【課題】ＢＳＰをより確実に除去することが可能なＢＳＰ除去方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板のベベル面、及び裏面に付着した無機層、及び有機層を含む多層ベベル／バックサイドポリマー（ＢＳＰ）を除去するＢＳＰ除去方法であって、多層ＢＳＰを機械的に破壊する第１工程（ステップ２）と、機械的に破壊された多層ＢＳＰの残渣を加熱する第２工程（ステップ３）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】エキシマランプと被処理体との間での不所望の放電を防止して、被処理体に損傷をあたえることのない紫外線照射処理装置を提供すること。
【解決手段】 隅部に湾曲部を有する扁平筒状放電容器を有するエキシマランプを備えた紫外線照射処理装置において、高圧電極と接地電極間の沿面放電距離を、高圧電極と被処理体間の最短放電距離より小さくなるようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高圧水噴射洗浄装置において、製造ラインで要求されるクリーン度への対応が容易であること、均一な洗浄を可能にすること、構造を簡単にし、コストダウンを図れること、ならびに洗浄時の装置の振動を低減することである。
【解決手段】 洗浄対象物を洗浄装置本体に対し一定速度で移動させながら、高圧水噴射ノズルから一斉に高圧水を前記洗浄対象物に噴射させて洗浄する装置で、洗浄対象物を横切る長さ以上の長さを有する支持フレーム６の一面に、複数の高圧水噴射ノズル７ａを洗浄対象物に向けかつ間隔をあけて配列し、支持フレーム６の両端延長部１１をその延長面に直交する駆動軸１５を介して偏心回転可能に支持するとともに、駆動軸１５を駆動装置１７にて回転させることにより支持フレーム６が偏心回転するように構成し、回転円運動する各高圧水噴射ノズル７ａから高圧水を一斉に噴射させるようにしている。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体の表面に付着している汚染物を簡易且つ短時間で確実に洗浄除去し得る炭化ケイ素焼結体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄液供給手段１１と、気体供給手段１３と、を備え、洗浄液供給手段１１による洗浄液と、気体供給手段１３による気体とを２流体ジェット流として噴出口１５から噴出させる２流体ジェットノズルを用いて、炭化ケイ素焼結体の表面に付着している汚染物を除去する炭化ケイ素焼結体の洗浄方法において、洗浄液に、濃度が６０［％］以下の硝酸、濃度が５０［％］以下のフッ化水素酸、或いは、硝酸、フッ化水素酸および純水または超純水の混合液を用い、また気体に窒素ガスあるいはアルゴンあるいは空気を用いる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクルや有機物の汚染、金属汚染及び有機物と金属による複合汚染の除去性と再付着防止性に優れ、基板表面を腐食することなく、高度に清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。特に、疎水性のため薬液をはじき易く、パーティクル除去性が悪い低誘電率（Ｌｏｗ−ｋ）材料の洗浄性に優れた洗浄液を提供する。
【解決手段】（Ａ）有機酸、（Ｂ）界面活性剤、及び（Ｃ）無機酸を含有することを特徴とする半導体デバイス用の基板の洗浄液。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する不純物を、銅配線の腐蝕や酸化を引き起こすことなく、有効に除去するできる半導体デバイス用洗浄剤を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造工程において、表面に銅配線を有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有することを特徴とする。さらに、ポリカルボン酸を含有することが好ましい。下記一般式（Ｉ）中、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、少なくとも一つの窒素原子を含有するヘテロ環から水素原子１つを除いて形成される一価の置換基を表し、Ｌは二価の連結基を表す。
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【課題】容器内の複数の基板を取り出して所定の処理を行い、処理後の基板を容器内に戻す一連の処理を繰り返し行う際に、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】洗浄処理装置は、一連の搬送動作を制御する制御部４０を有し、制御部４０は、一のウエハの基板を処理装置内に投入している状態において、フープ搬送装置１２およびウエハ出し入れステージ１５が空いているタイミングで、次のロットの未処理基板を収容したフープをウエハ出し入れステージ１５に搬送し、トータルの搬送時間が適切になるように、フープ搬送装置１２の動作タイミング、ウエハ出し入れステージ１５での操作のタイミング、およびウエハ移載装置１９の動作タイミングを個別に調整した搬送スケジュールを作成するスケジュール作成部５４を有する。 （もっと読む）

