【課題】表面に金属系元素で凹凸パターンが形成されたウェハのパターン倒れを改善する撥水性保護膜形成用薬液を提供する。
【解決手段】ウェハ１の洗浄工程の後、乾燥工程の前において、少なくとも凹部４を含む表面を一般式［１］で示される撥水性保護膜形成用薬液で置換する。


（Ｒ^１は一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の１価の炭化水素基、Ｒ^２はそれぞれ互いに独立して一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の炭化水素基を含む１価の有機基、ａは０〜２の整数である。） （もっと読む）

【課題】 金属配線を腐食することなく、化学的機械研磨工程で発生した結晶シリコンやアモルファスシリコンシリコン表面に残留した金属残渣や砥粒残渣を除去することができる洗浄剤を提供することを目的とする
【解決手段】 表面に単結晶シリコン、多結晶シリコンもしくはアモルファスシリコンと銅配線を同一面に有する半導体用洗浄剤であって、４級アンモニウムヒドロキシド（Ａ）、オキシエチレン鎖を有する脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ｂ）および水を必須成分として含み、そのｐＨが１２．５〜１４．０であり、かつ単結晶シリコンの表面に滴下したときの接触角が３０°以下であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、金属系ウェハのパターン倒れを改善する薬液を提供する。
【解決手段】金属系ウェハ１の、少なくとも凹部４表面に撥水性保護膜１０を形成する薬液であり、撥水性保護膜形成剤が、下記一般式［１］及びその塩から選ばれる少なくとも一つであり、前記薬液中に含まれる溶媒の総量に対する水の濃度が５０質量％以上である。


Ｒ^１は一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１乃至１８の１価の炭化水素基。Ｒ^２はそれぞれ互いに独立して一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基。ａは０乃至２の整数。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の接触角が小さい場合であっても、パーティクルの除去率を増大させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗは、表面Ｗｆを上方に向けた略水平姿勢の状態でスピンチャック２に保持される。その後、疎水化剤吐出ノズル５から基板Ｗの表面Ｗｆに疎水化剤が供給されて、基板Ｗの表面Ｗｆが疎水化される。その後、処理液吐出ノズル９７から基板Ｗの表面Ｗｆに処理液が供給されることにより処理液の液膜が形成される。その後、冷却ガス吐出ノズル３から基板Ｗの表面Ｗｆに冷却ガスが吐出されて、液膜が凍結される。その後、融解液吐出ノズル６から基板Ｗの表面Ｗｆに融解液が吐出されて、凍結膜が融解、除去される。 （もっと読む）

【課題】金属膜が形成された基板においてパターンの倒壊を抑制すること。
【解決手段】水を含むリンス液が、金属膜が形成された基板に供給される（Ｓ２）。その後、水酸基を含まない第１溶剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が第１溶剤に置換される（Ｓ４、Ｓ５）。その後、水酸基を含まない第２溶剤を含み金属を疎水化する疎水化剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が疎水化剤に置換される（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部がチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、及びルテニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハ（金属系ウェハ）の凹部表面に撥水性保護膜を形成し、該凹部に保持された液体と該凹部表面との相互作用を低減せしめることによって、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善する前記金属系ウェハの洗浄方法、及び、前記保護膜を形成する撥水性保護膜形成剤を含有する撥水性保護膜形成薬液を提供すること。
【解決手段】前記金属系ウェハの洗浄方法であって、
該ウェハ表面を酸化処理する、酸化処理工程
撥水性保護膜形成薬液を、ウェハの少なくとも凹部に保持し、該凹部表面に撥水性保護膜を形成する、撥水性保護膜形成工程
を含むウェハの洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸パターンが形成されたウェハのパターン倒れを防止する洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１の表面に凸部３及び凹部４からなる凹凸パターンを形成し、該凹凸パターンの少なくとも凹部４に液体９が保持された状態で、ジアルキルシリル化合物を含有しかつ酸及び塩基を含有しない撥水性保護膜形成用薬液を表面に保持させて、撥水性保護膜１０を形成し、該撥水性保護膜１０がウェハ１の表面に保持されている状態で、液体９を凹部４から除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、表面に凹凸パターンを有し該凹凸パターンの凹部表面にチタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を有するウェハ（金属系ウェハ）のパターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】金属系ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、Ｇｒｉｆｆｉｎ法によるＨＬＢ値が０．００１〜１０であり炭素数が６〜１８の炭化水素基を含む疎水部を有する界面活性剤と、水を含み、薬液中の前記界面活性剤の濃度が、該薬液の総量１００質量％に対して０．００００１質量％以上、飽和濃度以下であることを特徴とする、撥水性保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】純水の表面張力を低減することにより、微細パターン倒れを防止する基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】制御部５９は、処理槽１に疎水化溶液を供給させて、処理槽１内の純水を置換させるとともに、疎水化溶液により基板Ｗの改質処理を行わせる。改質処理により基板Ｗの表面全体が疎水化される。制御部５９は、純水を処理槽１に供給させて基板Ｗをリンス処理させた後、保持機構３９を上方位置に移動させるが、基板Ｗは疎水化されているので、純水の液残りを少なくすることができるともに、純水により基板Ｗの微細パターンにかかる表面張力を非常に小さくできる。したがって、純水から上方へ基板Ｗを持ち上げても、基板Ｗの微細パターンが純水の表面張力により受ける力を低減でき、基板Ｗの微細パターンが倒れるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するためのシリコンウェハ用洗浄剤を提供することを課題とする。
【解決手段】シリコンウェハ用洗浄剤は少なくとも水系洗浄液と、洗浄過程中に凹凸パターンの少なくとも凹部を撥水化するための撥水性洗浄液とを含み、該撥水性洗浄液は、シリコンウェハのＳｉと化学的に結合可能な反応性部位と疎水性基を含む撥水性化合物と、少なくともアルコール溶媒を含む有機溶媒が混合されて含まれるものとすること。 （もっと読む）

