【課題】放熱性に優れた安価な放熱板及びそれを用いる高放熱型半導体素子収納用パッケージを提供する。
【解決手段】放熱板１０は、Ｃｒ−Ｃｕ複合部材からなる平板状の第１の金属板１１と、この両主面に接合されるＣｕ板からなる平板状の第２の金属板１２、１２ａを有する。また、放熱板１０の上面に窓枠形状からなるセラミック枠体２２をろう付け接合して設け、放熱板１０の上面とセラミック枠体２２の内周側壁面で形成されるキャビティ部２３の放熱板１０の上面に直接保持して収納される半導体素子２１からの発熱を放熱板１０を介して放熱する高放熱型半導体素子収納用パッケージ２０であって、放熱板１０がＣｒ−Ｃｕ複合部材からなる平板状の第１の金属板１１の両主面にＣｕ板からなる平板状の第２の金属板１２、１２ａを接合して設けられている。 （もっと読む）

【課題】熱膨張率が小さく、かつ熱伝導率が大きいCr−Cu合金を用いて、製造プロセスが簡略で、経済的で生産性が高く、高精度の半導体用放熱部品および半導体用ケース，半導体用キャリア，パッケージを提供する。
【解決手段】粉末冶金法を適用して製造したCr−Cu合金に加工を施して得たCr−Cu合金板を冷間プレス加工した成形体であり、かつCr含有量が30質量％超え80質量％以下で残部がCuおよび不可避的不純物からなり、不可避的不純物がＯ：0.15質量％以下，Ｎ：0.1質量％以下，Ｃ：0.1質量％以下，Al：0.05質量％以下，Si：0.10質量％以下である半導体用放熱部品である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を効率良く冷却することができる冷却機構を備えたパワーモジュールユニット、及び、このパワーモジュールユニットの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子２と、半導体素子２の一方の面側に配設された第一の冷却機構１０と、半導体素子２の他方の面側に配設された第二の冷却機構２０と、を有し、第一の冷却機構１０及び第二の冷却機構２０は、絶縁基板１１，２１と、絶縁基板１１，２１の一面に形成された導電層１２，２２と、絶縁基板１１，２１の他面に接合されたヒートシンク１３，２３と、を有し、導電層１２，２２上に半導体素子２が接合される構成とされており、少なくとも第一の冷却機構１０の絶縁基板１１とヒートシンク１３との接合界面から第二の冷却機構２０の絶縁基板２１とヒートシンク２３との接合界面までの領域が、樹脂封止されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放熱効率を向上させることのできる金属複合材料の製造方法、金属複合材料、放熱部品の製造方法及び放熱部品を提供する。
【解決手段】炭素材料と金属粉末とに対して、炭素材料が粉砕され得る強度の機械的衝撃力を加えることにより、金属粉末に炭素材料を凝着させる凝着工程（ステップＳ１）と、炭素材料が凝着された金属複合材料の表面の金属の一部を昇華させることにより、凝着された炭素材料を金属複合材料の表面の一部に露出させる昇華工程（ステップＳ２）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】
Ｃｕ−高融点金属の複合材料のヒートシンク用材料としての熱特性と機械的性質を原料粉末の複雑な前処理を必要とせず比較的簡単な方法で改善する。
【解決手段】
粉砕した原料粉末を冷間ＣＩＰプレスし、グリーン圧縮体を高純度Ａｒガス中で液相焼結し、得られた焼結複合体をＨＩＰ処理して得た、Ｃｕが１０〜４０質量％と高融点、低熱膨張性の硬質金属が９０〜６０質量％で、Ｃｕの一部を焼結体全量に対し、０．１質量％以下のＮｉと置換してなり、高融点金属はその粒子間はＣｕの液相ネットによって連結された、高融点金属粒子の外面にはＮｉとの金属間化合物層が形成されているヒートシンク用複合焼結体。 （もっと読む）

【課題】銅または銅合金からなる回路層上に半導体素子をはんだ材を介して、容易かつ、確実に接合することが可能なパワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュールおよびこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層（セラミックス基板１１）の一方の面に、銅または銅合金からなる回路層１２が配設され、この回路層１２上にはんだ層２を介して半導体素子３が配設されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２の一方の面には、ガラスを含有するＡｇペーストの焼成体からなる導電接合層３０が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来のピンフィンよりも優れた放熱特性を持つ冷却フィンを提供する。
【解決手段】フィンベース１の表面に立設したピン２又はプレートの間に、連通細孔を有する多孔質体３を充填した冷却フィンである。多孔質体がアルミニウム合金または銅合金のような金属質の多孔質体であることが好ましい。フィンベース１から多孔質体３への熱移動は、主としてピン２又はプレートを介して行われるので、冷却風速を高めることにより、放熱特性の向上を図ることができる。ペルチェ素子の高温側のヒートシンクからの放熱促進、コンピュータのＣＰＵからの放熱促進のために用いられる。 （もっと読む）

