【課題】基板洗浄プロセスにおける金属汚染物質を除去する方法を提供する。
【解決手段】ウェット・センド・インデクサ・ステーション１１０では、基板の表面状態が、疎水性から親水性に変化させられる。このプロセス・ステップにおいて表面金属汚染の増加なしに基板の表面状態を変化させるよう、本発明を使用する。これを行うには、クエン酸・過酸化水素溶液に基板を浸漬させる。前記溶液のｐＨレベルは、水酸化アンモニウムとコリンおよびテトラメチル水酸化アンモニウムから選択された塩基混合物の添加により約６．５ないし１４に調整される。両面ブラシスクラバに関して説明される。 （もっと読む）

【課題】基板表面の平坦性を損なうことなく自然酸化膜や有機物を除去する表面処理が可能となる洗浄手法を提供する。
【解決手段】プラズマ中のラジカルをプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板（１１０）のラジカル通過孔（１１１）を通して処理室に導入し、処理室に処理ガスを導入して処理室（１２１）内でラジカルと混合し、そしてラジカルと処理ガスとの混合雰囲気により基板表面を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する有機物汚染やパーティクル汚染を、銅配線の腐蝕を引き起こすことなく効果的に除去しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供すること。
【解決手段】１分子中にカルボキシル基を２つ有する有機酸と１分子中にカルボキシル基を３つ以上有する有機酸を洗浄剤成分として用い、更に特定のアミノポリカルボン酸を用いることにより、銅配線の腐蝕を引き起こすことなく、半導体デバイスの表面に存在する有機物汚染やパーティクル汚染を効果的に除去しうる効果を達成しうる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面を、銅配線の腐食を引き起こすことなく、有機物汚染、パーティクル汚染を、短時間で除去することができ、基板表面を高清浄化しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に銅配線が施された半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、特定のトリアゾール化合物またはテトラゾール化合物を腐食防止剤化合物として含有する半導体基板表面用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】最外周誘導壁によって容器の開口部を開閉することにより、占有面積の小型化、及び処理の短時間化を実現する。
【解決手段】回転式処理装置１に、容器１Ａ、回転保持機構７、処理液吐出アーム３０、誘導壁１６，１７、及びエアシリンダ２２，２３を設けた。回転保持機構７は、容器１Ａの開口部３７から搬入された被処理基板３を水平に保持して回転させる。誘導壁１６，１７は、回転保持機構７の外周側に同心状に配置され、処理液吐出アーム３０から吐出された処理液の廃液を分別して排液する。エアシリンダ２２，２３は、誘導壁１６，１７のそれぞれを上端部が回転保持機構に保持された被処理基板３よりも上方に位置する回収位置と下方に位置する退避位置との間で昇降させる。誘導壁１６，１７のうち最外周誘導壁１７は、回収位置で開口部３７を閉鎖し、退避位置で開口部３７を開放する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の平坦性を損なうことなく自然酸化膜や有機物を除去する表面処理が可能となる洗浄手法を提供する。
【解決手段】プラズマ中のラジカルをプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板（１１０）のラジカル通過孔（１１１）を通して処理室に導入し、処理室に処理ガスを導入して処理室（１２１）内でラジカルと混合し、そしてラジカルと処理ガスとの混合雰囲気により基板表面を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたパターンの倒壊を抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のパターンが隣接して形成された基板を処理する基板処理装置であって、薬液に対する耐性を有し、前記基板を前記薬液により洗浄するための第１のチャンバと、前記第１のチャンバの上方または下方に配置され、前記第１のチャンバよりも高い耐圧性を有し、前記基板を超臨界乾燥するための第２のチャンバと、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間に設けられ、開閉可能なゲート部と、を備える。