【課題】
金属マトリックス中に金属被覆ダイヤモンド粒子を含有してなる複合ヒートシンク材において、熱伝導性の改良されたヒートシンク材を提供すること。
【解決手段】
本発明のヒートシンク材は次の各工程を経て製造される：
1. 整粒されたダイヤモンド粒子の全表面に、パイロゾル法によって金属炭化物層を形成することによって被覆ダイヤモンド粒子を得る工程、
2. 前記被覆ダイヤモンド粒子とマトリックス金属材の粉末とを密に混合して混合粉とし、焼結反応容器内に充填する工程、
3. 前記混合粉を還元性雰囲気中で加熱することによって酸素を除去する工程
4. 前記反応容器をマトリックス金属材の融点以上の加熱温度及び100ＭＰa以上の焼結圧力に供し、該金属材を溶融して被覆ダイヤモンド粒子間の空隙に流入・充填し、金属炭化物層を介してダイヤモンド粒子及び金属材を一体化させる工程。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに備えられる回路や配線の設計に影響を与えることなく、半導体チップの表面側から、半導体チップからの発熱を効率良く放熱させることができる構造体を提供する。
【解決手段】半導体装置２を、絶縁膜５と、配線６と、絶縁膜５の表面上に全面にわたって設けられた複数の第１電極７とを含む配線層８を備える半導体チップ２と、絶縁膜５の表面上の第１電極７が設けられていない領域に貼り付けられ、絶縁膜５よりも高い熱伝導率を有する高熱伝導部材１５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】金属・ダイヤモンド複合体にその本来の熱伝導率に近い熱伝導率を発揮させることを可能にするヒートシンクを提供する。
【解決手段】このヒートシンク１１は、デバイスを搭載するための搭載面１１ａを有しており該ベース１３の主面１３ａに設けられた金属領域１５を備える。この主面１３ａには、ダイヤモンド粒子１７による突起２３ａ〜２３ｃと突起２３ａ〜２３ｃの間に位置する窪み２５ａ〜２５ｄとを含むけれども、半田材と異なり該半田材より高い融点の金属からなる金属領域１５は窪み２５ａ〜２５ｄを埋めて、搭載面１１ａは突起２３ａ〜２３ｃ及び窪み２５ａ〜２５ｄによって構成されるラフネスより小さいラフネスに再構成される。これ故に、デバイスの実装面とヒートシンク１１の表面１１ａとの実効的な接触面積を、デバイスの実装面の面積に近づけることができる。 （もっと読む）

【課題】金属ヒートシンクの代替として用いる加工性、生産性、軽量性に優れた樹脂ヒートシンクを提供する。
【解決手段】合成樹脂と熱伝導性充填材とを含有してなり、熱伝導率が０．５［Ｗ／ｍＫ］以上である高熱伝導性樹脂組成物と、金属又はセラミックスの成形体である基材３とを一体化して成形した、高熱伝導性樹脂２を用いたヒートシンク１であって、ヒートシンク１は、熱源に対向する熱源対向面６を有し、熱源対向面６の少なくとも一部は、基材３によって直接形成されるか、あるいは、基材３との間に高熱伝導性樹脂が３ｍｍ以下の厚さで介在されている。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱性を提供可能な構造の半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ１１はサブマウント７とヒートシンク９との間に設けられる。III族窒化物半導体レーザ１１はｐアップ形態でサブマウント７上に搭載されるので、レーザ導波路からの熱は、レーザ構造体１３を介してサブマウント７に伝わる。レーザ導波路からの熱は、高い温度のレーザ導波路からオーミック電極１５及びパッド電極４５を介して低い温度のヒートシンク９に伝わり、この熱は、オーミック電極１５から離れたヒートシンク端に向けてヒートシンク内を伝搬していき、ヒートシンク９の温度分布はレーザ導波路上の中央部からヒートシンク端に向けて低くなる。III族窒化物半導体レーザ１１の両端の近傍では、III族窒化物半導体レーザ１１の温度はヒートシンク９の温度より低いので、ヒートシンク９の熱はIII族窒化物半導体レーザ１１に伝搬する。 （もっと読む）

