【課題】アミン系剥離液使用により蓄積するレジスト樹脂、炭酸アンモニウム塩、溶解金属を連続的に除去し、剥離液の再生装置、方法を提供する。
【解決手段】剥離装置１内で循環する使用済み剥離液２を配管経路３を通じて電解槽４の陽極ドラム５およびカチオン交換膜６間に導入する。一方で電解槽４には陽極ドラム５に対向する陰極７が、カチオン交換膜６を介して設置されており、陰極７は再生済みの剥離液８によって満たされている。陽極と陰極間の電気伝導は陽イオンの移動による電気伝導が可能となっているので電気的には隔離されていない。陽極ドラム５及び陰極には、電気給手段として電源９が接続されている。陰極及び陽極間に直流電流を通電することで、使用済み剥離液に含まれるレジスト樹脂を陽極ドラム５の表面上に電着でき、剥離液中からレジスト樹脂を除去できる。 （もっと読む）

【課題】基板表面を腐食することなく微粒子付着による汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。
【解決手段】
以下の成分（Ａ）〜（Ｄ）を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ａ）ポリカルボン酸またはヒドロキシカルボン酸
（Ｂ）スルホン酸型アニオン性界面活性剤
（Ｃ）カルボン酸型アニオン性界面活性剤
（Ｄ）水 （もっと読む）

【課題】流体メニスカス内の活性空洞によってウェハ表面を処理可能である基板処理装置を提供する。
【解決手段】該装置は、作動時に基板１０８の表面に近接するプロキシミティヘッド１０６ａ,１０６ｂを有する。装置は、また、プロキシミティヘッド１０６ａ,１０６ｂの表面に、プロキシミティヘッド１０６ａ,１０６ｂ内に形成された空洞に通じる開口を有し、空洞は、開口を通じて基板１０８の表面に活性剤を送る。装置は、更に、プロキシミティヘッド１０６ａ,１０６ｂの表面に、開口を取り囲む流体メニスカスを基板１０８の表面上に生成するように構成された複数の導管を有する。 （もっと読む）

【課題】 洗浄時において電子材料基板の表面の平坦性を損ねることなく製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 アルカリ成分（Ａ）、下記一般式（１）で表わされるポリオキシアルキレン化合物（Ｂ）および水を必須成分とすることを特徴とする電子材料用洗浄剤。
ＨＯ−（ＥＯ）ｍ−（ＰＯ）ｎ−（ＥＯ）ｍ−Ｈ （１）
［式（１）中、ＥＯはオキシエチレン基、ＰＯはオキシプロピレン基；ｍはエチレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜２５０の数、ｎはプロピレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜１００の数である。式（１）中の（ＥＯ）ｍと（ＰＯ）ｎと（ＥＯ）ｍは、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドがブロック状で付加している。］ （もっと読む）

【課題】洗浄液供給システムで生成する過硫酸濃度を迅速に測定して洗浄側に供給する溶液の過硫酸濃度の制御を可能にする。
【解決手段】硫酸溶液の電解反応により、過硫酸イオンを生成する電解反応装置と、電解反応装置で生成した過硫酸イオンを含む硫酸溶液を洗浄液の一部又は全部として被洗浄材を洗浄する洗浄側に供給可能にし、洗浄側から返流される洗浄液として使用した硫酸溶液を受け、硫酸溶液の一部又は全部を電解反応装置に供給する循環ラインと、硫酸溶液を貯留して電解反応装置との間で硫酸溶液を循環し、１０〜９０℃に調整された硫酸溶液が返流側の循環ラインから導入されるとともに、貯留槽内の硫酸溶液が送出側の循環ラインに送られて１００〜１７０℃に加熱されて洗浄側に供給される貯留槽と、貯留槽内の硫酸溶液中の過硫酸濃度を測定する過硫酸濃度測定装置を備える。 （もっと読む）

【課題】実質的に中性に調整されたヒドロキシルアミン化合物を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水と、洗浄剤と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、特定の含窒素非芳香族環状化合物とを含有し、実質的に中性に調整された半導体基板用洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、再現性に優れたプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。真鍮ブロック５は開口部１２を先端として先細形状に構成され、放射光の光軸４３が真鍮ブロック５によって遮られない位置に、基材２の表面温度を測定するための放射温度計受光部４２が配置されている。 （もっと読む）

