【課題】処理液の液密空間への気体の混入を抑制または防止して、基板の一方面の全域に、処理液を用いた処理を均一に施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】上処理空間４１および下処理空間４２にそれぞれＩＰＡ液が供給される。空間４１，４２に供給される薬液によって、空間４１，４２に元から存在する空気は、空間４１，４２外に押し出される（（ａ）参照）。空間４１，４２がＩＰＡ液により液密状態にされた後（（ｂ）参照）、空間４１，４２に薬液が供給される（（ｃ）参照）。空間４１，４２が液密状態に維持されつつ、空間４１，４２内のＩＰＡ液が薬液に置換されていく。その後、空間４１，４２が薬液により液密状態にされて、ウエハＷの上面および下面が薬液により洗浄される（（ｄ）参照）。 （もっと読む）

【課題】本発明は被洗浄乾燥物を有機溶剤の蒸気エリア内に設置して洗浄及び乾燥処理を行う洗浄乾燥装置及び洗浄乾燥方法に関し、乾燥じみの発生を確実に防止し高い洗浄及び乾燥品質を実現することを課題とする。
【解決手段】被洗浄乾燥物となるローバ１１を蒸気エリア２５内に設置し、この蒸気エリア２５内において有機溶剤２３がローバ１１上に結露しその後に流れ落ちることによりローバ１１を洗浄する。この洗浄処理に伴いローバ１１の温度が蒸気エリア２５内の蒸気温度と等しい第１の温度になったとき、噴射ノズル３０から前記有機溶剤２３と同一の有機溶剤をローバ１１に向け噴射する。これよりローバ１１の洗浄を行うと共にローバ１１の温度を下げる。ローバ１１の温度が下がった後、噴射ノズル３０から有機溶剤２３を停止し、再びローバ１１上に有機溶剤２３を結露させ洗浄及び乾燥処理を実施する。そして、ローバ１１の温度が蒸気エリア２５内の蒸気温度と等しい温度になったとき、ローバ１１を洗浄乾燥装置から取り出す。 （もっと読む）

【課題】処理槽の内部において硫酸と過酸化水素とを効率よく混合させ、処理槽の内部にＣａｒｏ酸を多量かつ均一に生成することにより、基板の表面から有機膜を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、内槽１１の内部に硫酸成分を含む液体を吐出する吐出管３６ａ，３６ｂと、吐出管３６ａ，３６ｂから吐出される液体に向けて過酸化水素水を吐出する吐出管５５ａ，５５ｂとを備えている。このため、硫酸と過酸化水素水とを効率よく混合させることができ、それにより、処理槽１０の内部においてＣａｒｏ酸を多量かつ均一に生成することができる。したがって、基板Ｗの主面からフォトレジスト膜を良好に剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】露光装置において基板に付着した液体による動作不良および処理不良が防止された基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの洗浄後、基板Ｗの一面を覆うようにリンス液の液層Ｌが形成される。続いて、液供給ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方から外方に向かって移動する。液供給ノズル６５０は、基板Ｗの中心部上方から所定距離移動した時点で一旦停止する。この期間に、遠心力により液層Ｌが薄層領域内で分断され、液層Ｌの中心部に乾燥コアＣが形成される。その後、液供給ノズル６５０が再び外方に向かって移動することにより、乾燥コアＣを始点としてリンス液が存在しない乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上で拡大する。 （もっと読む）

【課題】基板の主面の全域に対し、均一にエッチング処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの上面におけるフッ硝酸の着液点Ｐ１は、アーム支持軸を中心とする円弧形状（ほぼ直線状）のスキャン経路Ｓ１に沿って移動する。スキャン経路Ｓ１は、ウエハＷの回転中心Ｃを通る円弧形状の軌道のうち、ウエハＷの回転中心Ｃから微小間隔Ｌ１だけ隔てた近接位置Ｓ１１と、この近接位置Ｓ１１よりもウエハＷの回転半径方向に設けられ、ウエハＷの回転中心Ｃから間隔Ｌ２だけ隔てた離隔位置Ｓ１２との間を結ぶ線分とみなせる。フッ硝酸の着液点Ｐ１は、近接位置Ｓ１１と、離隔位置Ｓ１２との間で往復移動する。フッ硝酸は、ウエハＷの上面の回転中心Ｃおよび周縁領域には直接供給されない。 （もっと読む）

【課題】 スピンコ−タ−カップ、半導体ウェハ、液晶ガラスなどに付着したレジスト及びレジスト被膜、油膜、塗料及び塗膜等の有機成分及び有機被膜を、短時間で除去すると共に、洗浄液を多数回繰り返し洗浄できる生産性・経済性の優れた洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】洗浄室内に被洗浄物を保持する保持カゴを回転可能に自立させ、更に洗浄液噴射用、すすぎ液噴射用及び乾燥用を共有するノズルを有するノズルヘッダーを回転可能に配設して、保持カゴとノズルヘッダーとの回転方向が双方対向するように設置して、被洗浄物を炭酸アルキレンによる洗浄後エアーで液切りさせた後、精製水によるすすぎを行って、エアー噴射により短時間で乾燥仕上げ処理することと、洗浄後の洗浄液はオゾンを用いた洗浄液再生装置で有機成分を分解して、循環再使用して経済効率を改善する。 （もっと読む）