【課題】蒸気流路が閉塞されることなく、優れた毛細管力を備えた扁平型ヒートパイプを提供する。
【解決手段】扁平かつ管形状の密閉されたコンテナと、当該コンテナ内の横断面において、曲部と平坦部を有する少なくとも１つのウイック構造体と、コンテナ内に封入された作動液とを有し、ウイック構造体の曲部がコンテナの内壁に接触、または所定距離以下フ間隔をおいて近接して配置されて、曲部および内壁の間で毛管力を発生させることを特徴とする扁平型ヒートパイプ。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム粉末焼結板と繊維状炭素材料とを組み合わせた高熱伝導性複合材料において、素子搭載部を兼ねる素子冷却用熱拡散板として使用可能な機械的強度を確保する。優れた熱伝導性を維持しつつ、繊維状炭素材料の使用量を減らし、製造コストを下げる。
【解決手段】 純アルミニウム又はアルミニウム合金からなる板状母材２２の板厚方向中間部で、且つ板厚方向に直角な平面領域の一部分に、板状高熱伝導部２３を埋設する。板状高熱伝導部２３は、アルミニウム粉末の焼結体層と、繊維状炭素材料がシート表面に平行な特定の一方向に配向した繊維配向シートとの積層体である。板状高熱伝導部２３となる焼結前の積層体のアルミニウム粉末層部分にバインダーを使用した粉末シートを用い、板状母材２２となる焼結前のアルミニウム粉末層の最上層にアルミニウムの板状バルク体を使用して焼結を行う。 （もっと読む）

【課題】 熱伝導性が改善された高熱伝導性材料と低熱膨張性硬質材料との複合材料からなるヒートシンク材を低コストで提供すること。
【解決手段】
粉末混合、成形、焼結の粉末冶金プロセスに沿って作製するに際して、複合材料を構成する原料粉末の複数の局所的な組成をＸとし、その測定値の平均値をＸａｖｅとし、標準偏差をＳとしたとき、Ｍ＝Ｓ／Ｘａｖｅ×１００によって表わされ混合粉末の混合度Ｍを２０以下に規定する。 （もっと読む）

【課題】冷却部材との接続面が凸状の湾曲面とされ、しかも前記湾曲面の湾曲形状や突出量がばらつかず一定したヒートスプレッダを、特殊なプレス型等を使用することなしに、少ない工程で生産性良く製造できるヒートスプレッダの製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムを含む複合材料２′からなる平板状のヒートスプレッダ１を、平板状でかつロックウェル硬さが５０ＨＲＣ以下である第１金属板１２、および平板状でかつ前記第１金属板よりロックウェル硬さが大きい第２金属板１３で挟み、前記３者の積層体を加熱すると共にプレス型１４内で積層方向にプレス成形して、前記ヒートスプレッダ１の第１金属板１２が積層された側の面を前記面の周縁から中央に向かって凸状に突出する湾曲面２１とする工程を含む。 （もっと読む）

【課題】高い応力緩和性能と放熱性能を両立させることによって、高い信頼性と大電力化への対応性とを兼ね備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体チップと前記半導体チップを挟んで対向するベース電極ならびにリード電極とそれらを電気的に接合する接合層とが積層された半導体装置であり、前記ベース電極に放熱部材を当接させて使用される半導体装置であって、前記ベース電極は伝熱部と熱膨張拘束部との積層体で構成されており、前記半導体チップは前記接合層を介して前記ベース電極の前記伝熱部と接合されており、前記伝熱部が前記放熱部材に当接する。 （もっと読む）

【課題】低熱膨張率と高熱伝導率を両立し、なおかつ安価な放熱材料、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣｒとＣｕに加えてＷおよび／またはＭｏを含有し、Ｗ含有量および／またはＭｏ含有量とＣｒ含有量との合計が３０質量％超え９０質量％以下であり、残部が不可避的不純物からなる組成を有し、かつ粒子状Ｃｒ相に加えて、粒子状Ｗ相および／または粒子状Ｍｏ相がＣｕ相基地中に分散した組織を有する放熱材料である。その製造方法の一例として、ＣｒとＣｕに加えてＷおよび／またはＭｏの粉末を混合した後、焼結して３０℃／分以下の冷却速度で冷却し、得られた焼結体を５００〜７５０℃の温度範囲で時効熱処理する。 （もっと読む）

