【課題】
金属マトリックス中に金属被覆ダイヤモンド粒子を含有してなる複合ヒートシンク材において、熱伝導性の改良されたヒートシンク材を提供すること。
【解決手段】
本発明のヒートシンク材は次の各工程を経て製造される：
1. 整粒されたダイヤモンド粒子の全表面に、パイロゾル法によって金属炭化物層を形成することによって被覆ダイヤモンド粒子を得る工程、
2. 前記被覆ダイヤモンド粒子とマトリックス金属材の粉末とを密に混合して混合粉とし、焼結反応容器内に充填する工程、
3. 前記混合粉を還元性雰囲気中で加熱することによって酸素を除去する工程
4. 前記反応容器をマトリックス金属材の融点以上の加熱温度及び100ＭＰa以上の焼結圧力に供し、該金属材を溶融して被覆ダイヤモンド粒子間の空隙に流入・充填し、金属炭化物層を介してダイヤモンド粒子及び金属材を一体化させる工程。 （もっと読む）

【課題】熱膨張率の相違に起因して応力（熱応力）が発生し、異種材間の接続層など、機械強度に劣る部分にその応力が集中し、半導体モジュールが損傷するのを防止するために、熱応力の発生を抑制しつつ電子部品の熱を放熱させる。
【解決手段】電子部品用放熱器１００は、冷却媒体を流通させるための気孔を有する第１のセラミックス層１０と、第１のセラミックス層１０に積層され、電子部品２００が載置される載置面を有する第２のセラミックス層２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子から多層基板への熱拡散性能の向上、および、多層基板と半導体素子との接合強度の向上。
【解決手段】半導体パワーモジュール１０は、セラミックス多層基板１００と、接合層１１０と、拡散層１２０と、半導体素子１３０を備える。接合層１１０は、セラミックス多層基板１００の第１の面１０５上に配置され、半導体素子１３０とセラミックス多層基板１００とを電気的に接続する導電接合部１１１と、半導体素子１３０とセラミックス多層基板１００とを絶縁する絶縁接合部１１２とを備える平面状の薄膜層である。こうすれば、半導体素子１３０とセラミックス多層基板１００との間における空隙の発生を抑制しつつ接合することができ、半導体素子１３０からセラミックス多層基板１００への熱拡散性能、および、セラミックス多層基板１００と半導体素子１３０との接合強度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 蓋体部と、側壁部と、底板部とで構成され、内部に電子部品を冷却するための気体や液体等の流体を流すための流路を備えた流路部材において、熱交換効率の高い流路部材を提供する。
【解決手段】 本発明の流路部材１は、蓋体部１ａと、側壁部１ｃと、底板部１ｂとで構成され、内部に流体が流れる流路３を有する流路部材１であって、前記流路３を形成する面の少なくとも一部に流体が流れる方向に沿って延びる凹凸２を有していることにより、流路３と流体との接触面積が大きくなり、流路部材１との熱交換効率を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】接合部同士の短絡が生じにくく、めっきやスパッタよりも接合強度が高い、金属焼結膜により金属部品同士を銅微粒子の焼結により接合する方法を提供する。
【解決手段】セラミック板表面に、銅微粒子（Ｐ）と分散媒（Ａ）を含む加熱接合材料からなるパターン化物を配置し、更に該パターン化物上に導電性金属板を配置後、該加熱接合材料を加熱、焼結して銅微粒子（Ｐ）焼結体からなる接合層（Ｌ）を形成することにより、
セラミック板と導電性金属板とが接合層（Ｌ）を介して接合されたセラミック接合体であって、前記銅微粒子（Ｐ）が平均一次粒子径２〜５００ｎｍの銅微粒子（Ｐ１）を含み、接合層（Ｌ）の空孔率が３〜３０体積％で平均空孔径が５〜５００ｎｍであり、厚みが０．００５〜０．５００ｍｍであることを特徴とする、セラミック接合体。 （もっと読む）

