【課題】基板の表面にパーティクルが発生することを抑制することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理方法においては、まず、基板Ｗが薬液処理される。次に、基板Ｗにリンス液が供給されてリンス処理工程が行われる。その後、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗを乾燥する乾燥処理工程が行われる。乾燥処理工程は、基板Ｗを第１回転数で回転させながら基板Ｗへ乾燥液を供給する第１乾燥処理工程と、第１乾燥処理工程の後、基板に乾燥液を供給しながら基板を第１回転数より低い第２回転数へ減速させる第２乾燥処理工程とを有する。第２乾燥処理工程において、基板Ｗ上のリンス液および乾燥液に対してブレーキをかけた状態とし、リンス液と乾燥液を撹拌して置換させる。第２乾燥処理工程の後、第３乾燥工程において基板に乾燥液を供給しながら基板の回転数を第２回転数から第３回転数まで上げ、その後第４乾燥工程において基板を回転させて、基板上の乾燥液を振り切る。 （もっと読む）

【課題】環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄する。
【解決手段】洗浄装置１３は、被処理ウェハＷを保持して回転させるウェハ保持部１３０と、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを覆う供給面１４１を備えた洗浄治具１４０とを有している。洗浄治具１４０には、接合面Ｗ_Ｊと供給面１４１との間の隙間１４２に接着剤Ｇの溶剤、溶剤のリンス液、及び不活性ガスを供給する気液供給部１５０と、接合面Ｗ_Ｊと供給面１４１との間の隙間１４２に供給された溶剤やリンス液（混合液）を吸引する吸引部１７０と、段部Ａに気体を供給する気体を供給する気体供給部１８０とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】洗浄時間を低減しつつ基板表面全体で所望のパーティクル除去率を達成できる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄部の周縁領域での第１の移動速度と基板の第１の回転速度とを決定する予備工程Ｓ５１、Ｓ５２と、基板の周縁領域より中心側で第１の移動速度よりも速い移動速度で移動するように第１の移動速度を基準に洗浄部の移動速度を決定する移動速度決定工程Ｓ５３と、基板の周縁領域より中心側で基板の第１の回転速度よりも速い回転速度で回転するように第１の回転速度を基準に基板の回転速度を決定する回転速度決定工程Ｓ５４と、移動速度決定工程にて決定した洗浄部の移動速度に従って基板の中心側から周縁領域まで洗浄部を移動させながら、回転速度決定工程で決定した基板の回転速度に従って基板回転速度を変化させ、洗浄部により基板を洗浄する洗浄工程Ｓ５６と、を含む基板洗浄方法である。 （もっと読む）

【課題】大口径の基板に対する裏面洗浄性の確保及び裏面洗浄性の向上を図ると共に、裏面洗浄液の省薬液化を図れるようにした基板裏面洗浄方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】鉛直軸回りに回転するウエハの表面に処理液を供給（レジスト塗布）した後、ウエハ裏面に洗浄液を緩やかに拡散すべく第１の回転数で回転して洗浄液を供給する洗浄液吐出工程と、第１の回転数より高速の第２の回転数で回転してウエハ裏面の洗浄液を急速に拡散して振り切る洗浄液振り切り工程と、を交互に複数回繰り返し行う。 （もっと読む）

【課題】アルカリ現像液に含まれているレジスト成分を起因とする、半導体ウェハのパターン欠陥を抑制する。
【解決手段】図１に示すように、半導体ウェハ上の感光膜を液浸露光する（ステップＳ１０）。なお、感光膜上には、トップコート膜が設けられていない。次に、半導体ウェハをアルカリ性の現像液に浸す（ステップＳ２０）。次に、アルカリ性の現像液に浸した半導体ウェハを超純水によって洗浄する（ステップＳ３０）。そして、二酸化炭素を含んだ水を用い、半導体ウェハを洗浄する（ステップＳ４０）。 （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面を低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、少ない低表面張力溶剤で基板表面を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される。そして、９秒間だけＤＩＷの供給を継続した後に停止し、所定時間（０．５秒間）が経過してパドル状の液膜の膜厚ｔ1がほぼ均一になるのを待って、ＩＰＡが基板表面Ｗfの表面中央部に向けて例えば１００（ｍＬ／ｍｉｎ）の流量で吐出される。このＩＰＡ供給によって、基板Ｗの表面中央部ではＤＩＷがＩＰＡに置換されて置換領域ＳＲが形成される。さらにＩＰＡ供給から３秒が経過すると、基板Ｗの回転速度が１０ｒｐｍから３００ｒｐｍに加速される。これによって、置換領域ＳＲが基板Ｗの径方向に拡大して基板表面Ｗfの全面が低表面張力溶剤に置換される。 （もっと読む）

