【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】島状の半導体領域３０８と、前記島状の半導体領域３０８の側面及び上面を覆って設けられたゲート絶縁膜３１０と、前記ゲート絶縁膜３１０を介して前記島状の半導体領域３０８の前記側面及び前記上面を覆って設けられたゲート電極とを有し、前記島状の半導体領域３０８の前記側面及び前記上面はチャネル形成領域として機能する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】往路の照射エリアと復路の照射エリアとを合致させる。
【解決手段】シャッター機構（２）が照射オン指令信号を受け取ってから照射オン状態になるまでのオン遷移時間をｔ１とするとき、照射オフ状態で基板（Ｂ）をｘ方向に移動し、ｘ方向位置検出手段（１１）で検出した基板（Ｂ）のｘ方向位置に基づいて、照射エリアの照射開始端にレーザビーム（Ｌ）が到達すると推定される時刻よりもｔ１時間だけ前に照射オン指令信号を出力する。
【効果】シャッター手段によりレーザ照射のオン／オフを行うレーザアニール装置であって、往復走査によりレーザ照射を行う場合でも、往路の照射エリアと復路の照射エリアとを合致させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】汚染物質がマイクロレンズに付着することを防止することができると共に、マイクロレンズアレイの下面に配置する保護膜の寿命を延長することができるマイクロレンズアレイを使用したレーザ処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】マイクロレンズアレイ２を４個の領域に分割し、各領域のマイクロレンズ４ａ〜４ｄを交互に使用して、基板を移動させつつ、レーザアニールする。使用するマイクロレンズ４ａ〜４ｄの順番を、往復移動方向（第１及び第２の方向）の外側のものから２個づつ耐用回数を超えるまで、順次使用していくようにすることにより、アニール時の蒸散物質を基板移動時の空気流により外部に排出することができ、保護膜に付着する量を可及的に低減する。 （もっと読む）

【課題】レーザビームの照射エネルギーの維持管理が容易で、且つ照射パターンの形状乱れを抑制する。
【解決手段】ＴＦＴ基板１０上に形成されたアモルファスシリコン膜に複数のレーザビームＬｂを照射してアニール処理するレーザアニール装置であって、ＴＦＴ基板１０上の被アニール領域の形状に相似形の複数の開口を形成したマスク３と、マスク３の複数の開口を夫々通過した複数のレーザビームＬｂを、一面に形成した複数のマイクロレンズを介してＴＦＴ基板１０上に集め、アモルファスシリコン膜に一定の光エネルギーを付与するマイクロレンズ基板４と、半円柱状の形状を成し、マイクロレンズ基板４を挟んでその両縁部の位置に軸心を略平行にして対向配置され、頂部がマイクロレンズの頂部の位置よりもＴＦＴ基板１０側に突出した一対のガイド２５と、一対のガイド２５間に移動可能に張設されレーザビームＬｂを透過するフィルム２２と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】ビームスポットの面積を飛躍的に広げ、結晶性の劣る領域の占める割合を低減することができるレーザ照射装置の提供を課題とする。また連続発振のレーザ光を用いつつ、スループットをも高めることができる、レーザ照射装置の提供を課題とする。さらに本発明は、該レーザ照射装置を用いたレーザ照射方法及び半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】高調波のパルス発振の第１のレーザ光により溶融した領域に、連続発振の第２のレーザ光を照射する。具体的に第１のレーザ光は、可視光線と同程度かそれより短い波長（８９０ｎｍ以下程度）を有する。第１のレーザ光によって半導体膜が溶融することで、第２のレーザ光の半導体膜への吸収係数が飛躍的に高まり、第２のレーザ光が半導体膜に吸収されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】同種の基板の基板搬送方向と交差方向にオフセットした位置に光を照射する場合にも、移動中の基板に対する追従性を良好にする。
【解決手段】基板の搬送方向と交差する方向に一定の配列ピッチで形成され、光を通過させる複数のマスクパターン２と、基板上に設けられた複数のパターンの基板搬送方向と交差方向の配列ピッチの整数倍に等しい間隔を有して基板搬送方向に平行に形成された一対の細線４ａ，４ｂを備えた構造をなし、複数のマスクパターン２に対して基板搬送方向と反対側の位置に基板搬送方向に相互に一定距離はなれて配置されると共に、一対の細線４ａ，４ｂ間に予め設定された基準位置が基板搬送方向と交差する方向に予め定められた距離だけ相互にずれた状態に形成された複数のアライメントマーク４と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】被照射物内に厚さのばらつきが存在する場合であっても、被照射物に対してレーザ光の照射を均一に行うレーザ光の照射方法を提供する。
【解決手段】厚さのばらつきが存在する被照射物にレーザ光を照射する際に、オートフォーカス機構を用いることによって、被照射物の表面にレーザ光を集光するレンズと被照射物間との距離を一定に保ちながらレーザ光の照射を行う。特に、レーザ光に対して被照射物を被照射物の表面に形成されたビームスポットの第１の方向および第２の方向に相対的に移動させて、被照射物にレーザ光の照射を行う場合に、第１の方向および第２の方向のいずれかの方向に移動させる前にオートフォーカス機構によってレンズと被照射物間との距離を制御する。 （もっと読む）