【解決課題】 熱膨張係数が大きく異なる基板同士を接合する場合でも貼り合わせ強度を高めて基板破損を回避することができる貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 ３０％水溶液換算のＨ_２Ｏ_２の容量に対する２９％水溶液換算のＮＨ_４ＯＨの容量が、体積比で１を超え２００以下となる溶液によりハンドル基板を洗浄し、然る後にドナー基板と貼り合わせる工程を含む貼り合わせ基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 レジストの水による物性変化（膨潤性等）を利用して、レジスト膜を容易且つ確実に剥離する。これにより、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、すなわちレジストの除去にエネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現させる。
【解決手段】 水蒸気噴射ノズル３をラインスリットノズルが直径方向となるように配置してミスト含有水蒸気をレジスト膜の表面に噴射し、当該レジスト膜を剥離・除去する。 （もっと読む）

【課題】ポストエッチング後に有機および無機の残留物およびフォトレジストを半導体基材にダメージを与えることなく除去する処方の提供
【解決手段】アセタールまたはケタール溶媒、水、多価アルコール、および少なくとも７かそれより大きなｐＨを有するように調整するｐＨ調整剤を含み、さらには共溶媒としての水溶性の有機溶媒、腐食防止剤およびフッ化物を随意的に含む。 （もっと読む）

【課題】大型の処理対象物の表面に対して分布が均一な処理を安価に行うことができる技術を提供する。
【解決手段】基板５に対して相対移動可能に設けられ、処理ガス供給源８から供給された処理ガスを放電させ、当該処理ガスのラジカルを基板５に向って放出するためのラジカル放出器１０を備える。ラジカル放出器１０は、処理ガス供給源８から処理ガスのプラズマがそれぞれ供給され且つ互いの雰囲気が隔離された第１〜第４の拡散室１１〜４１と、第１〜第４の拡散室１１〜４１にて拡散された処理ガスのプラズマを混合するプラズマ形成室５１とを有する。プラズマ形成室５１には、基板５の相対移動方向に対し直交するスリット状のスリット５３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 研磨剤由来の砥粒の除去性、絶縁膜上の金属残渣と有機残渣の除去性に優れ、かつ銅配線の耐腐食性に優れる銅配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 銅または銅合金配線を形成する半導体製造工程中の化学的機械的研磨の後に続く工程において使用される洗浄剤であって、アミン（Ａ）、グアニジンの塩またはグアニジン誘導体の塩（Ｂ）、および水を必須成分とし、使用時のｐＨが８．０〜１３．０であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、剥離液の残渣を除去できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に開口を有するレジストマスクを形成する工程と、該基板のうち該開口により露出した部分に所定の処理を施す工程と、アリールスルホン酸を含む剥離液を用いて該レジストマスクを剥離する工程と、リンス液を用いて該剥離液の残渣を除去する工程と、該基板上に膜を形成する工程と、を備える。そして、該リンス液の溶解度パラメータは１２．９８から２３．４３までのいずれかの値であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】洗浄対象となる基板近傍にて光触媒反応を利用してＯＨラジカルを潤沢に発生させることによって、基板上に付着した有機物等のパーティクルを効果的に除去することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象である基板Ｗ上の被処理面Ｗ１を洗浄する第１のノズル１１と、被処理面Ｗ１上に液を供給する第２のノズル１２と、を備え、第１のノズル１１は、被処理面Ｗ１に対向し液に接触する光触媒１１ａと、光触媒１１ａを保持する保持部材１１ｂと、保持部材１１ｂを透過して光触媒１１ａに光を照射する光源１１ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】流路を切替えるための駆動機構の個数を削減することができる流路切替え装置を提供すること。また被処理体を処理する処理流体の専用排出路を切替えるための駆動機構の個数を削減することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷに対して複数種別の処理流体を互いに異なるタイミングで供給して処理を行う液処理ユニット３から当該液処理ユニット３の雰囲気を排気路３５、流路切替え部５を介して、複数の専用排出路（接続用流路）６１〜６３に排気する。前記流路切替え部５は、外筒５１とその内部に設けられた回転筒５３を備え、前記回転筒５３の３つの開口部５３ａ〜５３ｃは、当該回転筒５３を回転する間に、互いに対応する外筒５１の３つの接続口５１ａ〜５１ｃと回転筒５１の開口部５１ａ〜５１ｃとの組の一つが重なり合って連通しかつ他の組については連通しない状態が各組の間で順番に起こるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】微細バブルの洗浄に有効なより多くの性質を利用しつつ効果的な洗浄を可能にする洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】処理液をかけて被洗浄物を洗浄する洗浄方法であって、マイクロナノバブルやナノバブル等の比較的小さいサイズのバブルを含む第１処理液を前記被洗浄物にかける第１ステップ（Ｓ３）と、該第１ステップの後に、前記第１処理液に含まれるバブルより大きいサイズのマイクロバブル等のバブルを含む第２処理液を前記第１処理液が付着した状態の前記被洗浄物にかける第２ステップ（Ｓ４）とを有し、第１処理液での洗浄の後に、該第１処理液に含まれるバブルより大きいサイズのバブルを含む第２処理液での洗浄がなされるので、比較的小さいバブルの好ましい性質を利用した第１処理液による洗浄の後に、比較的大きいバブルの好ましい性質を利用した第２処理液による洗浄を行うことができるようになる。 （もっと読む）

