【課題】本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製
方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を
有する基材に貼りつけられたＯＬＥＤを有する発光装置、曲面を有する基材に貼りつけら
れた液晶表示装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明は、基板上に素子を含む被剥離層を形成する際、素子のチャネルとし
て機能する領域のチャネル長方向を全て同一方向に配置し、該チャネル長方向と同一方向
に走査するレーザー光の照射を行い、素子を完成させた後、さらに、前記チャネル長方向
と異なっている方向、即ちチャネル幅方向に湾曲した曲面を有する基材に貼り付けて曲面
を有するディスプレイを実現するものである。 （もっと読む）

【課題】製造時間と製造価格を増加することなく多結晶シリコン粒径の微小化と均一化を
行なうための技術を提供する。
【解決手段】基板１００上に形成したシリコン層１０４をレーザビーム１０６の照射によ
って結晶化して多結晶シリコン層１０８を得る半導体装置などに用いられ、基板１００と
シリコン層１０４との間にバッファ層１０２が形成されている。バッファ層１０２を有す
るこのようなバッファ化基板において、該バッファ層１０２は、基板１００の限界温度よ
りも高い融点を有し、さらに、シリコン層１０４の結晶化に際し、バッファ層１０２上に
均一なシリコン結晶粒子を形成するためシリコン層１０４の核生成密度を規定し、かつシ
リコン層１０４の結晶化過程における等方粒成長の基礎として機能する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を有する基材に貼りつけられたＯＬＥＤを有する発光装置、曲面を有する基材に貼りつけられた液晶表示装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明は、基板上に素子を含む被剥離層を形成する際、素子のチャネルとして機能する領域のチャネル長方向を全て同一方向に配置し、該チャネル長方向と同一方向に走査するレーザー光の照射を行い、素子を完成させた後、さらに、前記チャネル長方向と異なっている方向、即ちチャネル幅方向に湾曲した曲面を有する基材に貼り付けて曲面を有するディスプレイを実現するものである。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。
【解決手段】基板上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程と、人間の手又は前記薄膜トランジスタを引き剥がす装置を用いることにより、前記酸化物層の層内または界面において前記基板から前記薄膜トランジスタを剥離する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本願発明で開示する発明は、従来と比較して、さらに結晶成長に要する熱処理時間を短縮してプロセス簡略化を図る。
【解決手段】
一つの活性層２０４を挟んで二つの触媒元素導入領域２０１、２０２を配置して結晶化を行い、触媒元素導入領域２０１からの結晶成長と、触媒元素導入領域２０２からの結晶成長とがぶつかる境界部２０５をソース領域またはドレイン領域となる領域２０４ｂに形成する。 （もっと読む）

【課題】焼成時における膜中の異常結晶成長を防止することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。
【解決手段】表面に薄膜が形成された半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入されて保持プレート７に保持される。半導体ウェハーＷは保持プレート７に内蔵されたヒータなどによって所定温度に温調される。その後、フラッシュ照射部５のフラッシュランプＦＬから半導体ウェハーＷに向けてフラッシュ光が照射され、薄膜の焼成処理が行われる。発光時間が極めて短く強度の強いフラッシュ光であれば、薄膜の表面温度を瞬間的に昇温させてすぐに降温させることができる。このため、膜中に長時間焼成に起因した異常結晶成長が生じるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】光学調整に困難を伴うことなく、３以上のレーザビームを照射面にて合成し、高出力で生産性を向上させることができるレーザを照射する技術の提供。
【解決手段】その技術は、波長の互いに異なるレーザ発振器とダイクロイックミラー、又はそれに加えて偏光子を用いてレーザビームを合成し、高出力で生産性を向上させレーザを照射するものであり、例えばレーザ発振器から射出されたレーザ光１をダイクロイックミラー１を通過させ、レーザ光１とは波長の異なるレーザ発振器から射出されたレーザ光２をダイクロイックミラー１で反射させてレーザ光を合成し、合成されたレーザ光を照射レーザ光とし、照射レーザ光を照射面上に投影するものである。 （もっと読む）

【課題】現在、良質な膜を得るために、下地膜から非晶質シリコン膜までの形成プロセスは、各々の成膜室にて行われている。これらの成膜条件をそのまま用いて同一成膜室にて下地膜から非晶質シリコン膜までを連続形成すると、結晶化工程で十分に結晶化されない。
【解決手段】水素希釈したシランガスを用いて非晶質シリコン膜を形成することにより、下地膜から非晶質シリコン膜までを同一成膜室内で連続形成しても、結晶化工程で十分に結晶化可能となる。 （もっと読む）

