【課題】支持基板とＩＩＩ族窒化物層との接合が良好なＩＩＩ族窒化物複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物複合基板の製造方法は、目標とする基板径より大きい径の主面１０ｍを有する支持基板１０と、目標とする基板径より大きい径の主面３０ｎを有しその主面３０ｎから所定の深さの位置にイオン注入領域３０ｉが形成されたＩＩＩ族窒化物基板３０とを、中間層２０を介在させて貼り合わせ、ＩＩＩ族窒化物基板３０をイオン注入領域３０ｉにおいてＩＩＩ族窒化物層３０ａと残りのＩＩＩ族窒化物基板３０ｂとに分離することにより、支持基板１０上に中間層２０を介在させてＩＩＩ族窒化物層３０ａが接合された第１のＩＩＩ族窒化物複合基板１を形成し、第１のＩＩＩ族窒化物複合基板１の外周部を除去することにより目標とする基板径に等しい径の主面を有する第２のＩＩＩ族窒化物複合基板２を得る。 （もっと読む）

【課題】支持基板と酸化物膜との接合強度および酸化物膜とＩＩＩ族窒化物層との接合強度が高いＩＩＩ族窒化物複合基板を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物複合基板１は、支持基板１０と酸化物膜２０とＩＩＩ族窒化物層３０ａとを含み、支持基板１０は多結晶で形成され、ＩＩＩ族窒化物層３０ａは少なくともｃ軸方向に配向しているＩＩＩ族窒化物結晶で形成され、酸化物膜２０は不純物が添加され、不純物の濃度は、酸化物膜２０において支持基板１０側の第１主面２０ｓからＩＩＩ族窒化物層３０ａ側の第２主面２０ｔにかけて膜厚方向で変化し、第１主面２０ｓにおける不純物の濃度は第２主面２０ｔにおける不純物の濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】少なくとも表面がＳｉＣ層で構成されるとともにオフ角を有する基板を用いた半導体素子の製造方法において、イオンを活性化する際に発生するステップバンチングを除去可能な製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、イオン注入工程と、カーボン層形成工程と、イオン活性化工程と、除去工程と、を含む。イオン注入工程では、基板にイオンを注入する。カーボン層形成工程では、イオン注入工程でイオンが注入された基板の表面にカーボン層を形成する。イオン活性化工程では、カーボン層が形成された基板を加熱してイオンを活性化させる。除去工程では、イオン活性化工程が行われた基板をＳｉ蒸気圧下で加熱することで、カーボン層と、イオン活性化工程で基板表面に発生するステップバンチングと、を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを効率よく製造するために、基体の種類の如何を問わずに効率よく半導体ウエハを製造することができる半導体ウエハの製造方法、ならびにかかる製造方法に好適に用いられる複合基体および複合基板を提供する。
【解決手段】本半導体ウエハの製造方法は、基体１０上に、表面のＲＭＳ粗さが１０ｎｍ以下の基体表面平坦化層１２を形成して複合基体１を得る工程と、複合基体１の基体表面平坦化層１２側に半導体結晶層２０ａを貼り合わせて複合基板３Ａ，３Ｂ，３Ｃを得る工程と、複合基板３Ａ，３Ｂ，３Ｃの半導体結晶層２０ａ上に少なくとも１層の半導体層３０を成長させる工程と、基体表面平坦化層１２をウェットエッチングで除去することにより、基体１０から半導体結晶層２０ａを分離して、半導体結晶層２０ａおよび半導体層３０を含む半導体ウエハ５を得る工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ領域におけるゲート間距離などのレイアウトに依存することなく、半導体層のチャネル領域に有効に応力を作用させることができる半導体装置を実現する。
【解決手段】ＭＯＳトランジスタを備える半導体装置の構成として、素子分離層４で素子分離されたトランジスタ領域を有する半導体層３と、トランジスタ領域で半導体層３の第１の面上にゲート絶縁膜５を介して形成されたゲート電極６と、トランジスタ領域で半導体層３の第１の面と反対側の第２の面上に形成された応力膜３１とを備え、応力膜３１は、シリサイド膜を用いて形成されている。
【選択図】図１３
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【課題】窒化物半導体形成に好適な、シリコンウェーハをベースとした安価な形成用基板を提供することである。また、厚膜の窒化物半導体エピタキシャル層を成長させた場合でも、各材料間の格子定数差および熱膨張係数差から生じる、反り・クラックの発生を低減し、機械的強度や、熱的強度に優れた窒化物半導体形成用基板を提供すること。
【解決手段】ボロンとゲルマニウムとが特定濃度でドープされており、好ましくはボロンとゲルマニウムの濃度比において、ゲルマニウムの濃度をボロンの濃度の５〜８倍と制御したシリコンウェーハ。 （もっと読む）