【課題】洗浄能力が高く、噴射ノズル数の増加に伴う洗浄水流量の確保が容易であり、装置の構造を簡略化して小型・軽量化を図れ、洗浄時に装置の振動が生じにくく、均一で効率的な洗浄ができる回転型高圧水噴射式洗浄装置を提供する。
【解決手段】高圧水を洗浄対象物に対し一本の直線状に噴射させて洗浄する複数の高圧水噴射ノズル２１を備え、複数の噴射ノズルを円周方向に沿って等間隔にかつ長手方向に沿って複数列設けたノズルホルダー２と、このノズルホルダーと一体回転可能に接続され各噴射ノズル２１の高圧水供給路４１に連通可能な複数の高圧水導入路４５を円周方向に等間隔にかつ長手方向に沿って設けた回転型分配弁４と、ノズルホルダー２および回転型分配弁４の一方向連続回転手段７とを備え、回転型分配弁４から高圧水を複数の高圧水導入路４５に順次・間欠的に供給し、ノズルホルダ２ーの複数の噴射ノズル２１から高圧水を順番にかつ間欠的に噴射させる。 （もっと読む）

【課題】洗浄対象面内の清浄度およびその均一性を高めさらにメンテナンスも容易なＵＶオゾン洗浄装置を提供すること。
【解決手段】ＵＶ照射室（１０）内に２つのＵＶユニット（２０Ａ、２０Ｂ）を備えており、これらＵＶユニットは所定の間隔を有するように対向して設けられている。この間隔内には、洗浄対象物（３０）が基板搬送部（４０）により把持された状態で搬送される。オゾン発生の源となるエアーと不活性ガスの混合ガスは第１および第２のガス供給部（５０Ａ、５０Ｂ）から、ＵＶ照射室（１０）内に搬送された基板（３０）の表面に向けて供給される。ガス排出部（６０）は、装置（１００）の底部に設けられており、ＵＶ照射室（１０）内で発生したオゾン含有ガスは、装置上部に設けられた排気ユニット（７０Ａ、７０Ｂ）の作用により、ガス排気経路部（８０Ａ、８０Ｂ）を通ってガス排出部（６０）から外部へと排出される。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板保持部３４は液体により表面が濡れた状態の被処理基板Ｗを横向きに保持した状態で処理容器３１内に搬入し、このとき前記基板保持部３４と一体に形成され蓋部材３４１が処理容器３１の開口部３１１を塞ぐ。雰囲気形成部７１１、３９は前記処理容器内を超臨界流体の雰囲気とした後、姿勢変換機構６が処理容器３１の姿勢を変換して、当該処理容器３１内の被処理基板Ｗを縦に向ける。これにより被処理基板Ｗの上面の液体が流下して排出部から排出され、その後、排気部７３１より超臨界流体を排出することにより処理容器３１内を減圧して当該超臨界流体を気体とし、乾燥された被処理基板を得る。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】液槽３２は、被処理基板Ｗを液体に浸漬した状態で保持し、処理容器３１では、この液槽３２を内部の処理空間３１０に配置し、当該液槽３２内の液体を超臨界状態の流体に置換して被処理基板を乾燥する処理を行う。移動機構３５２、３５３は、液槽３２を、前記処理容器３１内の処理位置と当該処理容器の外部の準備位置との間で移動させ、当該処理容器３１に設けられた加熱機構３１２は、前記流体を超臨界状態としたり、その超臨界状態を維持する一方、冷却機構３３４、３３５は、前記処理容器３１の外部の準備位置に移動した液槽３２を冷却する。 （もっと読む）