【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗに形成された凸形状パターンの表面に撥水性保護膜を形成するために、基板表面に撥水化剤１０６を供給する。撥水化剤を供給する前に、酸化力の強い薬液１０３を供給するか、又はＵＶ光を照射して、凸形状パターン表面を強制的に酸化させる。これにより、凸形状パターン表面に撥水性保護膜が形成され易くなり、乾燥処理時の凸形状パターンの倒壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止つつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗに形成された凸形状パターンの表面に撥水性保護膜を形成するために、基板表面に希釈した撥水化剤を供給する。撥水剤と希釈剤との混合から基板表面に供給される迄の時間が長くなるほど撥水能力は低下するので、撥水化剤と希釈剤を混合する混合バルブ６１は、希釈撥水化剤を吐出するノズル６４の直前に設けられ、撥水化剤の撥水化能力の低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】有機および無機汚染物質を半導体ウェハから清浄化すると同時に、半導体ウェハをマイクロエッチングする方法の提供。
【解決手段】半導体ウェハをインゴットから薄く切り出した後に、切断流体、並びに切断プロセスにおいて使用されるソウから汚染される金属および金属酸化物を、１種以上の水酸化第四級アンモニウムと、１種以上の水酸化アルカリと、１種以上のミッドレンジアルコキシラートとを、含むアルカリ水溶液により清浄化し、同時にマイクロエッチングする。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスが小さく、エピタキシャル膜の表面上のヘイズレベルが小さく、より微小サイズのＬＰＤについても検出可能であるエピタキシャルウェーハを提供することができ、さらに、ピット状欠陥の発生が低減されたエピタキシャルウェーハを提供を提供することにある。
【解決手段】シリコン基板上にエピタキシャル膜を形成するエピ膜形成工程（図１(ａ)）後、前記エピタキシャル膜の表面を酸化洗浄する酸化洗浄工程（図１(ｂ)）と、酸化洗浄工程後２４時間以内に、前記エピタキシャル膜の表面を研磨するエピ後研磨工程（図１(ｃ)）とを行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム、チタン、コバルト及び銅からなる群より選ばれる金属材料にダメージを与えることなく、エッチング残渣やレジスト残渣等の洗浄性能に優れた電子デバイスの洗浄用組成物及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）
【化１】


（式中、Ｒ_１、Ｒ_２は各々独立して水素原子、メチル基又はエチル基を示し、Ｒ_１及びＲ_２が共に水素原子になることはない。）
で表されるアミン類、フッ化物、及び水を含む洗浄用組成物を用い、アルミニウム、チタン、コバルト及び銅からなる群より選ばれる金属材料を含有する電子デバイスの製造プロセスにおいて発生する有機物及び／又は無機物を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】 活性状態とされた酸素による処理をした後でも、金よりなる構造体の表面に、ボンディングワイヤーの形成や電着膜の形成が正常に行えるようにする。
【解決手段】 制御電極１１８及び可動部電極１０９の表面に残渣するカーボン系汚染物（有機物）を除去するために、これらの酸素プラズマが照射された状態とする。次に、この酸素プラズマによる処理がなされた基板１０１を、例えば、真空、不活性、もしくは還元性の雰囲気において加熱処理する。この加熱処理により、金からなる制御電極１１８及び可動部電極１０９の表面に、酸素を含むプラズマが照射されたことにより形成された酸化金が、除去されるようになる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ酸化膜−シリコン間でのウェーハ貼り合わせにおいて、ボイドの発生を防止可能なウェーハ貼り合わせ方法を提供する。
【解決手段】貼り合わせ界面に介在される酸化膜（埋め込み酸化膜）としてＣＶＤ酸化膜を採用した場合でも、第１のウェーハと第２のウェーハとを貼り合わせる前処理として、少なくとも第１のウェーハのＣＶＤ酸化膜の表面（貼り合わせ界面）に対して、有機物の除去後、表面ラフネスを小さくすれば、両ウェーハの貼り合わせ界面における有機物と表面ラフネスとを原因としたボイドの発生を防止可能である。 （もっと読む）

