【課題】基板の裏面温度を上げないで表面の膜を加熱処理する方法として、加熱した熱容量の大きい固体を瞬時に接触させ離す方法がある。例えば基板に加熱したローラを回転させ線接触させる。しかし、基板のたわみやゴミなどで、基板の支持台との熱接触が均一にできないという課題がある。このために、大面積基板の均一な再現性のある熱処理が可能でなかった。
【解決手段】支持台と基板の間に粘性材を挿入する。均一な再現性のある熱接触が可能となった。屈曲可能なシート状の樹脂基板上の塗布膜に回転加熱ローラを接触させて膜を焼成する熱処理が可能となった。 （もっと読む）

【課題】成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAl_xGa_1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたスカンジウム窒化物膜とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高品質な窒化物単結晶を生産することが可能な窒化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明に係る窒化物単結晶の製造方法は、異種基板１を準備する工程と、上記異種基板１上に窒化物単結晶膜３を形成する工程とを備える。上記異種基板１が前記窒化物単結晶膜３の成膜温度範囲内で昇華する材料からなり、上記窒化物単結晶膜３を形成する工程では、上記異種基板１の昇華温度以下の温度から成膜を開始し、その後、上記異種基板１の昇華温度以上の温度に成膜温度を上げる。窒化物単結晶膜３はＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮであり、異種基板１はＳｉＣであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】単一半導体基板上にＨＢＴおよびＦＥＴのような複数異なる種類のデバイスを形成するに適した半導体基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体を結晶成長させる反応容器内に第１不純物原子を構成要素として有する単体または化合物を含む第１不純物ガスを導入する段階を含む複数の段階を繰り返して、複数の半導体基板を製造する方法であって、第１不純物ガスを導入する段階の後に、製造された半導体基板を取り出す段階と、反応容器内に第１半導体を設置する段階と、反応容器内に、第１半導体内で第１不純物原子と反対の伝導型を示す第２不純物原子を構成要素として有する単体または化合物を含む第２不純物ガスを導入する段階と、第１半導体を第２不純物ガスの雰囲気中で加熱する段階と、加熱した前記第１半導体上に第２半導体を結晶成長させる段階とを備える半導体基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、欠陥密度レベルの減少した、エピタキシーによる窒化ガリウム膜の製造に関する。それは、ＧａＮのエピタキシャル付着により窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を製造するための方法に関する。
【解決手段】本発明は、それが少なくとも１ステップのエピタキシャル横方向成長を含んでなり、それがＧａＮ基板への直接的イオン注入による脆化でその基板からＧａＮ層の一部を分離させるステップを含んでなることで特徴付けられる。本発明は、上記方法で得られる膜、並びに該窒化ガリウム膜を備えた光電子および電子部品にも関する。 （もっと読む）

【課題】成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAl_xGa_1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたスカンジウム窒化物膜とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所望の電気的特性を得やすい半導体基板、半導体装置及び半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、第１エピタキシャル層を形成する第１エピタキシャル層形成工程Ｓ１と、第１エピタキシャル層にトレンチを形成するトレンチ形成工程Ｓ２と、第１エピタキシャル層及びトレンチ内にエピタキシャル層を、異なる成長速度を含む複数の成長条件を用いて、トレンチ内を埋めるように形成し、複数の成長条件のそれぞれにおいてエピタキシャル層に取り込まれるドーパント濃度を一定にするエピタキシャル層形成工程Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５と備える。 （もっと読む）

【課題】低コストで単結晶薄膜を形成することができる薄膜形成方法及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に薄膜前駆体１３を堆積させる堆積ステップと、テンプレート２０の単結晶部分２２を前記薄膜前駆体１３に対して接触状態とする接触ステップと、前記薄膜前駆体１３のうち前記接触状態にある部分を結晶成長させる成長ステップと、前記テンプレート２０を前記薄膜前駆体１３から剥離させる剥離ステップとを備える。成長ステップでは、接触状態を保持しつつ薄膜前駆体１３を加熱することにより、薄膜前駆体１３のうちテンプレート２０側から基板１１側へと結晶成長を進行させる。剥離ステップにおいては、薄膜前駆体１３に負担を掛けないよう、例えばケミカルリフトオフ法又はレーザリフトオフ法を用いる。以上の方法により、結晶成長用の単結晶基板や複雑な装置を用いることなく、低コストで単結晶薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

