フッ化水素酸、硝酸、酢酸及びバランス脱イオン水を含む酸溶液を使用して、シリコン表面を変色させること無しにシリコン表面から汚染物質を効率よく除去することによって電極アセンブリのシリコン表面を洗浄する方法。 （もっと読む）

洗浄後にプラズマエッチングチャンバで誘電体材料をエッチングするために使用することができる電極アセンブリの洗浄方法は、好ましくは黒色シリコン汚染をシリコン表面から除去するように、電極アセンブリのシリコン表面を研磨することを含む。 （もっと読む）

新しい又は使用済みの静電チャックを洗浄する非破壊でかつ簡素な方法は、静電チャックの表面上に付着した汚染物質を除去する湿式洗浄プロセスを含む。 （もっと読む）

フォトレジスト、ポリマー材料、又は残留物を基板から除去するために使用される組成物は、水-混和性有機溶剤、水、少なくとも１つの有機アミン、及び２又は３以上の水-混和性有機溶剤において溶解性である没食子酸の誘導体である防蝕剤を含む。組成物は、更に界面活性剤を含み得る。この組成物の使用により、レジスト再付着が低減され、腐蝕が低減され、及び剥離性が改良される。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクスの基板を洗浄するための剥離および洗浄組成物であって、少なくとも１種の有機剥離溶媒、少なくとも１種の求核性アミン、剥離組成物が約９.６ないし約１０.９の水中ｐＨを有するように、求核性アミンの重量の約３％ないし約７５％を中和するのに十分な量の少なくとも１種の窒素不含弱酸であって、水性溶液中のｐＫ値２.０またはそれ以上および１４０より小さい当量を有する弱酸、ジエチレングリコールおよびジエチレングリコールアミンからなる群から選択される少なくとも１種の金属除去化合物、および水を含む組成物、並びにこれらの組成物を用いてマイクロエレクトロニクスの基板を洗浄する方法。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】一実施形態では、基板を処理する方法を提供する。方法は、基板の表面に溶液を供給するステップを含む。光等のエネルギを溶液に加えることによる溶液の解離により、少なくとも一つの反応化学種が生成される。前記基板上の第一の材料を反応させ、反応させた第一の材料を除去する。基板を処理するシステムについても説明する。 （もっと読む）

平坦シリコン基板上に、バッファ層と高K金属酸化物誘電体が形成される。基板の平坦度は、高K金属酸化物ゲート誘電体が柱状成長することにより低下する。基板表面は、成膜の前に、水酸基終端で飽和化される。
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【課題】
【解決手段】紫外光線を使用して、多孔質低誘電率半導体ウェハのような、基板を処理するシステム及び方法が開示されている。基板は、最初に、湿式処理モジュール内にて清浄化し、次に、減圧圧力及び１００℃以下、好ましくは８０℃以下の温度にて紫外線モジュール内にて乾燥させる。ロボット式モジュールが基板を湿式処理モジュールから紫外線モジュールまで搬送する。紫外線モジュールは、１７２ｎｍのインコヒーレントな真空紫外ＶＵＶ光線を提供するパルスキセノンエキシマーランプを含むことができる。 （もっと読む）

エッチングチャンバ、レジスト剥離チャンバ等の、半導体基板が処理されるプラズマ処理チャンバ用の構成要素の石英表面のウェット洗浄方法は、石英表面を、少なくとも一つの有機溶媒、塩基溶液及び複数の異なる酸溶液と接触させて、石英表面から有機汚染物質及び金属汚染物質を除去する工程を含む。石英表面は、好ましくは、少なくとも２回酸溶液の一つと接触させられる。 （もっと読む）

本発明は、一般に材料を処理するための方法に関する。より詳細には、本発明は反応性流体、および被覆材料、金属、非金属、層状材料、有機物、ポリマーおよび半導体材料を非限定的に含む付着材料を除去するための反応性流体の使用に関する。本発明は、半導体チップ生産のような商用プロセスに適用することが可能である。

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【課題】 ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去するシステム及び方法を提供することである。
【解決手段】 ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去するためのシステム及び方法は、提供される。ドライクリーニングプロセスは、カーボンおよび酸素を含んでいるプロセスガスをプラズマ処理システムの処理チャンバに導入することと、プロセスガスからプラズマを生成することと、揮発性の反応生成物を形成するためにチャンバ残渣をドライクリーニングプロセスのプラズマにさらすことと、処理チャンバから反応生成物を排気することとを含む。 （もっと読む）

本発明は一般的には、基板を洗浄するためのシステムに関する。より特定的には、本発明は、シリコンウエハを含む半導体基板から、高密度二酸化炭素マトリクスに含まれる反応性逆ミセルまたはマイクロマルジョンのシステムを用いて、残留物を化学的に除去するための方法に関する。反応性ミセル系中の様々な反応性化学薬品を使用して、エッチング残留物および金属残留物を、商業的なウエハ製造および処理に対し十分なレベルまで洗浄し、除去してもよい。

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