に締結固定する。樹脂ケース34のシール部材47との当接部34aよりも内側に肉厚調整用の溝51を形成し、樹脂ケース34の成形時の引け反りを防止する。 (もっと読む)


【課題】冷却部材との接続面が凸状の湾曲面とされ、しかも前記湾曲面の湾曲形状や突出量がばらつかず一定したヒートスプレッダを、特殊なプレス型等を使用することなしに、少ない工程で生産性良く製造できるヒートスプレッダの製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムを含む複合材料2′からなる平板状のヒートスプレッダ1を、平板状でかつロックウェル硬さが50HRC以下である第1金属板12、および平板状でかつ前記第1金属板よりロックウェル硬さが大きい第2金属板13で挟み、前記3者の積層体を加熱すると共にプレス型14内で積層方向にプレス成形して、前記ヒートスプレッダ1の第1金属板12が積層された側の面を前記面の周縁から中央に向かって凸状に突出する湾曲面21とする工程を含む。 (もっと読む)


【課題】熱伝導性が高く、放熱性の良い半導体パッケージ放熱用部品を提供する。
【解決手段】半導体パッケージ20上に配置され、熱伝導部材30に接する半導体パッケージ放熱用部品であって、当該放熱用部品の前記熱伝導部材と対向する面には、線状の高熱伝導性物質60が熱伝導方向に林立するように形成され、前記線状の高熱伝導性物質の先端部は、前記熱伝導部材の表面に密着している半導体パッケージ放熱用部品により解決することができる。 (もっと読む)


【課題】発熱体に熱的に接続される天板と、天板との間に冷却液の流路を形成する底板とを有するヒートシンクにおいて、天板と底板とをろう付けにより確実に接合することができるようにする。
【解決手段】天板28のコ字形状の幅に底板32を嵌めるとともに、天板28が幅方向の外側に熱膨張しないように、天板28の外周を治具50で固定して、天板28の内部の側面28aとこの面28aに対向する底板32の側面32aとをろう付けにより接合する。このろう付け方法により、天板28が幅方向の外側に熱膨張せずに、底板32が幅方向の外側に熱膨張するので、天板28の内部の側面28aと底板32の側面32aとが接触して確実に接合することができる。 (もっと読む)


【課題】放熱性能を維持しつつ、放熱装置の変形を防止または抑制する。
【解決手段】一方面側に半導体素子を配置可能な絶縁基板の他方面側に、天板22と、底板24との間に、放熱フィン26を挟み接合させる放熱器20を備える。放熱フィン26は、底板24と接合する接合頂部25a,25bを含み、天板22と底板24との間隔にほぼ等しい振幅方向高さhを有する第1の部分26a,26dと、底板24と所定の間隙dを有する非接合頂部27a,27bを含み、天板22と底板24との間隔よりも小さい振幅方向高さhを有する第2の部分26b,26cと、を含むコルゲートフィンである。 (もっと読む)


【課題】 中継基板を介して配線基板に実装されるパッケージ基板の当該実装構造であって、前記中継基板と前記配線基板及び前記パッケージ基板との接続信頼性の向上を図ることができる実装構造および電子部品を提供する。
【解決手段】 パッケージ基板の実装構造は、電子部品140が搭載されるパッケージ基板125と、前記パッケージ基板125が実装される配線基板130と、前記パッケージ基板125と前記配線基板130との間に設けられ、前記パッケージ基板125及び前記配線基板130に接続される中継基板110と、前記パッケージ基板125と同心状に位置し、且つ、鉛直方向に設けられたネジ部104と螺合して前記パッケージ基板125又は前記配線基板130に作用する荷重又は位置を無段階に連続して調整するセンター・ロック機構部150と、を含む。 (もっと読む)


【課題】生産性が高く、小型軽量化が実現可能なパワーモジュール及びパワー半導体装置を提供する。
【解決手段】パワーモジュール101の厚みと同じ高さを有する少なくとも一対の金属ブロック112−1,112−2を備え、各金属ブロックの放熱面112aは、パワーモジュールの側面に露出する。電力用半導体素子111は、各金属ブロックにおけるパワーモジュールの厚み方向に沿う素子保持面112b間に挟んで保持される。 (もっと読む)


【課題】 バラツキを抑制し、放熱性能を向上させることができるパワー素子とヒートシンクの取付構造を提供すること。
【解決手段】 後面部31に対して、上面部32及び前面部33により、一端を折り返す板形状を構成し、その内側となる支持部21の面に3つのパワー素子1が接合される伝熱部3を備え、ヒートシンク2の支持部21、上板部22及び垂下部23の内側の壁面に、伝熱部3のパワー素子1の接合部分及び折り返した部分となる後面部31、上面部32、及び前面部33の外側面を接触させて固定する構造にした。 (もっと読む)