本明細書では、界面汚染を低減した層の堆積方法を開示する。発明の方法は、有利には、堆積させた層間の汚染、例えば堆積させた層とその下にある基板または膜との間の界面の汚染を減少させる。幾つかの実施形態では、層の堆積方法は、第１の層が上に配置されたシリコン含有層を還元性雰囲気中でアニールすることと、アニールの後で、シリコン含有層を露出させるエッチングプロセスを使用して第１の層を除去することと、露出したシリコン含有層の上に第２の層を堆積させることとを含むことができる。
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【課題】低抵抗な窒化物層を基板へ貼り合わせた半導体基板の製造方法、半導体デバイスの製造方法、半導体基板および半導体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体基板１０の製造方法は、以下の工程を備えている。主面と、主面と反対側の裏面とを有する窒化物基板を準備する。窒化物基板の裏面に、気相のイオンを注入する。窒化物基板の裏面と、異種基板１１とを貼り合わせることにより、貼り合わせ基板を形成する。貼り合せ基板から窒化物基板の一部を剥離する。７００℃を超える温度で熱処理する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層のエピタキシャル成長に用いるサファイア基板において、効率良く基板の反り形状及び／又は反り量を精密に制御することができ、且つ、成膜中に生じる基板の反りを抑制、それを用いて作製される窒化物半導体層成膜体、窒化物半導体デバイス、窒化物半導体バルク基板及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板の内部に、前記サファイア基板の研磨面側を通してパルスレーザを集光し、走査し、前記パルスレーザによる多光子吸収を利用して改質領域パターンを形成し、サファイア基板の反り形状及び／又は反り量を制御する。本発明により得られたサファイア基板を用いて窒化物半導体層を形成すると、成膜中の基板の反りを抑制し、基板の反り挙動を小さくすることができるため、膜の品質及び均一性が向上し、窒化物半導体デバイスの品質及び歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】格子定数が広範囲にわたり可変であり、且つ結晶性に優れた基板およびその製造方法を提供する。また上記基板上に形成された半導体素子を提供する。
【解決手段】６回対称軸をを有する結晶からなる第１の層１１と、該結晶上に形成される金属酸窒化物結晶からなる第２の層１２を有し、第２の層１２が、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＡｌからなる群から選択される少なくとも１つの元素と、ＮとＯとＺｎとを主要元素として含み、且つ第２の層１２が面内配向性を有する積層構造体を備えたウルツ鉱型結晶成長用基板。 （もっと読む）

半導体装置を製作する方法または構造体は、従順な材料の層の上に横たわっている半導体材料の構造体を形成することを含み、その後半導体材料構造体を緩和させる従順な材料の粘性を変えて、緩和した半導体材料の連続層を形成する際の種子層として、緩和した半導体材料構造体を利用する。ある実施形態では、半導体材料の層は、III-Vタイプ半導体材料（例えばインジウム窒化ガリウム）から成る。新しい中間構造体が、この種の方法の間、形成される。加工された基板は、緩和した格子の構造体を有する半導体材料の連続層を含む。
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【課題】歪Ｓｉ層表面が平坦で欠陥が少ない歪Ｓｉ−ＳＯＩ基板を簡便に製造する。
【解決手段】ＳＯＩ基板１０の第１Ｓｉ層１３上にＳｉＧｅ混晶層１４を形成し、ＳｉＧｅ混晶層上に第１Ｓｉ層の厚さより厚い５５〜５５０ｎｍの厚さの第２Ｓｉ層１６を形成する。基板を酸化性雰囲気下又は不活性ガス雰囲気下、９５０℃以上で熱処理してＳｉＧｅ混晶層を溶融するとともに第１Ｓｉ層と第２Ｓｉ層の一部にＧｅを拡散する。基板を降温して溶融したＳｉＧｅ混晶層１８，１９，２１を固化し、固化したＳｉＧｅ混晶層２２の上に歪Ｓｉ層１６ａが形成された歪Ｓｉ−ＳＯＩ基板２３を得る。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣの高品質単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】少なくとも直径約３インチ（７５ｍｍ）と、４°オフ軸のウェハに対して、約５００ｃｍ^−２未満の底面転位密度を有する少なくとも１平方インチ（６．２５ｃｍ^２）の連続した表面領域とを有するＳｉＣウェハであって、その製造方法は、３インチよりわずかに大きい直径を有するＳｉＣブールを形成するステップと、０００１平面に対して約２°と１２°の間の角度で、該ブールをスライスして、ウェハにするステップであって、該ウェハは、各ウェハ上に、５００ｃｍ^−２未満の底面転位密度を有する少なくとも１平方インチの連続した表面領域を有する、ステップとを包含する。前記方法で背蔵した高品質シリコンカーバイド半導体前駆体ウェハ４は、追加的に、１つ以上の少なくとも一つのＩＩＩ族窒化物層６を有する。 （もっと読む）