【課題】メモリデータを外部回路を用いずに、コピーを行う半導体記憶装置を提供することを課題とする。
【解決手段】複数のメモリセルの第一端子が共通接続されたビット線と、ビット線に接続され、読み出し時にビット線を特定の電位にプリチャージするプリチャージ回路と、メモリセルから読み出したデータ、もしくはメモリセルへの書き込みデータを一時的に保持する容量素子を有するデータ保持回路と、データ保持回路で保持しているデータの反転データをビット線に出力する反転データ出力回路とを有し、反転データ出力回路は、データ保持回路で保持しているデータの反転データの出力を制御する手段を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ光のエネルギー強度の弱い部分を遮断し、かつ光の回折による縞を発生させることなく、線状レーザ光を照射面に照射することができる、照射面上に均一強度の線状ビームを照射するレーザアニール方法及びレーザアニール装置の提供。
【解決手段】レーザ発振器１０１から射出されたレーザ光をスリット１０２を通過させて強度の弱い部分を遮断し、ミラー１０３で偏向させ、スリットにできた像を凸型シリンドリカルレンズ１０４によって照射面１０６に投影して照射面上に均一強度の線状ビームを照射することでレーザアニールを行う。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上に結晶性の良好な半導体層を形成することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層４１上に厚さ４ｎｍ〜１μｍの非晶質の半導体層４３を形成する工程と、この半導体層４３に対して、波長が３５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内のエネルギービームを照射することにより、半導体層４３を結晶化させる工程とを含んで、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池用のシリコン半導体膜を、空気中での塗布膜形成と、その前駆体膜の加熱あるいはレーザー照射により得るための、組成物および塗布型のシリコン−ゲルマニウム膜およびシリコン−ゲルマニウム膜の製造方法を提供する。
【解決手段】四塩化ゲルマニウムを出発原料として合成した主鎖骨格が３次元状のＧｅ−Ｇｅ結合から成り、側鎖に有機置換基を有するゲルマニウム樹脂が、シリコン粒子の表面を被覆するよう、ゲルマニウム樹脂とシリコン粒子とを混合粉砕し、該混合粉砕物を有機分散媒中で混合した組成物を製膜した後、熱処理やレーザー照射する。 （もっと読む）

【課題】金属元素を用いた結晶化法において、ゲッタリングのために必要な不純物元素の濃度が高く、その後のアニールによる再結晶化の妨げとなり問題となっている。
【解決手段】
本発明は半導体膜に、希ガス元素を添加した不純物領域を形成し、加熱処理およびレーザアニールにより前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行なうことを特徴としている。そして、半導体膜が形成された基板（半導体膜基板）の上方または下方からレーザ光を照射してゲート電極を加熱し、その熱によってゲート電極の一部と重なる不純物領域を加熱する。このようにして、ゲート電極の一部と重なる不純物領域の結晶性の回復および不純物元素の活性化を行なうことを可能とする。 （もっと読む）