【課題】気孔が均一に分散した応力緩和材を備え、もって応力緩和性能と放熱性能の双方に優れたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】金属配線板２と、該金属配線板２上に搭載された半導体素子１と、からなる回路ユニット４と、回路ユニット４が搭載されるセラミックスからなる絶縁基板５と、絶縁基板５が搭載される金属素材の応力緩和材６と、応力緩和材６が搭載される冷却器７と、からなり、応力緩和材６は、その気孔径が０．１〜８５μｍの範囲であり、その気孔率が１〜１５体積％の範囲である。 （もっと読む）

【課題】作業工数を減らし、安価に製造できるとともにボイドを効果的に排出できる寸法精度の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】キャビティ形成用貫通孔５が形成されていない第１のガラスセラミックグリーンシート１１〜１３およびキャビティ形成用貫通孔５が形成された第１のガラスセラミックグリーンシート１４〜１５と、この焼成収縮終了温度よりも高い温度で焼成収縮を開始するキャビティ形成用貫通孔５が形成されていない第２のガラスセラミックグリーンシート２１〜２３およびキャビティ形成用貫通孔５が形成された第２のガラスセラミックグリーンシート２４とを組み合わせてガラスセラミックグリーンシート積層体６を作製し、多層配線基板６０よりも大きな質量の放熱板７をガラスセラミックグリーンシート積層体６の上面に積層して焼成した後、多層配線基板６０のキャビティに半導体素子９を実装することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温になると短寿命になったり、故障したりするＬＥＤパッケージ、高負荷半導体、高負荷コンデンサーやそれらの組合せからなる集積回路基板に有用な放熱体を提供する。
【解決手段】熱拡散率の良好な、黒鉛一金属複合体と放熱面積が大きいアルミニウムヒートシンクとの組合せにより、安価で、機械的強度にも優れ、尚かつ放熱効果の優れた放熱体を構成する。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール用ベース板として好適なアルミニウム−炭化珪素質複合体を提供すること。
【解決手段】平均粒子径０．５〜３０μｍの炭化珪素粉末２０〜６０体積％、並びに、コークス系炭素を黒鉛化した平均粒子径１〜１０００μｍの黒鉛粉末２０〜６０体積％を混合し、成形体の充填率が６０〜８０体積％になるように５ＭＰａ以上の圧力でプレス成形を施した後、温度６００〜７５０℃に加熱して、溶湯鍛造法により２０ＭＰａ以上の圧力でアルミニウム又はアルミニウム合金を加圧含浸し、さらに切断及び／又は面加工を行って板厚を２〜６ｍｍにすることを特徴とする、板状アルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】経済的で生産性が高く、しかも安定供給できる高精度の半導体用放熱部品を基体とするメタルウォールパッケージおよびセラミックウォールパッケージを提供。
【解決手段】粉末冶金法を適用して製造したCr−Cu合金に加工を施して得たCr−Cu合金板を冷間プレス加工した成形体であり、かつCr含有量が30質量％超え80質量％以下で残部がCuおよび不可避的不純物からなり、前記不可避的不純物がＯ：0.15質量％以下、Ｎ：0.1質量％以下、Ｃ：0.1質量％以下、Al：0.05質量％以下、Si：0.10質量％以下である半導体用放熱部品を基体とし、前記基体および、金属枠体あるいはセラミック枠体を具備することを特徴とするメタルウォールパッケージあるいはセラミックウォールパッケージ。 （もっと読む）

【課題】信頼性および冷却機能の高いパワーモジュールを提供する。
【解決手段】パワーモジュール１０は、半導体素子が形成された半導体チップ１１ａ，１１ｂと、半導体チップ１１ａ，１１ｂで発生した熱を熱交換媒体に放出するためのヒートシンク部材２１と、ヒートシンク部材２１と半導体チップ１１ａ，１１ｂとの間に介在する金属配線２３及び絶縁樹脂層２６とを備えている。ヒートシンク部材２４は、半導体チップ１１ａ，１１ｂと熱膨張係数差が小さく熱伝導率の高いＳｉ−ＳｉＣからなり、平板部２１ａと、平板部２１ａから熱交換媒体にさらされる領域に突出するフィン部２１ｂとを有している。 （もっと読む）

本開示は、ヒートシンクを形成するために、ＴＰＧ要素が埋め込まれたアルミニウムおよび／または銅材料のブロックを作り出すことに関する。この金属ブロックは、向上した熱伝導性をＸ−Ｙ平面に有する。さらに、ＴＰＧ埋込みヒートシンクは、多くの様々な施設で様々な機械および機器を使用して実施できる方法を用いて作り出すことができる。 （もっと読む）