絶縁体上窒化ガリウム半導体構造を製造する方法および装置が：透明基板に単結晶シリコン層を接合するステップ；および単結晶シリコン層上に単結晶窒化ガリウムを成長させるステップを用いる。
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【課題】表面が滑らか若しくは平面的な状態に保たれた密な一次元構造配列又はクロスバー構造を容易に作製できる方法を提供する。
【解決手段】一次元構造配列又はナノクロスバー構造を基板上で、以下のようにして作製する。(i) 基板をセット；(ii) 前記基板上に近接して、スリットを有するシャドーマスク５をセット；(iii) 前記基板上に、第一層を堆積させるための原料を供給； (iv)前記シャドーマスクを、前記基板との平行性を保ちながら、前記基板に対して所定の距離だけ、前記スリットの長さ方向に対する直角方向に移動； (v) 前記基板上に、第二層を堆積させるための別の原料を供給；(vi) 前記シャドーマスクを、前記基板との平行性を保ちながら、前記基板に対して所定の距離だけ、前記スリットの長さ方向に対する直角方向に移動；(vii) シャドーマスク又は基板の総移動距離がスリットピッチに達するまで、上記工程(iii)-(vi)を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】幅広い用途に対応することができ、製造コストが低く、大面積化が可能な半導体素子、半導体素子の製造方法、発光素子及び電子素子を提供すること。
【解決手段】半導体素子の基板が金属を主成分とするので、大面積の単結晶基板を安価に得ることができる。しかも、金属にはフレキシブル性があるため、例えば基板を曲げて使用することが可能である。これにより、スペースに応じて曲げて使用するなどの幅広い用途に対応することができ、製造コストが低く、大面積化が可能な半導体素子を得ることができる。 （もっと読む）

活性領域と、適合可能な誘電層を有する半導体構造を形成する方法を開示する。１つの実施形態においては、半導体構造は、第１の半導体材料の酸化物を含む誘電層を有しており、誘電層と第１の半導体材料との間に第２の（組成的に異なった）半導体材料が形成される。別の実施形態においては、第２の半導体材料の格子構造に一軸性ひずみを与える目的で、第２の半導体材料の一部は、第３の半導体材料に置き換えられる。 （もっと読む）

