【課題】半導体基板等の基板の洗浄には、少なくとも５工程からなる洗浄を行う必要があった。
【解決手段】オゾンを含有する超純水によって洗浄する第１工程、界面活性剤を含む超純水によって洗浄する第２工程、及び、超純水と２−プロパノールを含む洗浄液によって界面活性剤由来の有機物を除去する第３工程とを含む洗浄方法が得られる。第３工程後、クリプトン等の希ガスのプラズマを照射して、界面活性剤由来の有機物を更に除去する。 （もっと読む）

【課題】乾燥ユニットにおける基板に対する乾燥性能を向上させることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記録媒体を提供する。
【解決手段】まず乾燥ユニット２３においてチャンバー壁３９を加熱する。そして、チャンバー壁３９の外部にある大気の温度よりも低い温度のガスである冷却ガスを乾燥ユニット２３のチャンバー２３ａ内に供給することによりチャンバー２３ａ内にある加熱されたＮ２ガスを冷却ガスに置換する。その後、ウエハＷを洗浄槽２２内から乾燥ユニット２３のチャンバー２３ａ内まで移動させる。そして、ウエハＷを洗浄槽２２内から乾燥ユニット２３のチャンバー２３ａ内まで移動させる間に、またはウエハＷを洗浄槽２２内から乾燥ユニット２３のチャンバー２３ａ内まで移動させた後に、チャンバー２３ａ内に乾燥ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】機能性溶液として硫酸電解液を効率よく生成し、かつ電解によって生成された過硫酸を自己分解を抑制して効率よく使用側に供給する。
【解決手段】硫酸溶液を電解することにより機能性溶液を製造して使用側に供給する機能性溶液供給システムにおいて、該システムが硫酸溶液を貯留する貯留槽２と、硫酸溶液を電解する電解装置（電解セル３）と、硫酸溶液を加温する加温手段（加熱器５）と、硫酸溶液を冷却する冷却手段（冷却器４）と、貯留槽２から排出された硫酸溶液を、加温手段を介することなく電解装置を介して前記貯留槽２に戻す第１の循環ライン１１と、使用側（洗浄機１）から導入された硫酸溶液を、加温手段を介することなく冷却手段及び前記貯留槽２をこの順に介して使用側に戻す第２の循環ライン１２と、前記使用側から導入された硫酸溶液を、冷却手段及び前記貯留槽２を介することなく加温手段（加熱器５）を介して前記使用側に戻す第３の循環ライン１３を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する有機物汚染、パーティクル汚染を、銅配線の腐蝕を引き起こすことなく、短時間で除去することができ、基板表面を高清浄化しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造工程において、表面に銅配線を有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、式（1）：ＨＯＯＣ−Ｒ_１−Ｃ（Ｒ_２）＝Ｃ（Ｒ_３）ＣＯＯＨ（式中Ｒ_１は単結合またはアルキレン基を表し、Ｒ_２、Ｒ_３はそれぞれ独立に、水素原子または有機基を表し、−Ｒ_１ＣＯＯＨ基と−ＣＯＯＨ基は二重結合に対してシスの配置を有する）であることを特徴とするポリカルボン酸化合物と、キレート剤と、アニオン系界面活性剤とを含むこと洗浄剤である。 （もっと読む）

【課題】エキシマランプの放電容器が不意に破損しないように、エキシマランプの点灯の可否を判断する方法を提供する。
【解決手段】放電容器１０内に形成された密閉空間に放電ガスが封入されると共に、当該密閉空間１０を挟んで一対の電極１７，１８が前記放電容器１０の外表面に形成され、前記放電容器１０の内面に前記密閉空間内に発生した紫外線を光出射方向に向けて反射する紫外線反射膜が形成されたエキシマランプ１において、前記放電容器１０が被処理体Ｗから遠ざかる方向に変形することを規制することにより生じる負荷を圧電素子３で電気信号に変換し、該負荷に対応する実測値と前記放電容器に割れが生じる危険性を有する水準の負荷に対応する基準限界値とを対比して、前記エキシマランプ１の点灯の可否を判断する。 （もっと読む）

【課題】従来の銅配線半導体用洗浄剤は、パーティクル成分のうち、研磨剤の無機微粒子や金属イオン成分の除去には効果があるものの、銅配線に付着する研磨剤由来の有機残渣を除去する効果が不十分であるばかりか、金属配線材料（銅、タングステン等）が腐食するという問題がある。
【解決手段】有機アミン（Ａ）、少なくとも１個のカルボキシル基を含有し下記式で表される式量電位（Ｖ）が−０．１７０〜０．４３０である多価水酸基含有化合物（Ｂ）及び水（Ｗ）を含有してなり、２５℃でのｐＨが２〜１４であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤。