この出願は、基板の少なくとも部分的な領域を処理するための複数の方法及び装置を開示する。前記方法においては、少なくとも１つの液体が基板の少なくとも１つの部分的な領域に提供され、それぞれの方法に従って所望の効果を達成するために、電磁放射がこの液体に導入される。１つの方法において、液体を提供する前にＵＶ放射によって液体のラジカルが発生され、ラジカルの発生は、少なくともラジカルの一部が基板に到達するように、液体を基板の提供する直前に行われる。基板の表面の少なくとも部分的な領域及び前記基板の表面に近い層からイオンが除去される１つの方法においては、前記基板の少なくとも部分的な領域に液体膜を形成するために、周囲温度よりも高く加熱された液体が基板に提供され、放射の少なくとも一部が基板表面に到達するように、電磁放射が前記液体膜に導入される。少なくとも部分的に疎水性の基板表面を有する基板の表面特性を、前記疎水性表面の少なくとも一部が親水性表面特性を得るように変化させる別の方法において、液体が、表面特性を変化させようとする基板の表面の少なくとも部分的な領域に提供され、所定の波長範囲のＵＶ放射が、前記液体を通って、表面特性を変化させようとする前記基板の表面の少なくとも部分的な領域まで案内される。この方法は、共通の装置において、あらゆる所望の順序で順次に及び／又は並行して行われてよい。
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【課題】 本発明は、研磨工程由来の有機残渣除去性能、銅配線の腐食抑制効果（銅腐食抑制効果）に優れ、かつ腐食防止剤が残留しない銅配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 有機アミン、４級アンモニウム化合物、ウレア基またはチオウレア基を含有する化合物、および水を必須成分とし、ｐＨが７〜１２であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤である。 （もっと読む）

【課題】乾燥ガスが光透過部材から被処理基板上に滴下することを防止することにより、製品歩留まりの低下を防止することが可能な乾燥室、洗浄・乾燥処理装置、被処理基板を乾燥する乾燥処理方法、および記録媒体を提供する。
【解決手段】乾燥室１０は、被処理基板Ｗを収容する乾燥室本体１１と、乾燥室本体１１の内壁１１ａに設けられた光透過部材１２と、乾燥室本体１１の内壁１１ａと光透過部材１２との間に設けられた加熱用光源１３とを備えている。光透過部材１２の下方には、光透過部材１２側に向けて乾燥ガスを供給するガス供給部１４が設けられている。光透過部材１２の内面１２ａは、乾燥ガスがこの光透過部材１２の内面１２ａに液膜として付着するように表面処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、洗浄特性に優れた洗浄液、洗浄方法、洗浄システム及び微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化性物質と、フッ酸と、を含み、酸性を呈すること、を特徴とする洗浄液が提供される。また、硫酸溶液を電気分解する方法、フッ酸が添加された硫酸溶液を電気分解する方法、若しくは、硫酸溶液と過酸化水素水とを混合する方法のいずれかの方法により、酸化性物質を含む酸化性溶液を生成し、前記酸化性溶液と、フッ酸と、を洗浄対象物の表面に供給すること、を特徴とする洗浄方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターンの倒壊をより確実に防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】キャリアから搬出された基板には、処理ユニットまでの搬送系路途中にてオゾンガスが吹き付けられて有機物汚染の除去処理が行われる。表面から有機物汚染が除去された基板が処理ユニットに搬入されて薬液表面処理が行われるため、基板の全面に対して均一な表面処理を行うことができる。薬液処理が終了した基板には純水リンス処理が行われ、その後基板の表面に疎水化剤としてのＨＭＤＳが供給されて疎水化処理が行われる。これにより、基板表面のパターン内に残留している液滴の毛管力はゼロに近くなり、乾燥処理時のパターン倒壊を防止することができる。疎水化された基板はキャリアに戻る搬送系路途中にて再度オゾンガスが吹き付けられて疎水化状態が解除される。 （もっと読む）

【課題】ランプハウス内に断面扁平４角形状のエキシマランプと、その上方に不活性ガス供給管が配置され、前記エキシマランプの上方壁には高圧側電極が、化法壁には低圧側（接地）電極が設けられたエキシマ光照射装置において、ランプとガス供給管の間に不所望の異常放電が発生することのない構造を提供することにある。
【解決手段】不活性ガス供給管の前記高圧側電極に対向する角部に電解集中回避手段を施したことを特徴とし、具体的には、角部を切り落とした平坦面とし、弧状面とし、あるいは、絶縁性被膜を被覆したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】洗浄される表面と水系配合物とを接触させることを含む、半導体製造プロセスにおける残渣を除去する洗浄方法
【解決手段】洗浄される表面と水系配合物とを接触させることを含む、半導体製造プロセスにおける残渣を除去するための洗浄方法であって、その水系配合物が、アクリルアミド−メチル−プロパンスルホナートポリマー、アクリル酸−２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸コポリマー及びこれらの混合物からなる群から選択されるポリマー、及び４超の炭素原子を有する第四級アンモニウムヒドロキシド又は非アセチレン性界面活性剤と共に水酸化コリンを有する方法である。また、本発明は、上記方法中で説明した成分を有するＣＭＰ後洗浄配合物である。 （もっと読む）