【課題】３−Ｄ集積回路側方熱放散を提供する。
【解決手段】積み重ねＩＣ装置の段の間のエア・ギャップを熱伝導材料で充てんすることによって、段の一つの中の一つ以上の個所に生じた熱が側方に移動されることが可能である。熱の側方移動は段の全長に沿うことが可能であり、熱材料は電気的に絶縁していることが可能である。スルー・シリコン・ビア（ＴＳＶ）が、熱的に問題のある個所からの熱放散を支援するために、ある個所に構築されることが可能である。 （もっと読む）

【課題】熱の移動を好適に促進することのできる放熱膜を提供する。
【解決手段】放熱膜３は、基板上面４ｃと、これに対向するデバイス下面２ｃとの間に介設される基材３ａと、基材３ａの内部に添加される添加材３ｂとを有している。また、添加材３ｂは基材３ａよりも高い熱伝導率を有している。添加材３ｂは略粒状をなすものであり、添加材３ｂの直径ｄＢは基材３ａの厚さｄＡ以上とされている。すなわち、添加材３ｂの一端が基板上面４ｃに接触するとともに他端がデバイス下面２ｃに接触するものとしている。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗の低い貫通電極構造、または、放熱特性に優れた熱伝導路を有する電子機器用基板及びそれを用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】基板１は、複数の貫通電極２及び柱状ヒートシンク３の少なくとも一方を有する。貫通電極２は、カーボンナノチューブを含有し、基板１に設けられたビア２０を鋳型とする鋳込み成形体でなる。柱状ヒートシンク３は、基板に設けられたビア３０を鋳型とする鋳込み成形体でなり、炭素原子構造体を含有する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率と絶縁性とを両立させつつ、劣化に強く低コストの中間体を有し、発熱体の熱を効率的に放熱できる放熱ユニットを提供する。
【解決手段】本発明の放熱ユニット１は、発熱体２から伝導される熱を放出する放熱部５と、前記発熱体２からの熱を前記放熱部５に伝導する中間体４と、を備え、前記中間体４は、無機物粒子の相と、該無機物粒子の相の周囲に配せられる無機結合相を有し、前記無機結合相は、金属アルコキシドが加水分解および脱水重合されて形成される無機材質を含み、前記金属アルコキシドをなす金属元素は、Ａｌ、Ｍｇ，Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂｅの群から選択される１以上であり、前記中間体４は、前記放熱部５の表面に接合している。 （もっと読む）

【課題】簡易な操作によって得ることができ、厚み方向および面方向の熱伝導性に優れる熱伝導性シート、そのような熱伝導性シートを用いて得られる絶縁シートおよび放熱部材を提供する。
【解決手段】樹脂３と、フィラーとを含有する熱伝導性シート１において、フィラーとして、板状または鱗片状の第１フィラー２ａと、塊状または球状の第２フィラー２ｂとを含有させ、熱伝導性シート１の面方向ＳＤに対して、第１フィラー２ａの平均配向角を２８度以上として、最大配向角を６０度以上とする。また、そのような熱伝導性シート１を用いて、絶縁シートおよび放熱部材を得る。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁性熱伝導性組成物及び電子装置を提供する。
【解決手段】５〜８０重量部の樹脂、２０〜９５重量部の電気絶縁性熱伝導性粉末、及び０.０００１〜２重量部のグラフェンを含む電気絶縁性熱伝導性組成物。 （もっと読む）

【課題】モータ駆動用など大電力回路を形成するパワー回路基板において、熱伝導率が高く電気絶縁性を確保できる制御回路構造を提供する。
【解決手段】発熱素子を備える回路基板１と、この回路基板が取り付けられる放熱部材１０からなる制御回路構造において、放熱部材１０と、この放熱部材１０上に絶縁層３を介して設けられた回路部４と、この回路部４の上に設けられた被覆層５とを備えている。前記絶縁層３はＳi処理層３ｂ、アルマイト処理層３ｃおよびＤＬＣ処理層３aからなる。 （もっと読む）