【課題】単結晶基材の上にＡｌＮ系III族窒化物からなる単結晶層を形成した積層体から単結晶基材を除去して、自立基板を得る方法を提供する。
【解決手段】単結晶サファイア基材１ａの上にＡｌＮ系III族窒化物エピタキシャル膜からなる成長用下地層１ｂを設けた基板１の上に、ＡｌＮ系III族窒化物からなる単結晶層２を形成した積層体３を、基材１ａのみが基材１ａを構成する単結晶サファイアに対する酸化能を有さない非酸化雰囲気に曝される状態で、１４００℃以上の温度に加熱することで、基材１ａの熱分解を生じさせ、掃拭や吸引などによって除去容易な物質を生成させる。単結晶層２側は加熱によって転位が低減するので、ＡｌＮ系III族窒化物単結晶からなる結晶品質の優れた自立基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】大型で高品質なＡｌＮ結晶基板を製造することができるＡｌＮ結晶基板の製造方法、大型で高品質なＡｌＮ結晶を成長させることができるＡｌＮ結晶の成長方法およびその成長方法により成長したＡｌＮ結晶からなるＡｌＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】異種基板１上に異種基板１の口径ｒに対して０．４ｒ以上の厚さにＡｌＮ結晶２を昇華法により成長させる工程と、異種基板１から２００μｍ以上離れたＡｌＮ結晶２の領域からＡｌＮ結晶基板３を形成する工程と、を含む、ＡｌＮ結晶基板３の製造方法である。また、その製造方法により製造されたＡｌＮ結晶基板３上にＡｌＮ結晶２を昇華法により成長させるＡｌＮ結晶２の成長方法とその成長方法より成長したＡｌＮ結晶２からなるＡｌＮ結晶基板３である。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な手法によって低転位のＡｌＮ系III族窒化物厚膜を得ることができる方法を提供する。
【解決手段】所定の基材上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮ系III族窒化物成長下地層が形成されてなるエピタキシャル基板の上に、ＨＶＰＥ法によってＡｌＮ系III族窒化物厚膜をエピタキシャル形成する場合に、ＭＯＣＶＤ法における加熱温度よりも高い温度で該エピタキシャル基板を加熱処理した上で、厚膜層の形成を行うようにすることで、厚膜層の低転位化を実現することができる。すなわち、ＨＶＰＥ法を用いた厚膜成長に先立って、加熱処理という比較的簡便な処理を施すだけで、ＨＶＰＥ法による成長に際して特別の構成を有する装置を用いたり、あるいは成長条件に特段の限定を加えたりしなくとも、低転位のＡｌＮ系III族窒化物からなる厚膜層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】基板と、少なくとも２つの化合物ＡおよびＢを含む材料の複数の層のスタックとから成る積層層構造の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物Ａが基板３上でホモエピタキシャル成長又はヘテロエピタキシャル成長が十分にできるような結晶構造を有し、スタック５の層の少なくとも一部は、ｘが０≦ｘ≦１の範囲を有する組成パラメータであり、且つ、組成パラメータ（１−ｘ_ｇ）が対応する層の厚みの上に徐々に、特に線形に増大する勾配組成Ａ_ｘＢ_{（１−ｘｇ）}を有する。表面粗さと転位密度に関して積層層構造１の品質を改善するため、スタック５内の勾配組成を有する層と後続層との界面で、組成パラメータが、勾配組成を有する層側の組成パラメータ（１−ｘ_ｇ）よりも小さくなるように選択される。本発明は、また、このような積層層構造１を製造する方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】 高温のアニール処理を長時間に亘って行うことにより発生する窒素空孔の形成という問題を生じさせることなく、アクセプタの活性化を行い、キャリア濃度の高い（低抵抗の）ｐ形の窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子の製法を提供する。
【解決手段】 基板１上に窒化物半導体からなる半導体積層部６を形成し、その半導体積層部６の表面側から、λ＝ｈ・ｃ／Ｅ以下（ＥはＭｇとＨとの結合を切り離し得るエネルギー）の波長λのレーザ光を照射する。その後に、３００〜４００℃の熱処理を行う。そして、通常の窒化物半導体ＬＥＤの製造工程と同様に透光性導電層７を設け、半導体積層部６の一部をエッチングにより除去して露出するｎ形層３にｎ側電極９を、透光性導電層７の表面にｐ側電極８を形成する。 （もっと読む）

【課題】 アモルファス状の低温バッファ層を形成することなく、直接窒化物半導体のａ軸とｃ軸の両方が揃った単結晶層を基板上に形成し、その単結晶層上に窒化物半導体層がエピタキシャル成長された窒化物半導体発光素子やトランジスタ素子などの窒化物半導体素子、およびその窒化物半導体単結晶層を直接成長する方法を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体が格子整合しない基板１上に窒化物半導体層３が成長される場合に、基板１上に、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）からなりａ軸およびc軸が整列した単結晶の緩衝層２が直接設けられ、その単結晶の緩衝層２上に窒化物半導体層３がエピタキシャル成長されている。この単結晶の緩衝層は、ＰＬＤ法を用いることにより形成することができる。 （もっと読む）

最も近い既知の方法では、コヒーレント光源の光が目下の層表面に送出され、成長に依存して変化する微細な粗さに基づく拡散性の後方散乱が検出器によって時間に依存して検出される。これによって特徴的な点を介して、プロセスとの時間的な関連が形成される。しかしこの公知の方法は場所分解能を有しておらず、場所固定の基板でのみ使用可能である。従って、特に太陽電池用のカルコパイライト薄膜技術において使用される継続作動における同時蒸着用の本発明による方法では光ビーム（ＬＬＳ）が周期的かつ継続的に移動基板（Ｓ）にわたってガイドされ、ここで光ビーム（ＬＬＳ）の走査速度は移動基板（Ｓ）の前進速度よりも格段に高い。後方散乱光の検出は、目下の層表面上の入射場所に依存して行われる。測定された特徴的な点（１，２，２ａ，３，４）を既知の析出プロセスに割当てることによって場所的な散乱光プロフィールが作成される。この散乱光プロフィールによって、予期される層のクオリティに関する予測がデポジションプロセスの各時点および場所でなされる。偏差は現場で、相応のプロセスパラメータを変えることによって調整される。
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