【課題】液滴が衝突する基板の各位置での膜厚のばらつきを低減し、基板の処理品質を向上させること。
【解決手段】複数の噴射口２８からそれぞれ基板の上面内の複数の噴射位置に向けて処理液の液滴が噴射される。これと並行して、複数の吐出口３５からそれぞれ基板の上面内の複数の着液位置に向けて保護液が吐出される。複数の吐出口３５から吐出された保護液は、複数の液膜を形成する。複数の液膜は、それぞれ異なる噴射位置を覆う。処理液の液滴は、保護液の液膜に覆われている噴射位置に向けて噴射される。 （もっと読む）

【課題】処理槽内への基板の降下時及び処理槽内からの基板の上昇（引き上げ）時の双方において、隣接する基板同士の接触や、基板の浮き上がりを確実に防止する。
【解決手段】処理液で満たされた処理槽内に被処理基板を収納したキャリアを浸漬して処理を行う被処理基板の浸漬処理方法であって、キャリアを処理液の表面に対して水平に保持して処理槽内に下降させる降下工程と、キャリアを傾斜させて処理槽内より上昇させる上昇工程と、を実施する。 （もっと読む）

【課題】基板に液体を供給する供給部からの液体の液だれを防ぐことが可能な液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理の対象となる基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部が保持する基板に対して前記所定の液体を供給する供給手段と、液体供給部から前記供給手段に液体を供給する供給管と、前記供給管に設けられ、前記液体の供給を開始し、又は停止する供給弁と、前記供給弁に対して設けられ、前記供給弁の開閉速度を制御する速度制御器と、前記供給弁よりも前記液体供給部側において前記供給管から分岐し、前記供給管を流れる前記液体を排液するドレイン管と、前記ドレイン管に設けられる第１の開閉弁とを備える液処理装置により上記の課題を達成する。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させて基板の上面から処理液を除去して基板を乾燥する際に、基板の上面全体にわたって処理液の除去に要する時間を均一化して基板を良好に乾燥させる。
【解決手段】赤外線照射部５から出射される赤外線が基板Ｗの下方から基板中央部分Ｗcpに照射され、基板中央部分Ｗcpの上面に付着するＩＰＡ液で吸収される。この赤外線吸収によってＩＰＡ液の温度が上昇し、基板中央部分Ｗcpの上面に付着するＩＰＡ液の液膜温度が基板Ｗの周縁部分に付着するＩＰＡ液の液膜温度よりも高くなる。これにより、基板中央部分Ｗcpでの蒸発乾燥が基板Ｗの周縁部分での蒸発乾燥よりも促進され、基板中央部分Ｗcpと周縁部分との乾燥時間の差が抑制される。その結果、基板Ｗの上面Ｗus全体にわたって乾燥時間が均一化される。 （もっと読む）

【課題】薬液を使用することなく、基板から膜を剥離して製造コストおよび環境負荷を低減することができる技術を提供する。
【解決手段】界面ＢＦでの超短パルスレーザービームのフルエンスが基板加工閾値よりも大きく、かつ膜加工閾値よりも小さくなるように設定された、超短パルスレーザービームが薄膜Ｆを介して界面ＢＦに照射される。このため、当該界面ＢＦでのレーザー照射部分で基板Ｗが選択的に加工されて基板Ｗと薄膜Ｆの結合が低下して薄膜Ｆが剥離される。このように薄膜Ｆに対して物理的あるいは化学的に作用させることなく、いわゆるドライ処理によってレーザー照射を行った部分の薄膜Ｆを選択的に剥離させることができる。したがって、薬液を使用することなく、薄膜Ｆを剥離させることができ、製造コストおよび環境負荷を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の洗浄エリアに基板の回転速度とロール洗浄部材の回転速度の相対速度がゼロとなる点（領域）が存在しても、基板の表面をその全域に亘ってより均一に洗浄できるようにする。
【解決手段】基板Ｗの直径方向に沿って延びるロール洗浄部材１６を基板Ｗの表面に接触させつつ、ロール洗浄部材１６と基板Ｗを共に回転させて基板Ｗの表面をスクラブ洗浄する基板洗浄方法において、ロール洗浄部材１６及び基板Ｗの少なくとも一方の回転速度または基板の回転方向をスクラブ洗浄処理中に変更する。 （もっと読む）