【課題】十分な熱拡散効果が得られるヒートスプレッダを提供する。
【解決手段】ヒートスプレッダ６を、金属層６Ａと、金属層６Ａの少なくとも一の表面上に設けられ、表面に露出しているダイヤモンド片６Ｂとを備えるものとする。ヒートスプレッダ６のダイアモンド片６Ｂが露出している側の表面（底面）が半導体チップの表面に熱的に雪像されている。また、ダイアモンドは熱伝導率がきわめて高い。これにより、ヒートスプレッダ６の半導体チップに接続される側の表面で面内方向の熱伝導率が極めて高くなるため、充分な熱拡散効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】
高熱伝導率と半導体素子に近い熱膨張率を兼ね備え、さらには、半導体素子のヒートシンク等として使用するのに好適なように、表面のめっき性及び表面粗さを改善したアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド粒子とアルミニウムを主成分とする金属とを含む平板状のアルミニウム−ダイヤモンド系複合体であって、ダイヤモンド粒子の含有量が、４０〜７０体積％であり、両側表面に厚さ０．０１〜０．３ｍｍのアルミニウムを主成分とする表面層３ａ、３ｂを有し、複合体の少なくとも１方の表面に直線状または断続的な欠陥を導入後、表面に、厚さ０．５〜１５μｍのＮｉめっき層又はＮｉ＋Ａｕの二層のめっき層を設け、更に欠陥に沿って割断して、側面の一部が複合化部２が露出する構造であるアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】熱発生素子を搭載することに適したパッケージキャリアおよびパッケージキャリアを製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０ａが提供され、上表面１１１ａと下表面１１３ａとに連通する第１開口１１５ａが形成される。熱伝導素子１２０が第１開口１１５ａ中に配置され、絶縁材料１３０によって第１開口１１５ａ中に固定される。基板１１０ａを貫通するスルーホール１１７ａが形成される。金属層１４０が基板１１０ａの上表面１１１ａおよび下表面１１３ａならびにスルーホール１１７ａの内側に形成されて、基板１１０ａの上表面１１１ａおよび下表面１１３ａと熱伝導素子１２０と絶縁材料１３０とを被覆する。金属層１４０の一部が除去される。ソルダーマスク１５０が金属層１４０上に形成される。表面保護層１６０が形成されて、ソルダーマスク１５０により露出された金属層１４０とスルーホール１１７ａ内に位置する金属層１４０とを被覆する。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板、ダイヤモンド基板等の無機系材料の放熱材料は硬度が高く難加工性であり、グラファイトフィルム、カーボンナノチューブ等の炭素系材料は放熱性が低かった。
【解決手段】グラファイト基板の表面にマスク粒子２０１ａを堆積させると共に、これと並行してグラファイト基板の表面にナノメートルオーダの凹凸構造を加工する（ステップ１０１）。 （もっと読む）

【課題】
高い熱伝導率と半導体素子に近い熱膨張率を兼ね備え、さらには、半導体素子のヒートシンク等として使用するのに好適なように、表面の面粗さ、平面度を改善したアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド粒子を４０体積％〜７０体積％含有し、残部がアルミニウムを含有する金属で構成され、厚みが０．４〜６ｍｍの板状又は凹凸部を有する板状のアルミニウム−ダイヤモンド系複合材料であって、両主面が厚み０．０５〜０．５ｍｍのアルミニウム−セラミックス系複合体で被覆され、且つ側面部及び穴部がアルミニウム−ダイヤモンド系複合体が露出してなる構造であることを特徴とするアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】放熱が良好で実装時の反りが小さい高周波半導体用パッケージおよびその作製方法を提供する。
【解決手段】コンパウンド材からなる中間層と、中間層上に配置され、Ｃｕからなる熱伝導層とを有する導体ベースプレートを備える高周波半導体用パッケージおよびその作製方法。 （もっと読む）

【課題】各構成部材の線熱膨張係数の差異に起因する熱応力に関する問題を受けることなく、また、十分な放熱性能、絶縁性を確保することができ、製造工程にも特に制約はなく容易に製造ができる放熱装置を提供することを課題とする。
【解決手段】一表面に発熱体２が取付けられる発熱体取付面３ａを有する伝熱性基板３と、伝熱性基板３から伝達された熱を電気絶縁材４を介して放熱するヒートシンク５を備えた放熱装置１において、伝熱性基板３とヒートシンク５は、伝熱性基板３の端縁部に接続する電気絶縁材４を介して連結されている。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド板とパワー半導体素子などの発熱品を取り付けるための純アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属膜とを備え、２ｃｍ角級の大面積の金属膜でもダイヤモンド板と該金属膜との密着性が高く、反りが小さいダイヤモンド・アルミニウム接合体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】気相合成ダイヤモンド板１１上に、該気相合成ダイヤモンド板１１側から順に、シリコン含有アルミニウム合金からなる中間層３１と純アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属膜２１とを有しているダイヤモンド・アルミニウム接合体である。 （もっと読む）