【課題】冷却ファンの回転軸に対向する部分に位置して有効に機能していないフィンを有効に機能させてフィン全体としての冷却効果を十分に発揮させることのできる電気機器用冷却装置を提供する。
【解決手段】電気機器用冷却装置11は、発熱体2を搭載するベース部3の一面に複数のフィン4を設けたヒートシンク5と、該ヒートシンク5の側方に配置されていてフィン4,4間に冷却風を供給して発熱体2を冷却する冷却ファン6と、を備えている。冷却ファン6の回転軸の中心の延長線上の位置を境にして対向するフィン4を、互いに離間する方向に折り曲げて、フィン間に冷却ファン6の回転軸の外周に見合う間隙を形成した。前記フィン4を、金属板を略く字状に折り曲げることにより形成し、これら略く字状に折り曲げたフィン4を、前記回転軸の中心の延長線上の位置を境にして互いの折り曲げ頂部が離間するように逆向きに取り付けた。 (もっと読む)


【課題】樹脂系絶縁層の特性のばらつきを抑制できるパワー半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】パワー半導体装置20は、パワー半導体素子1と、リードフレーム3と、ヒートスプレッダ4と、放熱部材8とを備えている。ヒートスプレッダ4は、パワー半導体素子1を一方の面に搭載している。放熱部材8は、ヒートスプレッダ4の上記一方の面に対向する他方の面に接合されている。放熱部材8は、樹脂系絶縁層7と、樹脂系絶縁層7の両面に貼り合わされた1対の金属箔6a、6bとを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】 III族窒化物の半導体層の少なくとも一方の表面に半導体層との接着性が向上した積層電極を提供すること。
【解決手段】 積層電極形成方法は、第1工程と第2工程と第3工程を備えている。第1工程では、半導体層80の裏面82に、Mg又はCrの第1金属膜38を形成する。第2工程では、その第1金属膜38上に、Alの第2金属膜36を形成する。第3工程では、その第2金属膜36上に、Cuの第3金属膜34を形成する。 (もっと読む)


【課題】電子部品の冷却と加熱の何れをも効率良く実行することが可能な電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る電子機器は、表面に電子部品1が搭載された基板2と、基板2の表面側に配備された放熱部と、該放熱部と電子部品1との間に介在する熱伝導板4と、熱伝導板4と電子部品1との間に介在して表面を熱伝導板4の裏面に密着させると共に裏面を電子部品1の表面に密着させた熱伝導シート5と、電子部品1を加熱するためのヒータ6とを具える。熱伝導板4は、駆動装置7の駆動によって、熱伝導板4の表面が放熱部の裏面に接触した接触状態と、熱伝導板4の表面が放熱部の裏面から離間した離間状態との間で往復移動することが可能であり、熱伝導部材5は、熱伝導板4の往復移動に伴って伸縮自在である。 (もっと読む)


【課題】金属板とセラミックス基板とを確実に接合し、ろうこぶの形成を抑制してセラミックス基板の破損を防止するとともに、ろうこぶの除去作業を削減して精密な加工を可能にする。
【解決手段】略矩形のセラミックス基板22の表面にこのセラミックス基板22より小さい略矩形の金属板26を接合する接合工程を有するパワーモジュール用基板の製造方法であって、金属板26とこの金属板26よりも小さい略矩形のろう材24とを、各第1角部26a,24aを一致させて位置決めした状態で仮接合して接合体30を形成し、金属板26の第1角部26aの対角に位置する接合体30の第2角部30aとセラミックス基板22の1つの角部30aとを一致させて位置決めした状態で重ね、これらを加熱しながら厚さ方向に加圧することにより、ろう材24を溶融させて金属板26とセラミックス基板22とをろう付けする。 (もっと読む)


【課題】溶接スパッタの半導体チップ表面への付着を防止する。
【解決手段】セラミックス4上に形成されたコレクタ銅箔5と、コレクタ銅箔5上に固着された半導体チップ7と、半導体チップ7上に固着された金属ブロック9と、金属ブロック9の溶接部16を露出させて、半導体チップ7を被覆したカバー樹脂26と、金属ブロック9の溶接部16にレーザ溶接で接続されたエミッタ端子11と、を有する半導体装置では、レーザ溶接により発生した溶接スパッタ27の半導体チップ7の表面への付着がカバー樹脂26により防止される。 (もっと読む)


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