本発明は半導体材料を照射するための装置に関し、本装置は、一次レーザービームを生成するレーザーと、光学系と、一次レーザービームを複数の二次レーザービームに成形するための複数の開口部を含む一次レーザービーム成形手段と、を含み、個々の開口部の形状および／またはサイズは照射対象半導体材料層の共通領域の形状および／またはサイズに対応し、光学系は、共通領域を照射するために二次レーザービームを重ね合わせるのに適合している、ことを特徴とする。さらに、本発明は、半導体デバイス製造におけるこのような装置の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】レーザを照射して薄膜トランジスタに用いる微結晶薄膜を形成する工程において、結晶性の周期的な劣化を回避し、安定して均一性能の微結晶膜を形成することができる平面表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】連続発振レーザ光を非晶質シリコン膜表面に照射し、一定の速度でレーザを基板に対して相対的に走査しながら結晶化する際に、非晶質シリコン膜の一領域あたりへのレーザ照射時間が０．１ｍｓ以上となるように走査し、結晶化を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体膜から粒径の大きな結晶相の半導体を得る工程において、以降の工程で、アライメントマークとして利用可能なマーク構造を、同一の露光工程において半導体膜に形成する。
【解決手段】この発明は、光を変調して結晶化のための光強度分布を形成する光強度変調構造ＳＰと、光強度変調構造と一体にまたは独立に設けられ、光を変調して所定形状のパターンを含む光強度分布を形成するとともに結晶化領域の予め定められた位置を示すマーク形成構造ＭＫと、を有することを特徴とする光変調素子３に関する。この光変調素子によれば、絶縁基板上に所定厚さに堆積された半導体膜の任意の位置に、結晶核を形成し、その結晶核から所定の方向に結晶を成長させるとともに、半導体膜の任意の位置にアライメントマークＡＭを、同一工程で形成できる。 （もっと読む）

【課題】基板処理の効率を高めることができ、また半導体膜の移動度を高めることができるレーザー結晶化法を用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体膜を成膜する成膜装置と、レーザー装置とを備えたマルチチャンバー方式の半導体製造装置であり、レーザー装置は、被処理物に対するレーザー光の照射位置を制御する第１の手段と、レーザー光を発振する第２の手段（レーザー発振装置１２１３）と、前記レーザー光を加工または集光する第３の手段（光学系１２１４）と、前記第２の手段の発振を制御し、なおかつ第３の手段によって加工されたレーザー光のビームスポットがマスクの形状のデータ（パターン情報）に従って定められる位置を覆うように前記第１の手段を制御する第４の手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールによる結晶化を利用した半導体薄膜の形成において、その結晶化度を従来よりも高精度に評価することが可能な半導体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて照射光Ｌoutを照射し、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の透過画像を取得する。画像処理用コンピュータ１５において、ｐ−Ｓｉ膜２３（結晶化領域５１）の透過輝度とａ−Ｓｉ膜２３０（未結晶化領域５０）の透過輝度との透過コントラストを求める。この際、予め形成された基準マーク６を用いて、結晶化領域５１内および未結晶化領域５０内におけるコントラスト算出用領域６０，６１を特定し、これらのコントラスト算出用領域６０，６１を用いて透過コントラストを求める。そして、求めた透過コントラストに基づいて、ｐ−Ｓｉ膜２３に対する選別を行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を有する基材に貼りつけられた有機発光素子を有する発光装置の提供を課題とする。
【解決手段】 金属層または窒化物層からなる第１の材料層と酸化物層からなる第２の材料層との積層を利用して基板に設けられた有機発光素子を含む被剥離層をフィルムに転写し、フィルム及び被剥離層を湾曲させることによって曲面を有するディスプレイを実現する。 （もっと読む）

【課題】必要な部分のみを照射することで設備の小型化かつ安価を実現でき、生産性の高い結晶化処理が可能な半導体の結晶化照射方法および結晶化照射装置を提供する。
【解決手段】レーザ発振器１から出射したレーザビームＬを回折光学素子３により複数に分岐し、テレセントリックｆθレンズ４と、分岐されたレーザビームＬのビーム列に対して直交する方向に移動する移載ステージ６とを使用して、基板５上に形成されるトランジスタ位置のピッチごとにレーザビームＬを照射する。これにより、照射痕が少なく、プロセスパラメータの変更が少なく、かつ基板５への熱負荷が少ない状態で、複数のトランジスタ位置を同時にかつ均一に結晶化することができる。 （もっと読む）

