【課題】表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】配管２２の吹き出し口から外部へ吹き出された水蒸気８０は、電子ビーム照射部１０の窓１４から出力された電子ビームが照射されて水分子が分解され、水素ラジカル、ＯＨラジカル、水素イオン、オゾン等の極めて活性な分子を含む活性水蒸気となる。この活性化された水蒸気８０は、モータ３１により回転させられている試料台３２に載置された処理対象物９０の表面に吹き付けられる。 （もっと読む）

【課題】処理対象物の表面の損傷を抑制して表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射部１０の窓１４から出力された電子ビームは、薄膜２７を通過して配管２４内の処理溶液８０に照射され、その処理溶液８０を活性化する。その活性化された処理溶液８０は、溶液タンク２３に注がれ、その溶液タンク２３の中に入れられた処理対象物９０の表面処理に使われる。処理溶液８０が酸またはアルカリを含む場合、その処理溶液８０に電子ビームが照射された後でも、その処理溶液８０の活性化状態は充分に長い時間に亘って持続する。したがって、電子ビームが照射されて活性化された処理溶液８０が処理対象物９０の表面に供給される場合にも、その処理対象物９０の表面処理の効率化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を収容した搬送容器が載置されるロードポートと、搬送容器を保管する容器保管部と、を備えた基板処理装置において、ロードポートにおける搬送容器の受け渡し回数の増大を図ることができ、これにより基板を高いスループットで処理することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】横方向の位置が互いに異なる第１の搬送路１０２Ａ及び第２の搬送路１０２Ｂの各々に沿って、複数枚の基板を収容した搬送容器１０を搬送する第１の搬送装置１０４Ａ及び第２の搬送装置１０４Ｂを利用し、第１の搬送装置１０４Ａにより搬送容器１０の受け渡しが行われる第１のロードポート２１と、この第１のロードポート２１に対して階段状に設けられ、前記第２の搬送装置１０４Ｂにより搬送容器１０の受け渡しが行われる第２のロードポート２２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】樹脂容器の表面およびその内部に含まれる不純物を洗浄する樹脂容器の洗浄方法およびその方法により洗浄された樹脂容器を提供する。
【解決手段】本発明は、樹脂の表面張力の値よりも１０ｍＮ／ｍ以上低い表面張力の値を有する溶剤を用いて、樹脂または樹脂からなる樹脂容器を浸漬洗浄することを特徴とする樹脂容器の洗浄方法である。 （もっと読む）

【課題】 構造を簡略化でき、小型・軽量化を図れ、低コスト化を達成でき、また洗浄時の装置の振動を抑制し、均一で効率的な洗浄を可能にする高圧洗浄液噴射式洗浄装置を提供する。
【解決手段】 高圧洗浄液を洗浄対象物ｘに対し一本の直線状に噴射させて洗浄する多数の噴射ノズル３を備えた高圧洗浄液噴射式洗浄装置１で、多数の噴射ノズル３をノズルホルダー２の下面の長手方向に沿って一定の間隔をあけて配列するとともに、ノズルホルダー２をその両側で支柱１３の支持部材１４の先端部に対し振り子部材１５によりノズルホルダー２の長手方向に揺動可能に支持し、洗浄対象物ｘをノズルホルダー２の長手方向に直交する方向に搬送しながらノズルホルダー２を長手方向に振り子運動させると同時に、各噴射ノズル３から高圧洗浄液を洗浄対象物ｘに対し噴射させて洗浄する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面における有機物汚染やパーティクル汚染を、銅配線の腐食を引き起こすことなく除去することができ、基板表面を高清浄化しうる洗浄剤及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ポリカルボン酸およびジエチレントリアミン五酢酸を含有し、ＳｉＯＣを構成成分として含有する誘電率が３．０以下の絶縁膜上に銅拡散防止用バリア膜及び銅配線を備える半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】本発明は、優れた洗浄性、および耐泡立ち性を呈し、さらにＣＯＤの少ないＨＤ用基板用の洗浄剤組成物、およびそれを用いたＨＤ用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＮｉ−Ｐ含有層を有するＨＤ用基板用の洗浄剤組成物は、重量平均分子量が１,０００〜１０,０００であるポリアクリル酸アルカリ金属塩（成分(a)）と、ｐ−トルエンスルホン酸アルカリ金属塩（成分(b)）と、水溶性アミン化合物（成分(c)）と、キレート剤（成分(d)）と、水（成分(e)）とを含有し、実質的に非イオン性界面活性剤は含まず、成分(a)、成分(b)、成分(c)、および成分(d)の総量中、成分(a)を５〜３５重量％、成分(b)を１５〜５０重量％、成分(c)を１５〜５０重量％、成分(d)を５〜２５重量％含有し、かつ成分(c)と成分(d)の重量比｛成分(c)/成分(d)｝が０．８〜５である。 （もっと読む）