【課題】金属焼結体中に微細炭素繊維が粉砕されずに繊維の形状を維持したまま均一に分散した、発熱体の熱を効果的に放散することができる熱拡散材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】金属焼結体のマトリックス中に微細炭素繊維が均一に分散されてなる熱拡散材料、ならびに、（Ａ）微細炭素繊維の分散液を作製する工程、（Ｂ）前記金属焼結体を構成する金属材料からなる金属粒子の表面に有機系の官能基を導入する工程、（Ｃ）前記分散液に前記官能基が導入された金属粒子を添加し、前記金属粒子の表面に前記官能基を介して前記微細炭素繊維が吸着した複合粒子を作製する工程、および（Ｄ）前記複合粒子を焼結する工程を有する上記熱拡散材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板の厚みを低減させることなく、放熱性を向上させたパワーモジュール用のセラミックス焼結板を提供する。
【解決手段】少なくとも針状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子と粒状非晶質Ｓｉ_３Ｎ_４粒子とが焼結されたセラミックス焼結板であって、針状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子がＣ軸配向し、かつ、相対密度が９４〜９８％であるセラミックス焼結板により、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】電磁干渉を回避でき、かつ高い放熱能力を備えた、セラミック放熱モジュール及びセラミック放熱モジュールの製造方法の提供。
【解決手段】本発明のセラミック放熱モジュールは発熱素子の温度を下げるために用いられ、セラミック放熱モジュールが、セラミック放熱モジュール本体を含み、そのうちセラミック放熱モジュール本体の組成が実質上重量百分率７０％以上の酸化アルミニウムを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱交換性能が低下することを抑制しつつ、簡便に製造できる電子機器を提供することにある。
【解決手段】パワーモジュール１１であって、セラミックスからなる熱交換部材１２と、表面にカルボキシル基を修飾した金属ナノフィラー、及びエポキシ樹脂を含む接着シート１５によって熱交換部材１２に接着された配線層１４と、配線層１４にはんだ付けされたパワー素子１６とを備えた。 （もっと読む）

【課題】炭素系材料からなる熱拡散部材を用いつつ、接合界面の熱応力を抑制することができる熱拡散部材の接合構造、発熱体の冷却構造、及び熱拡散部材の接合方法を提供する。
【解決手段】炭素系材料を用いて板状に形成され、表面に金属薄膜を有し、板状の厚さ方向に熱を伝導させる熱拡散部材としての第１部材は、少なくとも第２部材との対向面に、金属薄膜を有する。そして、第１部材の金属薄膜形成面と第２部材における金属薄膜形成面の対向面との間に、接合部材として金属粒子の焼結体が介在されている。 （もっと読む）

【課題】電子部品にクラックや割れが発生することを防止して、電子部品から発生する熱の放散が良好な長期信頼性に優れた回路基板および電子装置を提供することにある。
【解決手段】回路基板10は、貫通孔を有する絶縁基板１と、絶縁基板１の下面に貫通孔を塞ぐように取着されている金属板３と、絶縁基板１の上面に取着されている金属回路板４と、少なくとも一部分が貫通孔内に配置されて金属板３に下端部が接合されている金属体５と、少なくとも金属体５の上端部の側面を囲むように内面が金属体５の側面に接合されている、金属体５よりも小さい熱膨張係数を有する枠体６とを備えており、金属体５と枠体６とが接合されてなる複合体の上面に電子部品20が搭載される搭載部を有している。電子部品20から発生する熱を効率よく外部に放散し、電子部品20にクラックや割れが発生することを防止する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性および熱放射性に優れ、熱伝導率に異方性がない炭素放熱体を安価に製造する。
【解決手段】高分子樹脂中に、黒鉛の結晶が放射状に成長した気相放射状成長黒鉛粉末を均一に分散混合し、混合物を所望の形状に成形した後、不活性雰囲気中、非酸化性雰囲気中、又は真空中で焼成することにより、高分子樹脂を炭素化して、アモルファス炭素中に気相放射状成長黒鉛粉末が均一に分散した炭素放熱体とする。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止型の半導体装置（１）を製造するにあたって、部材間の接合作業を比較的低温で行うことを可能とする。
【解決手段】ヒートシンク（２）とリードフレーム（３）との接合にあたり、まず、ヒートシンク（２）の上面の接合部に対し、ポリイミド系樹脂を溶剤に溶解させた樹脂溶液（Ｌ）を塗布する塗布工程を実施する。次いで、塗布された樹脂溶液（Ｌ）を半乾燥状態（残存溶剤量が１３％〜４０％の範囲）になるまで乾燥させる一次乾燥工程を実施する。次に、半乾燥状態の樹脂溶液（Ｌ）を介してリードフレーム（３）の被接合部（３ａ）をヒートシンク（２）に接着させる熱圧着工程を実施する。この後、樹脂溶液（Ｌ）を更に乾燥させる二次乾燥工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】絶縁体からなるヒートシンクを用いて設計の自由度を向上させた電子回路、及び、その電子回路に使用可能な絶縁性のヒートシンクを提供する。
【解決手段】電子部品５に積層されるヒートシンク１０は、多数の気孔１１を有することにより、気孔率が１５〜５０体積％の多孔質セラミックス１３を備えている。多孔質セラミックス１３の表面には、熱放射率が０．９以上の放熱性塗料１５が塗布され、その多孔質セラミックス１３の電子部品５に積層される側の面には、熱伝導性テープ１７が貼着されている。多孔質セラミックス１３は１０¹⁰Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有し、高周波ノイズの発生が抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板の下面に放熱体を接合させた配線基板において、配線導体と放熱体との短絡を抑制できる配線基板および複数の配線基板を効率良く形成することができる多数個取り配線基板を提供する。
【解決手段】 絶縁基板１と、絶縁基板１の上面に引き出された第１配線導体２および第２配線導体３と、第１配線導体２に接続されて絶縁基板１の側面に引き出された第３配線導体４と、第２配線導体３に接続されて絶縁基板１の側面に引き出された第４配線導体５と、絶縁基板１の下面に配置された放熱体６とを備えた配線基板において、放熱体６は、第３配線導体４が引き出された引き出し部４ａおよび第４配線導体５が引き出された引き出し部５ａの少なくとも一方の引き出し部の下方で、絶縁基板１の縁１ａから離間している。第３配線導体４または第４配線導体５と放熱体との間の短絡を低減し、第１配線導体２と第２配線導体３との短絡を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】グラフェンの面内方向だけでなく、シート厚み方向における導電性及び熱伝導性を高め得る、導電性及び熱伝導性における異方性が少ない熱伝導シートを提供する。
【解決手段】グラフェン積層体からなるグラフェンシートのグラフェン間に導電性材料層がインターカレートされている熱伝導シート、グラフェンシートの層間を膨潤して膨張化黒鉛からなるグラフェンシートを得て、該グラフェンシートの層間に導電性材料をインターカレートする、熱伝導シートの製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来の放熱モジュールに比べて、ファンを使用しない情况下で、直接１００Ｗ以上の発熱素子に適用することができ、ハイパワーの発熱素子の放熱に好適な放熱モジュールを提供する。
【解決手段】熱素子に対して放熱を行うハイパワー放熱モジュールは、内部に密閉キャビティーを有すると共にそのキャビティー内に粉末焼結部および作動液を有し、外部には発熱素子を載置する平整部と固定部を有する熱交換部と、固定部に設けられた中心孔部および該中心孔部の周囲に放熱装置２が設けられ、発熱素子で生じる熱量を熱交換部を介して放熱装置へ伝導させ、放熱装置を介して迅速に発熱素子で生じる熱量を放熱する放熱モジュール装置とを具備する。 （もっと読む）