【課題】 基板洗浄装置における有機汚染除去力の変動を的確に把握することが可能な技術を提供することである。
【解決手段】 ドライ洗浄装置の有機物除去力を基板の接触角で評価する洗浄力評価方法であって、予め被膜を形成した基板を用意し、前記被膜を所定の洗浄時間でドライ洗浄する洗浄工程と、前記洗浄時間とは異なる洗浄時間で、前記洗浄工程と異なる前記被膜領域をドライ洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程でそれぞれ洗浄された被膜部分の接触角をそれぞれ計測する工程と、前記各洗浄工程に要した時間と前記接触角の計測値とに基づいて、前記基板に対する洗浄力を評価する工程とを備える洗浄力評価方法である。 （もっと読む）

【課題】スループットが高く、かつ被処理基板の回転にともなうパーティクルの発生および熱ストレスによるポリマーの剥がれの発生を抑制しつつ被処理基板の周縁部に環状に付着したポリマーを除去すること。
【解決手段】被処理基板Ｗの周縁部に環状に付着したポリマー２を除去するポリマー除去装置であって、周縁部に環状にポリマーが付着した被処理基板Ｗを収容する処理容器１１と、被処理基板Ｗを載置する載置台１２と、被処理基板Ｗに環状に付着したポリマー２にリング状レーザー光を一括照射するレーザー照射部２０と、被処理基板Ｗに環状に付着した前記ポリマーにオゾンガスを供給するオゾンガス供給機構１５，１９と、オゾンガスを排気する排気機構２３，２４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】洗浄対象物への好ましくない影響を低減できる洗浄装置、及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】純水にオゾンガスを溶解させたオゾン水を洗浄対象物１５に向けて噴射する第１の噴射手段（１１ａ、１２ａ、１３ａ）と、純水に水素ガスを溶解させた水素水を洗浄対象物１５に向けて噴射する第２の噴射手段（１１ｂ、１２ｂ、１３ｂ）と、第１の噴射手段、及び第２の噴射手段を制御して、オゾン水、及び水素水の噴射態様を制御する制御手段１２ｃと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ端面での反射防止膜のリンス処理により形成されたハンプ、又は該ハンプに起因するエッチング段差や膜残渣を除去し、ウェハ端面からの微小異物の飛散を防止する。
【解決手段】 半導体ウェハ１１１の端面において、半導体ウェハ１１１上に成膜された反射防止膜１２１、１４１の外周部をリンス処理により除去した後、反射防止膜１２１、１４１上に設けられたレジストパターン１２３、１４３を用いて、反射防止膜１２１、１４１及びその下地構造をエッチングする。リンス処理は、反射防止膜１２１、１４１の最外周部にハンプ１２２、１４２を生じさせ得る。上記エッチングの前又は後に、ウェハ端面において、ウェハ端面以外の領域にマスクを設けることなく、ハンプ１２２、１４２が形成された位置をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のウェット処理において、エッチングを制御しながら薬液使用量を削減する。
【解決手段】薬液を用いて複数の基板を順次処理するウェット処理方法は、次の各工程を備える。つまり、第１の基板をウェット処理する際の設備パラメータの値を収集する工程（ａ）と、設備パラメータに基づいて、工程（ａ）における基板の被処理層のエッチングレートを算出する工程（ｂ）と、エッチングレートと、被処理層に対して予定したエッチング量とに基づいて、処理時間を算出する工程（ｃ）と、工程（ａ）の後に、第１の基板とは異なる他の基板について、処理時間のウェット処理を行なう工程（ｄ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】高いアスペクト比で、狭い幅の溝に絶縁膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を処理室内へ搬入する工程と、炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給する工程と、処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して基板を処理する工程と、処理された基板を処理室から搬出する工程と、処理室内を励起された酸素含有ガスで処理する工程とを備える基板処理方法により、基板を処理する。これにより、シリコン化合物ガスに紫外光を照射して基板を処理する際に処理室内壁等に付着した付着物を、励起された酸素含有ガスで処理することにより改質することができる。 （もっと読む）