【課題】処理時間（スループット）等の要素との関連性を考慮しつつ、流体ノズルの移動速度をより簡易かつ最適に制御して、基板の全表面に亘るより均一な洗浄や乾燥等の処理ができるようにした基板処理方法及び基板処理ユニットを提供する。
【解決手段】流体ノズルから流体を回転中の基板表面に向けて噴出させながら、該流体ノズルを回転中の基板の中心部から外周部に向けて移動させて該表面を処理する基板処理方法において、流体ノズルを、基板の中心から変位点までは一定の初期移動速度で、変位点を通過した後は、流体ノズルが基板の中心から距離ｒに対応する位置を通過する時の移動速度Ｖ_（ｒ）が、べき指数をαとしたとき、
Ｖ_（ｒ）×ｒ^α＝一定
を満たす移動速度Ｖ_（ｒ）で移動させる。 （もっと読む）

【課題】基板表面を液処理した後に、基板表面を清浄に乾燥させることが可能な液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】表面上に疎水性領域を有する基板を第１の回転速度で回転し、前記基板の表面中央部に対して、前記基板に供給された薬液をリンスするリンス液を第１の流量で供給し、前記基板の表面全面に前記リンス液の液膜を形成するステップと、前記基板の表面全面に形成された液膜を壊し、前記基板の表面上に前記リンス液の筋状の流れを形成するステップと、前記リンス液の筋状の流れが前記基板の表面上から外へ出るまで前記リンス液を供給する供給部を前記基板の外縁に向かって移動するステップとを含む液処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の接触角が小さい場合であっても、パーティクルの除去率を増大させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗは、表面Ｗｆを上方に向けた略水平姿勢の状態でスピンチャック２に保持される。その後、疎水化剤吐出ノズル５から基板Ｗの表面Ｗｆに疎水化剤が供給されて、基板Ｗの表面Ｗｆが疎水化される。その後、処理液吐出ノズル９７から基板Ｗの表面Ｗｆに処理液が供給されることにより処理液の液膜が形成される。その後、冷却ガス吐出ノズル３から基板Ｗの表面Ｗｆに冷却ガスが吐出されて、液膜が凍結される。その後、融解液吐出ノズル６から基板Ｗの表面Ｗｆに融解液が吐出されて、凍結膜が融解、除去される。 （もっと読む）

【課題】基板に対する処理性能を低下させることなく処理ユニットの占有スペースを減少し、より多くの処理ユニットが搭載できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに対し、シート部材２３１を基板表面Ｗｆに沿うように近接して張設し、基板表面Ｗｆの上方の空間を外気から遮断する。基板表面Ｗｆとシート部材２３１の間の空間には窒素ガスが供給され、基板表面Ｗｆと外気との接触を遮断する。基板表面Ｗｆが外気と接触しない状態になった時点で、基板表面Ｗｆに対して処理液を供給して処理を行う。これにより、外気に接触することによって生ずるウォーターマークや金属配線の腐食等を防止することができる。また、処理液等が付着したシート部材２３１は、処理に応じて基板表面Ｗｆに沿った方向に移動され、清浄な面を基板対向面とすることができるため、シート部材２３１から液体等が落下して基板表面Ｗｆを汚染することがない。 （もっと読む）

【課題】処理液が微細パターンの先端側から抜けるのを抑制することにより、基板に形成された微細パターンの倒壊を防止することができる。
【解決手段】純水ＤＩＷによる洗浄処理においては、図３（ａ）に示すように基板Ｗの微細パターンｍｐが純水ＤＩＷで覆われているが、乾燥処理時においては、図３（ｂ）に示すように基板Ｗの微細パターンｍｐの側方に純水ＤＩＷが排出される。したがって、基板Ｗの上面に形成されている隣接した微細パターンｍｐの先端部同士が引き合う方向の力を極めて小さくすることができる。その結果、純水ＤＩＷの表面張力によって微細パターンｍｐが倒壊することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】長尺ノズルにより複数の処理液を供給して基板を均一に処理することができる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】基板保持部と、回転駆動部と、第１の方向に沿って長尺に形成され、第１の処理液を供給する第１の処理液供給部８１と、第１の方向に沿って長尺に形成されており、第１の処理液供給部８１と平行に設けられた、第２の処理液を供給する第２の処理液供給部８３と、第１の処理液供給部８１と第２の処理液供給部８３とを、第２の方向に移動させる移動駆動部１２３と、制御部２００とを有する。制御部２００は、第１の処理液を供給するときは、第１の処理液が基板の回転中心に到達するように、第１の処理液供給部８１を移動駆動部１２３により移動させ、第２の処理液を供給するときは、第２の処理液が基板の回転中心に到達するように、第２の処理液供給部８３を移動駆動部１２３により移動させる。 （もっと読む）