【課題】熱が伝わった際に安定的に反りが発生するアルミニウム−炭化珪素質複合体、及びこれからなる伝熱部材を提供する。
【解決手段】Ａｌ−ＳｉＣ複合体１は、ＳｉＣ多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸したものであり、５０℃〜１５０℃における熱膨張係数が６ｐｐｍ〜９ｐｐｍ／Ｋである第１の層２と５０℃〜１５０℃における熱膨張係数が層２よりも４ｐｐｍ／Ｋ〜８．５ｐｐｍ／Ｋだけ大きい第２の層３とを備える多層構造である。 （もっと読む）

【課題】一体型ヒートシンクを作る場合に、部材を同時に接合して多くの工程を減らすことで、コストダウンを図るヒートシンクの製造方法を提供する。
【解決手段】焼結装置を用いたヒートシンクの製造方法において、複数の金属板１０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄを積み重ねた状態で必要な接合部のみを拡散接合・焼結した後、未接合部を折り曲げて放熱フィンを形成する。接合部には、拡散接合・焼結を促進する接合材を介在させる。また、複数の金属板１０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄに加えて、絶縁基板３０を、焼結装置により一体的に接合する。 （もっと読む）

【課題】 ３次元的に熱伝導性が良く、従来に比べて放熱性を著しく向上させることの可能な放熱性基板を提供する。
【解決手段】 基板骨格面１１上に配置された複数のグラファイトシートのうちの少なくとも一部のグラファイトシート２ａは、複数のグラファイトシートの他のグラファイトシート２ｂ，２ｃ，２ｄよりも基板骨格面１１の法線方向Ｚに長さが長くなっており、基板骨格面１１上の複数のグラファイトシートが配置される側において、基板骨格面１１から前記少なくとも一部のグラファイトシート２ａの長さＺ１よりも短い距離にあって基板骨格面１１と該基板骨格面１１に平行な面とに挟まれた範囲に、金属材料３１が充填されて基板本体１０が形成され、前記少なくとも一部のグラファイトシート２ａにおいて、基板本体１０に埋設されていない部分がフィン部２５となっている。 （もっと読む）