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面上に形成された金属ゲート構造の周囲からポストエッチング洗浄工程中にポリマ残渣を除去するためのシステム及び方法は、金属ゲート構造に及び除去されるべきポリマ残渣に関連する複数のプロセスパラメータを決定することを含む。１又は複数の製造層が、金属ゲート構造を画定し、プロセスパラメータは、これらの製造層の及びポリマ残渣の特性を定める。第１及び第２の洗浄化学剤が特定され、プロセスパラメータに基づいて、第１及び第２の洗浄化学剤に関連する複数の適用パラメータが定められる。ゲート構造の構造的完全性を維持しつつポリマ残渣を実質的に除去するために、第１及び第２の適用化学剤は、適用パラメータを使用して制御方式で順次適用される。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部を形成する基板処理方法において、マスク層の厚さを増大させることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＮ膜５１、ＢＡＲＣ膜５２及びフォトレジスト膜５３が順に積層され、フォトレジスト膜５３はＢＡＲＣ膜５２の一部を露出させる開口部５４を有するウエハＷを処理する基板処理方法であって、デポ性ガスであるＣＨ_３ＦガスとＳＦ_６ガスの混合ガスから生成されたプラズマによって開口部５４を有するフォトレジスト膜５３の上部表面にデポを堆積して厚さを増大させるマスク層厚さ増大ステップを有する。 （もっと読む）

【課題】装置内に蓄積された金属汚染物質や有機汚染物質を除去することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板を薬液により洗浄する処理室と、前記処理室内で基板を支持する支持具と、前記処理室内の前記基板に対して薬液を供給する第１の配管と、前記処理室内の前記基板に対してリンス液を供給する第２の配管と、前記第１の配管内及び第２の配管内の少なくとも一方に配管洗浄液を供給する配管洗浄液供給系とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面を、銅配線の腐食を引き起こすことなく、有機物汚染、パーティクル汚染を、短時間で除去することができ、基板表面を高清浄化しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に銅配線が施された半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、シクロヘキシル基を有する化合物を含有する半導体表面用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面の有機物と金属不純物の両方を除去して清浄化できる方法と、清浄化した酸化物基板に酸化物薄膜を形成する方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、真空雰囲気中に置いた酸化物基板５を加熱することなしに、その表面に原子状水素および原子状重水素のうち少なくとも一方を接触させて該酸化物基板５の表面から金属不純物を除去する第１の清浄化工程と、前記酸化物基板５の表面に酸素プラズマを接触させて該酸化物基板５の表面から有機系不純物を除去する第２の清浄化工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電解硫酸の生成のための電流効率を向上させるとともに、同時に、レジスト等の洗浄剥離効率を高めることのできる電解硫酸による洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】硫酸電解槽１に外部より第１の硫酸溶液を供給して電解を行い、前記硫酸電解槽１内に酸化性物質を含有する第１の電解硫酸を生成する工程と、前記硫酸電解槽１に、外部より、先に供給した第１の硫酸溶液より濃度の高い第２の硫酸溶液を供給して、前記硫酸電解槽１内において、前記第２の硫酸と前記第１の電解硫酸とを混合するとともに、更に、電解を行い、前記硫酸電解槽１内に硫酸と酸化性物質を含有する第２の電解硫酸よりなる洗浄液を生成する工程と、前記洗浄液を用いて洗浄対象物２３の洗浄処理を行う洗浄処理工程とを備えたことを特徴とする電解硫酸による洗浄方法及び当該洗浄装置を用いた半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】脱ガスを行わずに、過酸化水素と酸素とが除去された水素溶解水の製造方法を目的とする。