基板から望ましくない物質を除去するための組成物であって、ヒドロキシルアミンまたはヒドロキシルアミン誘導体、第４級アンモニウム化合物、および少なくとも１つの極性有機溶媒を含む、組成物。この組成物は、ウェハレベルパッケージングの適用およびはんだバンプ形成の適用からフォトレジストを除去することができる。
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【課題】 本発明は、低コストで、ドライアイススノーを洗浄ポイントに集中させて吹き付けることができる洗浄装置を提供する。
【解決手段】 ノズル３の噴射口３２からドライアイススノーを噴出して被洗浄物を洗浄する洗浄装置において、前記ノズル３に、円筒内周面７ａを有する拡散抑制管部７が設けられており、前記拡散抑制管部７は、その円筒内周面７ａが前記ノズル３の噴射口３２の軸線Ｘ周りに配され、且つ、前記噴射口３２の軸線Ｘ方向に延出されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコンウエハーの洗浄方法に関するものである。
【解決手段】本発明は、（Ｓ１１）シリコンウエハーの表面を標準洗浄１に従うＳＣ‐１洗浄液で洗浄する段階；（Ｓ１２）上記（Ｓ１１）段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を脱イオン水を用いてリンスする段階；（Ｓ１３）上記（Ｓ１２）段階でリンスされたシリコンウエハーの表面を塩酸、オゾン水及び脱イオン水を含んでなる洗浄液を用いて洗浄する段階；（Ｓ１４）上記（Ｓ１３）段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を脱イオン水を用いてリンスする段階；及び（Ｓ１５）上記（Ｓ１４）段階でリンスされたシリコンウエハーを乾燥させる段階；を含んで行うことを特徴とする。本発明によれば、洗浄工程とともにシリコンウエハーの表面に強い酸化力を持つ物質を用いて安定した表面酸化膜を形成することで、時間が経過しても外部の不純物がシリコンウエハーの表面に吸着されるなどの問題を解決することができ、かつ工程が簡単で安全に行える長所がある。 （もっと読む）

【課題】 ブラシアセンブリ及びこれを有する基板洗浄装置が開示される。
【解決手段】 ブラシを用いて基板を洗浄するための装置において、ブラシアセンブリは工程チャンバー内で回転可能に配置されるシャフトと、前記シャフトの中央部位に配置され、基板を洗浄するための洗浄液の供給を受け、基板の表面と接触して前記基板の洗浄を行うブラシと、前記基板を洗浄する間、前記ブラシに供給された洗浄液が前記シャフトに沿って前記シャフトの端部に向かって流れることを防止するために気流を発生させる送風ユニットを含む。従って、前記ブラシに供給された洗浄液が前記工程チャンバーの外部に漏洩することが防止されることができる。 （もっと読む）

【課題】 基板洗浄方法及び装置が開示される。
【解決手段】 レーザービームを利用する基板洗浄方法及び装置において、工程チャンバー内にはレーザー誘起衝撃波が発生する空間を限定する内部チャンバーが配置される。前記レーザービームは前記内部チャンバー内に位置した焦点に集中され、これによってレーザー誘起プラズマ衝撃波が前記レーザー焦点の周囲に発生する。前記プラズマ衝撃波は内部チャンバーの内側表面によって反射され、前記内部チャンバーの下部を通じて基板上に照射される。結果的に基板上に照射されるプラズマ衝撃波の強度が増加し、これによって、基板上の汚染物質の除去効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクス基板洗浄のためのアンモニア不含洗浄組成物、特に高感度多孔性誘電体、低κまたは高κの誘電体並びに銅金属被覆を特徴とするマイクロエレクトロニクス基板の洗浄方法を提供すること。フォトレジストのストリッピング、プラズマ生成有機、有機金属および無機化合物由来の残渣の洗浄方法、および平坦化工程由来の残渣の洗浄方法を提供すること。
【解決手段】非求核性、正荷電対イオンを含有する１種またはそれ以上の非アンモニア産生強塩基および１種またはそれ以上の腐食阻害溶媒化合物（該腐食阻害溶媒化合物は、金属と錯体形成できる少なくとも２つの部位を有する）を含有する洗浄組成物の使用により、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】剥離対象物の層間絶縁膜、金属、窒化金属、及び、合金を腐食することなく、短時間、低温度でフォトレジスト、反射防止膜、及び、エッチング残渣よりなる群から選ばれた少なくとも１つの付着物を除去できる剥離液とその剥離方法を提供すること。