【課題】大型マザーガラスに対して、ムラのない均一なレーザアニール処理を行うことができるレーザアニール装置及びレーザアニール方法の提供。
【解決手段】可視光を連続発振する複数のレーザ発振器１０１と、複数のレーザ発振器に接続された複数の光ファイバー１０２であって、それぞれの光ファイバーの一端がそれぞれのレーザ発振器に接続されている光ファイバーと、複数の光ファイバーのそれぞれの他端が配置されるファイバーアレイ１０３と、ファイバーアレイ上に配置された光ファイバーの他端の射出面から射出されたレーザ光を、非晶質シリコン半導体膜が表面に堆積している基板１０５の照射面上にて線状に整形する光学系１０４と、線状ビームと基板とを相対的に走査する機構とを有してなる。このレーザアニール装置を用いて、基板上の非晶質シリコン半導体膜をレーザアニールして結晶質シリコン半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】温度変化に伴う基板の位置変位に対して、基板上の任意の位置における位置変位を補正する。
【解決手段】基板ステージの各位置における温度変化による膨張や伸縮を位置変位として関数化し、基板上の所定位置での位置変位から、補正対象の位置変位に関わるパラメータ値を求め、このパラメータ値を関数に適用することによって基板上の任意の位置の位置変位を求める。基板ステージの各位置の温度変化による位置変位を、経過時間を変数とする関数で表し、この位置変位の関数をデータテーブルとして備えておき、基板ステージ上に載置される基板の任意の位置における位置変位を求める工程と、求めた位置変位に対応する基板の温度変化の経過時間を関数を用いて求める工程と、経過時間算出工程で求めた経過時間を基板ステージの各位置で定められた関数に代入して補正データを算出する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】バッファー膜、光熱変換膜を形成および除去する工程を経ることなく、ガラス基板上に形成した非晶質シリコン膜の所望の領域に直接、連続発振レーザ光を照射して微結晶シリコン膜に変換することにより、特性バラツキが小さく、特性の方向依存性のないトランジスタで構成された平面表示装置を製造する。
【解決手段】透明基板３１上に成膜した非晶質シリコン薄膜３３の所望の領域に、連続発振レーザ光を矩形状で均一なパワー密度分布を有するビームに整形し、連続発振レーザ光の照射時間（任意の点の通過時間）が０．５ミリ秒以上となる条件で定速走査しながらレーザ光３６を照射し、微結晶シリコン薄膜３４に変換する。このとき、照射するレーザ光の波長として、非晶質シリコンに対する浸透深さ（吸収係数の逆数）が非晶質シリコン膜の膜厚より大きく、かつ非晶質シリコンに対する吸収係数が結晶シリコンに対する吸収係数より大きい波長を選択する。 （もっと読む）

【課題】 高移動度及び閾値電圧のばらつきの少ない大粒径多結晶半導体を用いた薄膜半導体装置を提供すること。
【解決手段】 絶縁基板上に成膜された多結晶半導体薄膜に形成された薄膜半導体素子を具備する薄膜半導体装置であって、前記薄膜半導体素子は、ソース領域、ドレイン領域、及びこれらの間に介在するチャネル領域を具備し、前記チャネル領域に存在する多結晶半導体の結晶粒の主要な面方位は、半導体結晶の逆極点図において、｛１００｝、｛３１０｝、及び｛３１１｝により囲まれた領域内の面方位であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エネルギービームを用いた半導体膜の熱処理によって半導体素子を形成するにあたり、スループットを向上する。
【解決手段】本発明は、処理対象となる半導体膜１１を備えた基板１０を載置するステージ２０と、ステージ２０に載置された基板１０の半導体膜１１上に、複数のエネルギービームの照射点が一定間隔で並ぶようエネルギービームＢを供給する供給部３０と、供給部３０によって供給される複数のエネルギービームＢの照射点の並びと平行とならない方向に複数のエネルギービームＢと基板１０とを相対移動させ、複数のエネルギービームＢの照射点を半導体膜１１上で並列に走査し、半導体膜１１の熱処理を制御する制御部４０とを有する半導体処理装置である。 （もっと読む）

【課題】レーザースキャン照射で生じるビーム集光密度のばらつきを抑制する装置を提供する。
【解決手段】連続発振レーザー光を出力する連続発振レーザー光発振源３と、連続発振レーザー光を基板表面でスキャン照射するレーザー光スキャン照射部６と、連続発振レーザー光発振源３とレーザー光スキャン照射部６との間の光路上に配置され、連続発振レーザー光のビーム集光位置を調整するビーム集光位置調整部５と、レーザー光スキャン照射部６とビーム集光位置調整部５とを制御する制御部７とを備えた構成とする。制御部７は、レーザー光のスキャン動作とビーム集光位置調整動作とを同期させ、レーザー光スキャン照射部６による基板表面上におけるレーザー光のスキャン位置に対応させてビーム集光位置調整部５のビーム集光位置調整量を制御することによって、ビーム集光位置を基板表面のスキャン位置に位置合わせを行う。 （もっと読む）