式量電位（Ｖ）＝１．７４１×（ＬＵＭＯ−ＨＯＭＯ）−０．４６２

［式中、ＬＵＭＯ、ＨＯＭＯは、プログラムシステムＧＡＵＳＳＩＡＮで成分の第一原理計算を行い算出した最高被占軌道（ＨＯＭＯ）と最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギーレベルである。］ （もっと読む）

【課題】処理槽内の洗浄液に浸漬された基板に対し超音波を照射して基板を洗浄する場合に、装置の構造を複雑化させることなく、基板の洗浄面全域に効果的に超音波を照射して洗浄効果の均一性を高めることができる装置を提供する。
【解決手段】洗浄液を貯留する処理槽１０の底部外面側に配設される超音波振動板２０と、複数の基板Ｗを保持部１６により支持して処理槽１０の内部に保持する基板保持具との間に、超音波透過性材料で形成された平板状をなす一対の超音波屈折部材２４を左右対称に配設し、支持手段により超音波屈折部材２４を鉛直面に沿った方向において揺動可能に支持し、揺動手段により超音波屈折部材２４を基板Ｗの洗浄処理中に揺動させて超音波屈折部材２４と超音波振動板２０とのなす角度を変化させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高度に架橋されたレジストおよびエッチング残渣を取り除くための、半水溶性組成物およびその使用方法を提供する。
【解決手段】本発明の組成物は、アミノベンゼンスルホン酸、水混和性有機溶剤および水を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄装置において基板の生産性を向上させること。
【解決手段】基板洗浄装置２は、洗浄部材５０により基板６を洗浄する位置から離れて設けられ、その下面がブラシ部と接触して当該ブラシ部を洗浄する洗浄面として形成されたブラシ洗浄体５と、洗浄部材を、基板を洗浄する領域とブラシ洗浄体によりブラシ部が洗浄される領域との間で移動させる移動手段と、ブラシ洗浄体の下面に洗浄部材のブラシ部を押し当て、ブラシ洗浄体と洗浄部材とを相対的に回転させるための手段と、ブラシ洗浄体とブラシ部材とを相対的に回転させているときにブラシ洗浄体の下面とブラシ部との間に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板ベベル部に堆積した膜を洗浄により除去し、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板洗浄方法は、回転軸の回りで半導体基板を回転させる工程と、前記回転軸に対して第１の角位置に形成された冷却機構により、前記回転している半導体基板外周のベベル部を冷却する工程と、前記回転軸に対して前記第１の角位置とは異なる第２の角位置に形成された加熱機構により、前記回転している半導体基板の前記ベベル部を加熱する工程と、を含み、前記半導体基板の前記ベベル部を交互に加熱および冷却することにより、前記ベベル部において前記半導体基板の表面上に堆積している膜を剥離させる。 （もっと読む）

【課題】特に表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する有機物汚染やパーティクル汚染を銅配線の腐蝕を引き起こすことなく効果的に除去しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造工程において、表面に銅配線を有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、下記一般式（Ｉ）〜一般式（ＩＶ）から選ばれる少なくとも１種のアミノポリカルボン酸を含有することを特徴とする洗浄剤、及びこれを用いた洗浄方法。
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【課題】薬液又は純水によってポリマー又は異物を確実に除去できるウェハ洗浄装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るウェハ洗浄装置は、半導体ウェハ３を保持するウェハ保持機構１と、前記ウェハ保持機構１を回転させる回転機構と、前記ウェハ保持機構１の上方に設けられ、薬液又は純水を前記半導体ウェハ３の表面に吐出する薬液ノズル５又は純水ノズル４と、前記ウェハ保持機構１の外側であって前記半導体ウェハ３のベベル部を覆うように配置され、前記ベベル部に前記薬液又は前記純水を一時的に保持する薬液保持治具６と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理液の再利用を好適に図ることができ，しかも排気量を低減させることができる，基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハＷを洗浄するウェハ洗浄装置５であって，ＡＰＭ及び純水を供給する供給ノズル３４と，ウェハＷを保持するスピンチャック３１と，スピンチャック３１を収納する容器３０とを備え，容器３０は内処理室４２と外処理室４３を備え，スピンチャック３１に対して容器３０を昇降自在に構成し，内処理室４２にＡＰＭ及び室内雰囲気を排出する第１の排出回路５０を接続し，外処理室４３に純水及び室内雰囲気を排出する第２の排出回路５１を接続し，ＡＰＭを供給ノズル３４から再びウェハＷの表面に供給するように構成した。 （もっと読む）