【解決手段】第４級アンモニウム水酸化物、酸化剤、アルカノールアミン、及び、アルカリ金属水酸化物を含む水溶液からなることを特徴とする半導体デバイスの剥離液、並びに、前記剥離液を調製する剥離液調製工程、及び、前記剥離液調製工程により得られた剥離液により、フォトレジスト、反射防止膜、及び、エッチング残渣よりなる群から選ばれた少なくとも１つの付着物を除去する剥離工程を含むことを特徴とする剥離方法。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクルや有機物の汚染、金属汚染及び有機物と金属による複合汚染の除去性と再付着防止性に優れ、基板表面を腐食することなく、高度に清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。特に、疎水性のため薬液をはじき易く、パーティクル除去性が悪い低誘電率（Ｌｏｗ−ｋ）材料の洗浄性に優れた洗浄液を提供する。
【解決手段】（Ａ）有機酸、（Ｂ）スルホコハク酸、アルキル硫酸、アルキルエーテル硫酸及びこれらの塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上、並びに水を調合してなることを特徴とする半導体デバイス用基板洗浄液。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物にダメージを与えないようにしつつ洗浄乾燥性能を向上する。
【解決手段】洗浄後でかつ乾燥前に、不活性ガスを洗浄槽内に供給して洗浄槽１２内を加圧する加圧ガス供給手段３２と、乾燥時に洗浄槽１２内の圧力を調整可能な圧力調整手段３８と、排出流路１６から排出される洗浄液の流量を検出可能な流量センサ１６ｂと、洗浄液の排出後にアンモニアガスを供給するアンモニアガス供給手段３６と、洗浄液の排出後にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段３０と、洗浄液の排出後にアルゴンガスを供給するアルゴンガス供給手段３４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】金属膜に悪影響を与えることを回避しつつ、希釈薬液を用いた処理を基板に適切に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】フッ酸表面側バルブ２３および第３炭酸水バルブ２４が開かれると、フッ酸供給源からのフッ酸（フッ酸原液）および炭酸水供給源からの炭酸水が第２混合部３２に流入する。第２混合部３２では、フッ酸と炭酸水とが混合される。これにより、フッ酸が炭酸水によって希釈されて、所定の濃度（たとえば、０．０１６〜０．０５ｗｔ％）の希フッ酸が調製される。希フッ酸は、希フッ酸表面側供給管２０を通して希フッ酸ノズル４に供給された希フッ酸は、希フッ酸ノズル４から回転中の基板Ｗの表面に供給される。希フッ酸ノズル４からの希フッ酸は、その比抵抗が比較的低い。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造の間にウェハの化学機械平坦化（ＣＭＰ）後の半導体ウェハの洗浄に関し、金属、特に銅、相互接続を含むウェハの後ＣＭＰ洗浄用アルカリ薬品を提供する。
【解決手段】残留スラリーパーティクル、特に銅または他の金属パーティクルは金属を十分にエッチングする、表面に堆積物を放置する、十分な汚染物を与える、ことをせずに半導体表面から除去され、同時に金属を酸化および腐食から保護する。さらに、少なくとも１つの強キレート剤は溶液中で金属イオンを錯化するために存在し、誘電体からの金属除去を促進しかつウェハ上への再堆積を防止する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板中の構造体に熱ストレスが加わり難いドライクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】 酸化銅、及び有機汚染物質の少なくともいずれか一方が基板表面に形成、もしくは付着した被処理基板をチャンバ内に設置する工程（ステップ１）と、チャンバ内の雰囲気を有機化合物ガス雰囲気として被処理基板の基板表面にガスクラスターイオンビームを照射し、基板表面に形成、もしくは付着した酸化銅、及び有機汚染物質の少なくともいずれか一方を除去する工程（ステップ２）とを具備する。 （もっと読む）

本発明の目的は、半導体基板の運搬および保管のための輸送支持具（１）の処理方法であって、場合によっては前記支持具（１）が液体を使用したクリーニング操作を初めに受けている方法を提供することである。当該方法は、輸送支持具（１）が真空ポンプ（５）に連結された密封チャンバ（４）内に置かれ、輸送支持具（１）の壁上の異物の除去に有利にはたらくように前記輸送支持具（１）が準大気圧と赤外線との複合作用にさらされる、処理ステージを含む。本発明は、また、当該方法を実施するための輸送支持具（１）のための処理ステーションに関する。
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