【課題】非晶質上に低コストで高性能な半導体装置を形成する技術を提供する。
【解決手段】ＧｅがＳｉ濃度よりも高濃度に含まれた疑似Ｇｅ領域（２）を含有し、該領域のＧｅ濃度は初期ＳｉＧｅ薄膜中のＧｅ濃度よりも高濃度であり、リボン形状をした結晶粒（１）は、互いに平行で且つ直線状に配置している疑似Ｇｅ領域（２）に挟まれる構造を有し、結晶粒（１）内においてＧｅ濃度はＳｉ濃度よりも低濃度であり、且つ結晶粒（１）内のＧｅ濃度は初期ＳｉＧｅ薄膜中のＧｅ濃度よりも低濃度であり、さらに各々の結晶粒（１）は相互に同一の方位を有する結晶粒から成っていることを特徴とする非晶質上の半導体薄膜からなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】画素構造を最適化することにより、開口率を向上させたＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】スイッチング用ＴＦＴのゲート電極に近接して設けられた半導体層と、電流制御用ＴＦＴのゲート電極に近接して設けられた半導体層と、スイッチング用ＴＦＴのゲート電極および電流制御用ＴＦＴのゲート電極と同一面上に設けられたソース配線と、スイッチング用ＴＦＴのゲート電極、電流制御用ＴＦＴのゲート電極、およびソース配線を覆う絶縁膜と、ソース配線および前記スイッチング用ＴＦＴの半導体層に電気的に接続された第１の接続配線と、電流制御用ＴＦＴのゲート電極および前記スイッチング用ＴＦＴの半導体層に電気的に接続された第２の接続配線と、電流制御用ＴＦＴの半導体層と電気的に接続された画素電極と、発光層と、画素電極と対向する電極とを有するＥＬ素子とを有するＥＬ表示装置。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層のテーパー形状を有する端部の特性を良好にすることを課題とする。
【解決手段】加速されたイオンを単結晶半導体基板に照射することによって、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、単結晶半導体基板とベース基板とを、絶縁膜を介して貼り合わせ、脆化領域において単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁膜を介して第１の単結晶半導体層を形成し、第１の単結晶半導体層に対してドライエッチングを行って、端部の形状がテーパー形状である第２の単結晶半導体層を形成し、第２の単結晶半導体層の端部に対して、ベース基板側の電位を接地電位としたエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】セレクターの形成にあたり、不純物の拡散を抑制しつつ、非晶質膜を結晶化させる方法を提供する。
【解決手段】第１の不純物が添加された第１の非晶質膜を堆積し、第１の非晶質膜の上に、第３の非晶質下層膜を堆積し、第３の非晶質下層膜の上に、微結晶を形成し、微結晶を覆うように、第３の非晶質下層膜の上に、第３の非晶質上層膜を堆積し、第３の非晶質上層膜の上に、第２の不純物が添加された第２の非晶質膜を堆積する。さらに、マイクロ波を照射することにより、第１の非晶質膜を結晶化して、第１導電型結晶層を形成し、第２の非晶質膜を結晶化して、第２導電型結晶層を形成し、第３の非晶質下層膜と第３の非晶質上層膜とを結晶化して、第３導電型結晶層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ビームスポットの面積を飛躍的に広げ、結晶性の劣る領域の占める割合を低減することができるレーザ照射装置の提供を課題とする。また連続発振のレーザ光を用いつつ、スループットをも高めることができる、レーザ照射装置の提供を課題とする。さらに本発明は、該レーザ照射装置を用いたレーザ照射方法及び半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】高調波のパルス発振の第１のレーザ光により溶融した領域に、連続発振の第２のレーザ光を照射する。具体的に第１のレーザ光は、可視光線と同程度かそれより短い波長（８９０ｎｍ以下程度）を有する。第１のレーザ光によって半導体膜が溶融することで、第２のレーザ光の半導体膜への吸収係数が飛躍的に高まり、第２のレーザ光が半導体膜に吸収されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】一層の半導体層から膜厚の異なる半導体層を有する半導体薄膜基板を提供することを目的の一とする。または、半導体薄膜基板を適用した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に半導体層を形成し、半導体層を加工して第１の島状半導体層および第２の島状半導体層を形成し、第１の島状半導体層にレーザー照射を行うことにより第１の島状半導体層を溶融させ、第１の島状半導体層から第２の島状半導体層より膜厚が厚い第３の島状半導体層を形成する、半導体薄膜基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】アモルファス薄膜の溶融結晶化時に生じる凹凸の影響を受けないようなトップゲート型ＴＦＴ素子などの作製が可能な結晶化半導体薄膜の製造方法および該凹凸が表面にない結晶化半導体薄膜を提供する。
【解決手段】本発明の結晶化半導体薄膜の製造方法は、第１基板１上層に剥離層２を介して剥離可能に形成したアモルファス半導体薄膜４ａを溶融結晶化させ、その後、結晶化した結晶化半導体薄膜４ｐの表面側を接合面にして接着剤６を介して第２基板５上層に前記結晶化半導体薄膜４ｐを接合するとともに該結晶化半導体薄膜４ｐを第１基板側１から剥離する。本発明の結晶化半導体薄膜は、基板上層に設けられた結晶化半導体薄膜であって、該結晶化半導体薄膜は、前記基板上層に接合層を介して接合されており、かつ該接合層に対する接合面側に溶融結晶化に伴う凹凸形状を有する。 （もっと読む）