【課題】薄層化された自立性のシリコン単結晶膜を提供し、また、剥離時の熱処理温度を格段に低減することができる新たなシリコン単結晶膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶膜６は、Ｓｉの含有率が、９０原子％以上であり、厚みが、５０μｍ以下であり、自立性がある。 （もっと読む）

【課題】剥離前の形状及び特性を保った良好な状態で転置工程を行えるような、剥離工程
を用いて半導体装置及び表示装置を作製できる技術を提供する。よって、より高信頼性の
半導体装置及び表示装置を装置や工程を複雑化することなく、歩留まりよく作製できる技
術を提供することも目的とする。
【解決手段】透光性を有する第１の基板上に光触媒物質を有する有機化合物層を形成し、
光触媒物質を有する有機化合物層上に素子層を形成し、光を第１の基板を通過させて、光
触媒物質を有する有機化合物層に照射し、素子層を前記第１の基板より剥離する。 （もっと読む）

【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を形成することができるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜の製造方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、Ｓｎを添加しながらβ−Ｇａ_２Ｏ_３結晶をβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上、又は前記β−Ｇａ_２Ｏ_３基板上に形成されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、Ｓｎ添加β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶膜を形成する工程と、第１の不活性雰囲気中で前記Ｓｎ添加β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶膜に第１のアニール処理を施す工程とを含む方法により、Ｓｎ添加β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】新規な多層膜構造体及びその形成方法を提供すること。
【解決手段】半導体素子用の多層膜構造体の形成方法であって、シリコンを含む基板上に、ゲルマニウム錫混晶からなる半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層上に表面保護層を形成する表面保護層形成工程と、前記半導体層に熱処理を施すことにより、前記ゲルマニウム錫混晶と前記シリコンを含む基板との固相反応を進め、シリコンゲルマニウム錫混晶からなる半導体歪印加層を形成する半導体歪印加層形成工程と、前記表面保護層を除去する除去工程と、前記半導体歪印加層の上方に、前記除去工程後に、歪半導体層を積層する積層工程とを含むことを特徴とする多層膜構造体の形成方法。 （もっと読む）

【課題】より安定した電気的特性の酸化インジウム亜鉛でなる酸化物半導体膜を提供する。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化インジウム亜鉛でなる酸化物半導体膜において、当該酸化物半導体膜は、ａ−ｂ面が酸化物半導体膜表面に概略平行である六方晶の結晶構造と、ａ−ｂ面が該酸化物半導体膜表面に概略平行である菱面体晶の結晶構造と、を有する酸化物半導体膜である。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合のＩ−Ｖ特性を向上させる半導体材料を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体材料は、酸化亜鉛の結晶を含有する粒子を備え、酸化亜鉛の結晶子の大きさが５〜５０ｎｍであり、酸化亜鉛の結晶における窒素の含有率が５００〜１００００質量ｐｐｍである。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを効率よく製造するために、基体の種類の如何を問わずに効率よく半導体ウエハを製造することができる半導体ウエハの製造方法、ならびにかかる製造方法に好適に用いられる複合基体および複合基板を提供する。
【解決手段】本半導体ウエハの製造方法は、基体１０上に、表面のＲＭＳ粗さが１０ｎｍ以下の基体表面平坦化層１２を形成して複合基体１を得る工程と、複合基体１の基体表面平坦化層１２側に半導体結晶層２０ａを貼り合わせて複合基板３Ａ，３Ｂ，３Ｃを得る工程と、複合基板３Ａ，３Ｂ，３Ｃの半導体結晶層２０ａ上に少なくとも１層の半導体層３０を成長させる工程と、基体表面平坦化層１２をウェットエッチングで除去することにより、基体１０から半導体結晶層２０ａを分離して、半導体結晶層２０ａおよび半導体層３０を含む半導体ウエハ５を得る工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】シンプルな製造工程により界面状態の良好な結晶性薄膜を立体形状を含む所望のパターンに形成可能であり、結晶化に要する熱処理温度を低減させることが可能な結晶性薄膜又は結晶性構造体の製造方法、及び当該製造方法により形成された結晶性薄膜を備えた構造体を提供する。
【解決手段】結晶性薄膜又は結晶性構造体の製造方法においては、蒸着・結晶化促進工程において、スパッタリング法による金属酸化物の蒸着、及びレーザー光照射による金属酸化物の結晶化促進が同時に行われる。蒸着・結晶化促進工程を経た基板３４は、所定の温度条件下においてアニールされる。これにより、金属酸化物が完全に結晶化された状態になる。 （もっと読む）

【課題】 水分に起因するＴＦＴ特性の変化を抑制した薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタは、基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極、およびドレイン電極が設けられ、活性層上にソース電極およびドレイン電極が設けられたものである。活性層は、アモルファス酸化物半導体により構成されており、ゲート絶縁膜内に存在する第１の水分量が活性層に存在する第２の水分量よりも少ない。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の材料膜（六方晶の結晶構造を有する膜）を形成し、第１の材料膜を核として、六方晶の結晶構造を有する第２の材料膜（結晶性酸化物半導体膜）を形成し、第１の材料膜と第２の材料膜の積層を形成する。第１の材料膜としては、ウルツ鉱型結晶構造を有する材料膜（例えば窒化ガリウム、或いは窒化アルミニウム）、或いはコランダム型結晶構造を有する材料膜（α−Ａｌ_２Ｏ_３、α−Ｇａ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｔｉ_２Ｏ_３、Ｖ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３、或いはα−Ｆｅ_２Ｏ_３）を用いる。 （もっと読む）