【課題】特別な基板を用いなくても結晶欠陥がほとんど無い単結晶薄膜を有する基板を容易に製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、ドナー基板とハンドル基板を準備する工程Ａと、前記ドナー基板上に単結晶層を積層成長させる工程Ｂと、前記単結晶層が形成されたドナー基板の単結晶層中にイオン注入してイオン注入層を形成する工程Ｃと、前記イオン注入されたドナー基板の単結晶層の表面と前記ハンドル基板の表面を貼り合わせる工程Ｄと、前記貼り合わせられたドナー基板の前記単結晶層中のイオン注入層で剥離する工程Ｅとにより前記ハンドル基板上に単結晶薄膜を形成し、少なくとも、前記単結晶薄膜が形成されたハンドル基板をドナー基板として前記Ａ〜Ｅの工程を繰り返すことを特徴とする単結晶薄膜を有する基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】シリコン以外の元素の層を堆積して形成していなくても十分な歪み量の歪みシリコン層を有するシリコンウェーハ及びその製造方法を低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】歪みシリコン層を有するシリコンウェーハの製造方法であって、少なくとも、シリコンウェーハにイオンを注入することによって該シリコンウェーハの表面層をイオン注入層とし面内方向の格子を歪ませた後、前記シリコンウェーハのイオン注入された面上にシリコンを気相成長させることにより歪みシリコン層を成長させることを特徴とする歪みシリコン層を有するシリコンウェーハの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】安価な、また、放熱特性に優れたＳｉ基板を用いて、良質なＧａＡｓ系の結晶薄膜を得る。
【解決手段】Ｓｉの基板と、基板の上に形成され、結晶成長を阻害する阻害層とを備え、阻害層は、基板の一部を覆う被覆領域と、被覆領域の内部に基板を覆わない開口領域とを有し、さらに開口領域に結晶成長されたＧｅ層と、Ｇｅ層の上に結晶成長され、Ｐを含む３−５族化合物半導体層からなるバッファ層と、バッファ層の上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。当該半導体基板において、Ｇｅ層は、結晶欠陥が移動できる温度および時間でアニールされることにより形成されてよい。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長の表面にできた欠陥を貼りあわせ基板に持ち込まない製造方法を提供する。
【解決手段】表面近傍の域に欠陥を有する第一基板４から、第二材料でできたホスト基板２０上に、第一材料の層を移し変えるプロセスであって：ａ）第一の薄化基板２４を形成するために、第一基板を薄化する段階；ｂ）注入面６を形成するために前記第一基板にイオンまたは原子注入し、移し変えるべき層を画定する段階；ｃ）注入面に沿って基板を破断することにより、ホスト基板２０上に前記層を移し変える段階；を含むプロセスによって欠陥をなくした貼りあわせ基板を作ることができる。 （もっと読む）

本発明は、支持材上への、化学気相蒸着(CVD)または物理気相蒸着(PVD)による蒸着のためのプロセスに関し、前記プロセスは少なくとも1つのホウ素化合物を使用する。このプロセスは光起電力太陽電池を製造するために特に有用である。本発明は、CVDまたはPVD蒸着プロセスにおいて、材料に光学的および/または電気的特性を与えるためにホウ素化合物を使用することにも関する。このプロセスは、光起電力太陽電池を製造するためにも特に有用である。
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