【課題】 微細化したパーティクルや有機物の洗浄力に優れると共に基板上の金属汚染が低減でき、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 スルファミン酸（Ａ）、分子内に少なくとも１個のスルホン酸基又はその塩基を有するアニオン性界面活性剤（Ｂ）、キレート剤（Ｃ）及び水を含有してなる電子材料用洗浄剤であり、２５℃でのｐＨが３以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れの発生を抑えると共に、スループットが高く、メンテナンス周期の長い超臨界処理装置等を提供する。
【解決手段】基板Ｗに付着した液体を超臨界状態の処理流体によって除去する超臨界処理装置３において、加熱部３２３は処理容器３１内に供給された処理流体を超臨界状態とするために当該処理流体を加熱し、冷却機構３２２は基板Ｗが載置台３２１に載置されるまでに基板Ｗからの液体の蒸発を抑えるため、前記加熱部３２３から当該基板へと熱が伝わる領域を強制冷却する。 （もっと読む）

【課題】物質、そして好ましくはホトレジスト、を支持体から除去する。
【解決手段】３つのオリフィスノズルからの液体のスプレーの方向を変える。ａ）ｉ）十分な圧力下で液体源から液体を供給され、そこから液体の流れを噴出する第１オリフィス１２４；ii）ガス源からガスを制御された圧力で供給されてガスの流れを噴出し、少なくとも部分的に液体の流れを偏向させる、第１ガスオリフィス１３０；iii）第２ガス源から第２ガスを制御された圧力で供給されてガスの流れを噴出し、少なくとも部分的に液体の流れを偏向させる、第２ガスオリフィス１４０、を有するノズルを装備し；そしてｂ）中央オリフィス１２４からの液体の流れに方向を付与するように第１ガスオリフィス１３０及び第２ガスオリフィス１４０の少なくとも１つのガス流の流れを修正することにより、ノズル１２２からの液体のスプレー方向を調節する。 （もっと読む）

【課題】洗浄効果の高い小さなバブルサイズのマイクロバブルを外部に供給することができ且つ装置を小型化することができ、装置の配置の自由度を向上させることができるマイクロバブル生成装置及びシリコンウェハ洗浄装置を提供する。
【解決手段】マイクロバブル生成装置１は、マイクロバブル生成機構１０とマイクロバブルを外部に導出する導出導管２０とを備える。導出導管２０は拡幅部２１と管部２２とを備え、導出導管２０において、拡幅部２１と管部２２とは互いに接続されており、互いに連通している。拡幅部２１は、軸ｚを中心軸とする中空円柱形であり、底面２３，２４と、円筒形の周面２５とを有し、拡幅部２１の一方の底面２３を介してマイクロバブル生成機構１０の噴出口１１が、他方の底面２４を介して管部２２が連通している。拡幅部２１のマイクロバブルの流路軸ｚに直交する断面の面積は、管部２２の流路軸ｚに直交する断面の面積より大きい。 （もっと読む）

【課題】有機物質、特に半導体ウエハーのような支持体からのホトレジスト物質を除去する処理のための他の技術及び組成物を明らかにする。
【解決手段】物質、そして好ましくはホトレジスト、を支持体１８から除去する方法であって、硫酸及び/又はその脱水種及び前駆体を含み水/硫酸モル比が5：1未満である液状硫酸組成物を該物質で被覆された支持体を実質的均一に被覆するのに有効な量で、物質で被覆された支持体上に投与することを含む方法。支持体は、液状硫酸組成物の投与前、投与中又は投与後の何れかにおいて、好ましくは、少なくとも約90℃の温度に加熱される。支持体が少なくとも約90℃の温度になった後に、液状硫酸組成物は、液状硫酸組成物の温度が水蒸気への暴露前の該液状硫酸組成物の温度よりも上昇するのに効果的な量の水蒸気に暴露される。支持体は次いで好ましくは洗浄されて物質を除去する。 （もっと読む）