【課題】結晶の結晶片又はその集合体における被形成体に対する付着力が高い、有機結晶構造物を提供すること。
【解決手段】基板１２に直接接触して設けられた有機化合物の単結晶の結晶１４と、結晶１４が設けられた基板１２の面１８と同一面２０に直接接触し、かつ、前記結晶１４における周囲の少なくとも一部に直接接触して設けられた、有機化合物の非晶質の薄膜１６と、を有する、有機結晶構造物１０である。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板中を貫通して流体が漏出することを防止することができる炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素から作られた第１および第２の被支持部１１、１２の各々と、炭化珪素から作られた支持部３０とが互いに対向し、かつ第１および第２の被支持部１１、１２の間に隙間ＧＰが設けられるように、第１および第２の被支持部１１、１２、および支持部３０が配置される。支持部３０の炭化珪素を昇華および再結晶させることで、第１および第２の単結晶基板１１、１２の各々に支持部３０が接合される。この際、隙間ＧＰにつながるように支持部３０に貫通孔ＴＨが形成されることで、隙間ＧＰおよび貫通孔ＴＨを通って流体が通過し得る経路ＰＴが形成される。この経路ＰＴを塞ぐことで、炭化珪素基板中を貫通して流体が漏出することを防ぐことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物単結晶が積層された積層体を冷却したとしても、該積層体の反り（結晶軸の歪み）が低減できる製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板／第１のＩＩＩ族窒化物単結晶層／第１の非単結晶層からなる積層基板を形成する工程、積層基板からベース基板を除去する工程、第１のＩＩＩ族窒化物単結晶層上にＩＩＩ族窒化物単結晶をエピタキシャル成長させて第２のＩＩＩ族窒化物単結晶層を形成する工程、第２のＩＩＩ族窒化物単結晶層上に、第２の非単結晶層を形成する工程、を含む積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】多層膜の成膜により生じた反りを矯正すること。
【解決手段】単結晶基板２０と、単結晶基板２０の片面に形成された２つ以上の層を有しかつ圧縮応力を有する多層膜３０とを含み、単結晶基板２０をその厚み方向において２等分して得られる２つの領域２０Ｕ、２０Ｄのうち、少なくとも単結晶基板２０の多層膜３０が形成された面側と反対側の面側の領域２０Ｄ内に、熱変性層２２が設けられている多層膜付き単結晶基板、その製造方法および当該製造方法を用いた素子製造方法 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡略化すると共に、表層部にらせん転位が存在することを抑制することができるＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素からなり、主表面および当該主表面の反対面である裏面を備え、らせん転位１を表層部２ａに含む欠陥含有基板２を用意する工程と、欠陥含有基板２のうち主表面に外力を印加することにより表層部２ａの結晶性を低下させる第１外力印加工程と、外力印加工程の後、欠陥含有基板２を熱処理することにより表層部２ａの結晶性を回復させる第１熱処理工程と、を含む製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．７×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板のｃ軸を含む面から［０００１］方向に−１０°以上１０°以下の傾斜角を有する。 （もっと読む）