【課題】高品質のデバイス層が作製可能で、かつＧａＡｓ基板の剥離が容易な化合物半導体ウェハ、及び化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板上にデバイス層を有する化合物半導体ウェハ１０において、ＧａＡｓ基板１とデバイス層３の間に劈開性の優れた層状化合物からなる剥離層２を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を実現可能な炭化珪素基板、半導体装置および炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１は、炭化珪素からなるベース層１０と、単結晶炭化珪素からなり、ベース層１０上に配置され、ベース層１０よりも不可避不純物の濃度が低いＳｉＣ層２０と、炭化珪素からなり、ベース層１０の、ＳｉＣ層２０とは反対側の主面１０Ｄ上に形成され、ベース層１０よりも不可避不純物の濃度が低い被覆層９０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物単結晶が積層された積層体を冷却したとしても、該積層体の反り（結晶軸の歪み）が低減できる製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板／第１のＩＩＩ族窒化物単結晶層／第１の非単結晶層からなる積層基板を形成する工程、積層基板からベース基板を除去する工程、第１のＩＩＩ族窒化物単結晶層上にＩＩＩ族窒化物単結晶をエピタキシャル成長させて第２のＩＩＩ族窒化物単結晶層を形成する工程、第２のＩＩＩ族窒化物単結晶層上に、第２の非単結晶層を形成する工程、を含む積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】多層膜の成膜により生じた反りを矯正すること。
【解決手段】単結晶基板２０と、単結晶基板２０の片面に形成された２つ以上の層を有しかつ圧縮応力を有する多層膜３０とを含み、単結晶基板２０をその厚み方向において２等分して得られる２つの領域２０Ｕ、２０Ｄのうち、少なくとも単結晶基板２０の多層膜３０が形成された面側と反対側の面側の領域２０Ｄ内に、熱変性層２２が設けられている多層膜付き単結晶基板、その製造方法および当該製造方法を用いた素子製造方法 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体を用いた半導体素子の作製に用いる連続成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続するロードロック室と、基板を加熱する第１の加熱手段が設けられた基板保持部と、少なくとも基板保持部周辺の壁面を加熱する第２の加熱手段と、スパッタリング用ターゲットを固定するターゲット保持部とが備えられ、それぞれが１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する複数の成膜室と、１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する加熱室と、ロードロック室、加熱室、及び成膜室のそれぞれとゲートバルブを介して連結され、１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する搬送室とを少なくとも有し、ロードロック室、加熱室、成膜室及び搬送室のそれぞれと接続する真空排気する手段は、吸着型のポンプである成膜装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板の材質に関係なく半導体回路部分への高熱処理が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂基板２上にシリコーン樹脂で密度が０．７ｇ／ｃｍ3以下の多孔質構造体層４を設ける。ここでシリコーン樹脂は９５質量％以上がシルセスキオキサンまたはシロキサンからなり、シルセスキオキサンはメチルシルセスキオキサンまたはフェニルシルセスキオキサンであることが好ましい。この多孔質構造体層上に半導体素子層３を設け、この半導体素子層側からのみ間欠的に光または電子線により加熱する。 （もっと読む）

【課題】十分に結晶化された多結晶薄膜を提供する。
【解決手段】インジウム元素及び酸素元素を含有した非晶質膜をスパッタリング装置で成膜し加熱することで、Ｘ線回折測定において２θが２５ｄｅｇ〜３５ｄｅｇの範囲に観測される（２２２）配向のロッキングカーブの半値全幅が０．４ｄｅｇ以下である多結晶薄膜を形成する。又、金属酸化物をスパッタリングによって成膜するに際し、プラズマの照射を２〜５秒間隔として成膜しその後結晶化する。 （もっと読む）

【課題】HEMTのシート抵抗を非接触で精度良く測定することができる横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板およびこの電子デバイス用エピタキシャル基板を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】高抵抗Si単結晶基板の一方の面上に、不純物拡散抑制層を形成する工程と、前記高抵抗Si単結晶基板の他方の面上に、絶縁層としてのバッファを形成する工程と、該バッファ上に、複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて主積層体を形成してエピタキシャル基板を作製する工程と、該エピタキシャル基板の主積層体の抵抗を非接触で測定する工程とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ナノ／微小球リソグラフィによって製造されるナノ／マイクロワイヤ太陽電池を提供する。
【解決手段】 ナノワイヤ／マイクロワイヤ・ベースの太陽電池を製造する技術が提供される。一実施形態において、太陽電池を製造する方法が提供される。本方法は、以下のステップを含む。ドープ基板を準備する。基板の上に球の単層を堆積させる。球は、ナノ球、微小球、又はそれらの組み合わせを含む。球をトリミングして単層内の個々の球の間に空間を設ける。トリミングされた球をマスクとして用いて、基板内にワイヤをパターン形成する。ワイヤは、ナノワイヤ、マイクロワイヤ、又はそれらの組み合わせを含む。ドープ・エミッタ層をパターン形成されたワイヤ上に形成する。上部コンタクト電極をエミッタ層の上に堆積させる。底部コンタクト電極を基板のワイヤとは反対の側に堆積させる。 （もっと読む）