【課題】基板に熱による悪影響を与えず、基板を効率良く加熱して基板表面のドライクリーニングを行うことができ、装置上の問題も生じないドライクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】減圧排気可能な処理室内に設けられた載置台に基板を載置し、基板表面をドライクリーニングするドライクリーニング方法は、処理室内にクリーニングガスを導入し、クリーニングガスを基板上に吸着させる工程と、クリーニングガスを基板上に吸着させた後、処理室内に、熱エネルギーが与えられたエネルギー媒体ガスを導入し、該エネルギー媒体ガスから基板上の前記クリーニングガスに熱エネルギーを供給して、前記基板表面でクリーニング反応を進行させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、速やかにエキシマランプの周囲に不活性ガスを満たすことのできる紫外線照射ユニットを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の紫外線照射ユニットは、放電容器内に形成された密閉空間に放電ガスが封入されると共に、当該密閉空間を挟んで一対の電極が前記放電容器の外表面に形成された複数のエキシマランプと、当該複数のエキシマランプを取り囲み鉛直方向における一方向が開口したランプハウスと、当該ランプハウスの内部に不活性ガスを供給するためのガス供給機構とを備える紫外線照射ユニットであって、前記ランプハウス内には、前記エキシマランプによって占有されている空間以外の空間に空間閉塞体が配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】この発明は、ＣＦ_４以外の最適なフッ素系ガスを使用すると共にプラズマ処理能力を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】この発明は、処理ワークが配される処理空間と、該処理空間内にガスを導入するガス導入手段と、前記処理空間内に放電プラズマを形成するプラズマ生成手段とによって少なくとも構成されるプラズマ処理装置において、前記処理空間に導入されるガスは、フッ化カルボニル（ＣＯＦ_２）又はトリフルオロメタン（ＣＨＦ_３）を含むガスであり、このガス圧力は、０．００１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒの範囲内であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 ガラス又はシリコン基板表面の平坦性を損ねることなく、優れたパーティクルの除去性を実現し、低起泡性かつ経時安定性に優れた電子材料用洗浄剤及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】アニオン成分が一般式（１）で示されるアニオン性界面活性剤（Ａ）と、炭素数６〜１８のアルケン及び一般式（２）で示される有機溶剤からなる群から選ばれる１種以上の有機溶剤（Ｂ）と、アルカリ成分（Ｃ）とを含有してなり、前記（Ｂ）のＳＰ値が６〜１３であり、有効成分濃度０．１〜１５％における２５℃でのｐＨが１０〜１４であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。
Ｒ¹［−（ＯＡ¹）_a−Ｑ^- ］_b （１）
Ｒ³［−（ＯＡ²）_c−ＯＨ］_d （２） （もっと読む）

【課題】不活性ガスの使用量を低減して被照射物の洗浄及び表面改質のコスト削減可能な紫外線照射装置を提供する。
【解決手段】紫外線を放射する光源２と光透過窓３とを有するランプハウス４と、光透過窓３と被照射物Ｐとの間の空間Ｓに少なくとも不活性ガスと酸素とが含まれる混合ガスを導入するためのガス導入手段５とを備え、ランプハウス４は、不活性ガスを導入するためのガス導入口７と、不活性ガスを排出するためのガス排出口８とを有しており、ガス排出口８から排出された不活性ガスをガス導入手段５に送る回送流路６が備えられていることを特徴とする紫外線照射装置１。 （もっと読む）

【課題】基板の表面及びベベル部並びに裏面の洗浄を行うことができる洗浄装置を提供すること。
【解決手段】洗浄装置１００は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。また基板がスピンチャック３により保持され、回転されるときに、基板の裏面の洗浄と合わせて、基板表面及びベベル部に夫々洗浄液を供給して、当該表面とベベル部の洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】被処理物の処理スピードを高め、しかもランプハウスへの白粉の付着によって処理ムラ等が発生することを防止できる紫外光洗浄装置を提供する。
【解決手段】ランプハウス３０には、紫外線ランプ３２群全体を四周から囲んで下面側を開放させた開放ハウジング３３が設けられている。開放ハウジング３３の天井部には、例えばステンレス板に１〜３ｍｍの孔を多数形成した多孔のガス拡散板３５を配置してあり、ここから清浄な窒素ガス（不活性ガス）を供給して、紫外線ランプ３２の周囲からワークＷの紫外線照射空間Ｘにかけて全体が窒素で満たされ、酸素がほとんど存在しない不活性ガス雰囲気に維持される。 （もっと読む）