【課題】洗浄時において微細化したパーティクルや有機物の洗浄力に優れ、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供する
【解決手段】 炭素数２〜８の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ）を含有してなり、前記（Ａ）の２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）に対する２級アミン価（Ｘ）の比率［（Ｘ）／（Ｙ）］が、０．５以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】 半導体基体、液晶基体、磁性基体または超伝導基体製造プロセスにおけるウェット洗浄の洗浄水においてより高い洗浄効果を得るために、気体添加を目的とした気体透過性の膜を介して、適量の気体成分を洗浄水に添加することにより洗浄水のｐＨと酸化還元電位（ＯＲＰ）をより簡便かつ精密に制御できる水溶液のｐＨ及び酸化還元電位の制御方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 気体添加を目的とした気体透過性の膜を介して、気体成分を水溶液に添加することにより水溶液のｐＨと酸化還元電位を制御するものであって、半導体基体、液晶基体、磁性基体または超伝導基体製造プロセスにおけるウェット洗浄の洗浄水として水素添加水を用い、前記水素添加水に添加する前記気体成分としてアンモニアガスを使用する。 （もっと読む）

【課題】真空紫外光の発光効率を向上させ、処理能力の高いエキシマランプ装置を提供すること。
【解決手段】エキシマランプ２０と、ガス噴出口１２ａを有するガス供給管１２Ａと、搬送機構３８とを備え、被処理体Ｗに対してエキシマ光を照射するエキシマランプ装置１０において、前記ガス供給管１２Ａが互いに離間して複数設けられ、隣り合うガス供給管同士は、一方のガス供給管１２Ａに設けられたガス噴出口１２ａと、他方のガス供給管１２Ｂに設けられたガス噴出口１２ｂとが一対の関係となるガス噴出口を少なくとも一対備え、該一対のガス噴出口は、一方のガス噴出口１２ａの噴出方向と他方のガス噴出口１２ｂの噴出方向とが該隣り合うガス供給管に挟まれた空間Ａ内で対向、または交差するように形成され、前記エキシマランプ２０は、該隣り合うガス供給管に挟まれた空間Ａよりも鉛直下方に配置されていることを特徴とするエキシマランプ装置。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波を使用する減圧処理容器内での昇華物再付着防止。
【解決手段】 減圧処理容器内部に、マイクロ波励起無電極ランプを挿入できる構成を設け、プラズマ生成用のマイクロ波発振器を使用し、第1の工程でプラズマを励起せず、ＵＶ発光によるオゾンクリーニングを実施し、第2の工程で処理対象物を入れ、通常のプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】照射すべき平面にエキシマ光を効率よく均一に、かつ継続的に安定して照射できるようにする。
【解決手段】エキシマ照射装置１に、放電容器２、窓側電極層３、背面側電極層４、電源装置５、電極側窓部材６、被照射体側窓部材７及びガス供給装置９を設けた。放電容器２は、紫外線を透過させる材料で構成され、放電用ガスを封入した薄箱形状を呈し、厚さ方向に直交する互いに平行な２平面の一方を被照射体に対向する窓面２Ａとしている。窓側電極層３は、窓面２Ａの外側面に貼付され、紫外線を透過させる。電極側窓部材６は、窓側電極層３の外側面に密着して配置され、紫外線を透過させる。被照射体側窓部材７は、電極側窓部材６の外側に電極側窓部材６との間に間隙１２を設けて配置され、紫外線を透過させる。ガス供給装置９は、間隙１２に不活性ガスを流通させる。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理方法を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる （もっと読む）

【課題】より適切にフィルタを交換することが可能な薬液のフィルタリング方法を提供する。
【解決手段】第１のタンクに貯留された第１の薬液をフィルタによりフィルタリングし、このフィルタリングにより得られた第２の薬液を第２のタンクに貯留する、薬液のフィルタリング方法であって、第１回目から第ｎ回目までに第１のタンクに各々貯留された各々の第１の薬液に対応する捕獲量を積算することにより、積算捕獲量を取得する工程と、積算捕獲量と予め規定されたフィルタの限界捕獲量とを比較し、この比較結果に基づいて、フィルタを交換する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】研削加工されたウエーハの被研削面に残存するコンタミを可及的に減少させることができる洗浄機構を備えた研削装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブル上に保持された被加工物を研削する研削手段と、研削加工された被加工物の被研削面を洗浄する洗浄機構とを具備する研削装置であって、洗浄機構は被加工物の被研削面を上側にして保持するスピンナーテーブルと、スピンナーテーブルに保持された被加工物の被研削面に洗浄水を噴出する洗浄水供給手段と、スピンナーテーブルに保持された被加工物の被研削面に柔軟な払拭部材を接触させて被加工物の被保持面を払拭する払拭清掃手段と、スピンナーテーブルに保持された被加工物の被研削面にオゾン水を噴出するオゾン水供給手段とを具備している。 （もっと読む）