【課題】窒化物層上にエピタキシャル層を形成したときにクラックが発生することを抑制でき、かつエピタキシャル層が半導体基板から剥がれることを抑制できる半導体基板および半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０ａは、窒化物層１２の主面１２ａ上にエピタキシャル層を形成するための半導体基板であって、異種基板１１と、異種基板１１上に形成された窒化物層１２とを備え、窒化物層１２は応力緩和領域を有する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ単結晶体を成長させる際および成長させたＧａＮ単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のＧａＮ単結晶体上に少なくとも１層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるＧａＮ単結晶体およびその製造方法ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ単結晶体１０は、ウルツ型結晶構造を有し、３０℃において、弾性定数Ｃ₁₁が３４８ＧＰａ以上３６５ＧＰａ以下かつ弾性定数Ｃ₁₃が９０ＧＰａ以上９８ＧＰａ以下、または、弾性定数Ｃ₁₁が３５２ＧＰａ以上３６２ＧＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】高温で長時間の処理が必要なエピタキシャル成長を用いることなく、熱応力の発生を抑え、信頼性に優れた、所望の膜厚の炭化シリコン膜を容易に得ることができ、かつ低コストや大口径化が可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜１３の製造方法は、基板１１上にアモルファスシリコンとポリシリコンとの少なくとも一方を含む第１シリコン膜１４ａを形成する工程と、第１シリコン膜１４ａを炭化処理し第１炭化シリコン膜１３ａを形成する工程と、第１炭化シリコン膜１３ａを形成した後に、第２シリコン膜１４ｂを形成する工程と、第２炭化シリコン膜１３ｂを形成する工程と、を少なくとも１回有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 格子定数が異なる複数種類の半導体素子を同一の基板上に混載することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、シリコン基板２１の一部に絶縁膜２２を形成し、シリコン基板２１と絶縁膜２２上にアモルファスＳｉＧｅ層２３を形成し、シリコン基板を熱処理し、アモルファスＳｉＧｅ層２３を絶縁膜２２上に横方向に固相若しくは液相成長させて結晶化し、シリコン基板２２と絶縁膜２２上に格子定数が後に形成される材料層の格子定数に整合されたＳｉＧｅ層２３ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗な窒化物層を基板へ貼り合わせた半導体基板の製造方法、半導体デバイスの製造方法、半導体基板および半導体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体基板１０の製造方法は、以下の工程を備えている。主面と、主面と反対側の裏面とを有する窒化物基板を準備する。窒化物基板の裏面に、気相のイオンを注入する。窒化物基板の裏面と、異種基板１１とを貼り合わせることにより、貼り合わせ基板を形成する。貼り合せ基板から窒化物基板の一部を剥離する。７００℃を超える温度で熱処理する。 （もっと読む）

【課題】格子定数が異なる複数種類の半導体素子を同一の基板上に混載することが可能な半導体装置とその製造方法。
【解決手段】少なくとも第１、第２のＳｉ_1-ｘＧｅ_ｘ（０≦ｘ≦１）層１４ａ，１４ｂ，１４ｃが絶縁膜１３上に形成されている。第１、第２のＳｉ_1-ｘＧｅ_ｘ（０≦ｘ≦１）層上に対応して少なくとも第１、第２の材料層１５，１６，１７が形成されている。第１、第２のＳｉ_1-ｘＧｅ_ｘ（０≦ｘ≦１）層層１４ａ，１４ｂ，１４ｃの格子定数はその上の第１、第２の材料層１５，１６，１７の格子定数に整合されている。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長の表面にできた欠陥を貼りあわせ基板に持ち込まない製造方法を提供する。
【解決手段】表面近傍の域に欠陥を有する第一基板４から、第二材料でできたホスト基板２０上に、第一材料の層を移し変えるプロセスであって：ａ）第一の薄化基板２４を形成するために、第一基板を薄化する段階；ｂ）注入面６を形成するために前記第一基板にイオンまたは原子注入し、移し変えるべき層を画定する段階；ｃ）注入面に沿って基板を破断することにより、ホスト基板２０上に前記層を移し変える段階；を含むプロセスによって欠陥をなくした貼りあわせ基板を作ることができる。 （もっと読む）

【課題】優れた表面品質をＧａ側にて有するＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ半導体ウェーハおよびそのようなウェーハの製造方法を実現する。
【解決手段】ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）スラリーを用いて、そのＧａ側にてＣＭＰに付される。このような高品質Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。このＣＭＰ方法はＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 （もっと読む）