【解決手段】本発明の水素溶解水の製造方法は、白金族金属触媒の存在下で過酸化水素から水を生成する反応及び酸素と水素から水を生成する反応を利用して、過酸化水素と酸素とを含む被処理水から過酸化水素及び酸素を除去する触媒反応工程を有する水素溶解水の製造方法において、前記被処理水を脱ガスすることなしに、前記触媒反応工程で消費する水素を予め被処理水に添加しておく水素添加工程を有することよりなる。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の裏面と洗浄装置との接触によって発生する被洗浄物間の相互汚染を防止し、洗浄液、および洗浄した汚れが被洗浄物に再付着することを抑制することができる枚葉式洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、前記被洗浄物の側面を保持するチャックピンと、前記被洗浄物の直下に配設され、液体を吐出する吐出口を有したフランジと、前記フランジの外側に配設され、前記フランジから吐出される液体の液はねを防止する液はね防止板とを具備し、前記フランジにより前記被洗浄物の裏面を非接触な状態で液体浮上させ、前記チャックピンで該被洗浄物の側面を保持して該被洗浄物を洗浄するものであることを特徴とする枚葉式洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板を損傷させずに確実に洗浄処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板が供給される処理槽１と、処理槽の基板の被処理面に、マイナスの電荷が帯電しそのマイナスの電荷にプラスの電荷が静電結合したナノバブルを含む処理液を供給する処理液供給ノズル１６と、処理液供給ノズルから基板に供給された処理液に向かって供給され、その処理液に含まれるナノバブルのマイナスの電荷に静電結合したプラスの電荷を除去しナノバブルの静電気による平衡状態を消失させてナノバブルを破裂させる作動液を供給する作動液供給ノズル２２ａ，２２ｂを具備する。 （もっと読む）

【課題】金属イオン等の異物を確実に除去することができる微小気泡生成装置微小気泡生成方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】微小気泡を含む液体２３を生成する微小気泡生成装置１０は、微小気泡を含む液体２３を生成する微小気泡液生成部１２と、微小気泡液生成部１２から供給される微小気泡を含む液体２３から、異物を除去する異物除去機構部３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 洗浄の高速化に確実に対応でき、しかも洗浄時の装置の振動を抑制でき、均一で効率的な洗浄を可能にする高圧水噴射洗浄装置を提供する。
【解決手段】 ケーシング３３の先端に高圧水噴射ノズルｎを設けたホルダー３０を備え、ケーシング３３の内部に回転自在に支持した支持軸２７を設け、この支持軸２７の先端側に軸心のずれた偏心部を形成し、この偏心部と前記支持軸２７とに軸受面が揺動可能な軸受２６を設け、この軸受２６に前記ホルダー３０の基部側を回転自在に支持し、ホルダー３０に高圧水チューブ３１を連結した高圧水噴射洗浄装置であって、高圧水噴射ノズルｎに３つの高圧水噴射孔ｎｋを設けている。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面に到達する紫外光の強度の低下を抑制しつつ、被処理物の表面における静電気の発生を抑制することのできる紫外光照射処理装置を提供する。
【解決手段】搬送される被処理物Ｗに紫外線ランプ３２を備えたランプハウス３０からの紫外光を照射することで被処理物Ｗの表面の洗浄を行う紫外光照射処理装置２０であって、被処理物Ｗの周囲に不活性ガス及び電子親和性分子を混合した混合ガスを供給するガス供給ダクト３７を備えることを特徴とする。前記混合ガス中における前記電子親和性分子の濃度は、１．０％以上６．０％以下であることが好ましい。前記不活性ガスは、窒素ガスであることが好ましい。前記電子親和性分子は、酸素分子であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】従来のガス溶解水に比べて格段に高い洗浄効果を発揮する電子材料用洗浄水を提供する。
【解決手段】溶存ガスとして酸素とアルゴンとを含むガス溶解水よりなる電子材料用洗浄水であって、溶存酸素濃度が８ｍｇ／Ｌ以上であり、溶存酸素ガス量と溶存アルゴンガス量との合計に対して２体積％以上の溶存アルゴンガスを含む電子材料用洗浄水。この電子材料用洗浄水を用いて電子材料を洗浄する方法。酸素／アルゴンガス溶解水よりなる本発明の電子材料用洗浄水は、溶存ガス量が少なく、また、使用する薬品量も少ないものであっても高い洗浄効果を得ることができることから、安全に容易かつ安価に製造することができる。 （もっと読む）