【課題】 フラットパネルディスプレイ基板及びフォトマスク基板等の電子材料基板の表面の平坦性を損ねることなく適度なエッチング性を付与し、また界面活性剤を用いて基板表面から脱離したパーティクルの分散性を高めることで、優れたパーティクルの除去性を実現し、これにより、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にするフラットパネルディスプレイ基板及びフォトマスク基板等の電子材料用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 界面活性剤（Ａ）を含有してなる電子材料用洗浄剤であって、有効成分濃度０．０１〜１５重量％における２５℃でのｐＨ及び酸化還元電位（Ｖ）［単位はｍＶ、ｖｓＳＨＥ］が下記数式（１）を満たすことを特徴とする電子材料用洗浄剤。
Ｖ ≦ −３８．７×ｐＨ＋５５０ （１） （もっと読む）

本発明の実施例は、洗浄溶液を半導体ウエハの一以上の表面に供する最適化されたすすぎ洗浄システム及び方法を供する。本発明の実施例は、製造サイクルにおける様々な時点でのウエハの処理に適用されて良い。前記ウエハは一層以上の金属層を有して良い。
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【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理方法を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる際に用いられる半導体基板の表面処理剤を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面処理剤は、半導体基板上に形成され、少なくともそれぞれの一部にシリコンを含む膜を有し、表面が洗浄及び改質され、表面にヒドロキシル基を有する複数の凸形状パターンに対して供給されるものであって、前記ヒドロキシル基と反応する加水分解基を含み、前記シリコンを含む膜の表面に、前記シリコンを含む膜よりも水に対する濡れ性の低い撥水性保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理方法を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる （もっと読む）

【課題】洗浄等の半導体ウェーハの処理方法は大口径化に従って、エッジ部分のダメージ増加、洗浄品質維持、洗浄装置の巨大化、スループットの点で十分とは言えない。
【解決手段】半導体ウェーハの表面を撥水化する撥水工程と、酸化性ガスにより表面を親水化する親水工程とを含む半導体ウェーハの処理方法を提供する。該半導体ウェーハの例としてのシリコンウェーハの撥水化処理は、表面の酸化膜除去を行うことを含んでよい。上記親水化の際に若しくはその前にウェット化又は湿潤化工程を含んでもよい。酸化性ガスは、酸素を含むガス、水蒸気を含むガス、その他半導体ウェーハの表面を酸化できるものを含んでよい。 （もっと読む）

【課題】従来技術の欠点を改善する、第１および第２の基板のそれぞれ２つの自由表面の分子接合のための方法を提供すること。
【解決手段】例えば単結晶シリコン・ウエハによって形成される、第１および第２の基板の自由表面の分子接合による接着は、少なくとも連続して、自由表面を疎水性にするための、気相のフッ化水素酸での自由表面の洗浄ステップと、３０秒以下の時間の、脱イオン水での前記自由表面のすすぎステップと、前記自由表面を接触させるステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。 （もっと読む）