【課題】基板上の不要物を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】バキュームチャック１１の上方には、ほぼ円錐形状の遮断板１２が配置されている。遮断板１２の下面１２１には、それぞれエッチング液、純水および窒素ガスを吐出する開口１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃが形成されている。エッチング液、純水および窒素ガスは、ウエハＷの回転半径外方に向かうにつれてウエハＷに近づくように傾斜した方向に吐出されて、それぞれウエハＷの表面のエッチング液供給位置Ｐｅ、純水供給位置Ｐｄおよび窒素ガス供給位置Ｐｎに供給される。 （もっと読む）

【課題】所望の粒径の微粒子を所望の速度にて基板に向けて噴射する。
【解決手段】基板処理装置では、第１ノズル部４１ａおよび第２ノズル部４１ｂから衝突位置Ｐ１に向けて純水の１次微粒子を噴射することにより、１次微粒子よりも粒径が小さい２次微粒子がカバー部４２の内部空間４２１内に生成され、気体送出部４３から衝突位置Ｐ１に向けて窒素ガスが送出されることにより、２次微粒子が基板９に噴射される。ノズルユニット４では、第１ノズル部４１ａおよび第２ノズル部４１ｂに供給される純水および窒素ガスの流量を調整することにより、各ノズル部から所望の粒径の１次微粒子が噴射されるとともに、各ノズル部からの１次微粒子の衝突により所望の粒径の２次微粒子が生成される。そして、気体送出部４３から送出される窒素ガスの流量を調整することにより、所望の粒径の２次微粒子を所望の速度にて基板９上の所望の範囲に向けて噴射することができる。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハをスポンジブラシによって所定の洗浄度合に洗浄できるようにしたブラシ洗浄装置を提供することにある。
【解決手段】回転テーブル１１に保持された半導体ウエハ２２を回転駆動されるスポンジブラシ３８によって洗浄するブラシ洗浄装置において、上記回転テーブルを回転駆動するモータ１６と、上記洗浄ブラシを回転駆動するモータ３４と、上記スポンジブラシを上記被洗浄物の径方向に沿って揺動させる揺動機構３２と、上記スポンジブラシを半導体ウエハの径方向中心部から外方へ揺動させたときに上記スポンジブラシの上記半導体ウエハに接触する端面と上記半導体ウエハの上記端面が接触する部分との相対速度が所定値以上になるよう上記角モータを制御する制御装置６４とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面を好適に洗浄可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板上にレジスト膜を形成し、洗浄の際に洗浄液と前記基板との界面に作用するせん断応力が、液浸露光の際に液浸液と前記基板との界面に作用するせん断応力よりも大きくなるような制御の下、前記基板の表面を洗浄し、前記レジスト膜を前記液浸露光により露光して、前記レジスト膜に潜像を形成し、前記レジスト膜を現像して、前記基板上にレジスト膜パターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内を洗浄するための洗浄液による基板汚染を防止することができる基板処理装置および処理チャンバ内洗浄方法を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ２内においては、閉状態におけるシャッタ１８上部の側方（水平でかつ側壁１に沿う方向）の一方側（図で示す右側）には、洗浄液を吐出するための第１洗浄液吐出ノズル３２と、洗浄液を吐出するための第２洗浄液吐出ノズル３３と、Ｎ₂ガスを吐出するためのＮ₂ガス吐出ノズル３４とが設けられている。シャッタ１８の上部に付着したＳＰＭが、洗浄液によって洗い流される。また、洗浄に用いられた洗浄液がＮ₂ガスによって除去される。 （もっと読む）

【課題】溶剤蒸気供給管の供給箇所における溶剤の液状化を防止して、溶剤に起因する乾燥不良を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】溶剤ノズル３３の先端部７９には、噴出孔８１と同程度の開口を有する先端孔８５が形成されているので、蒸気発生タンクから溶剤ノズル３３の基端部７７に供給されたイソプロピルアルコール蒸気は、外周面の噴出孔８１から噴出されるだけでなく、先端孔８５からも噴出される。その上、先端部７９の肉厚ｄ１が外周面の肉厚ｄ２と同程度であるので、イソプロピルアルコール蒸気の熱が極端に低下することがなく、先端部７９においてイソプロピルアルコール蒸気が凝結するのを防止できる。したがって、リフタが乾燥位置に移動され、処理槽内からチャンバ内の雰囲気に露出された基板Ｗに対して液状化したイソプロピルアルコールが噴出されるのを防止できる。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板表面に対するケミカル処理方法および装置を提供する。当該ケミカル処理方法は、ホルダー２を用いて、処理対象である半導体基板４の下面と化学溶液槽１に収容される化学溶液５の液面との間に一定の距離を有するように、半導体基板４を化学溶液５の上方に放置し、噴射装置３によって半導体基板４の下面に向け化学溶液５を噴射することで、当該下面にケミカル処理を施す方法である。当該装置は、化学溶液５を収容する化学溶液槽１と、半導体基板４を化学溶液５の上方に放置するためのホルダー２と、半導体基板４の下面に向け化学溶液５を噴射するための噴射装置３とを備える。当該方法によれば、半導体基板の一方の表面のみにケミカル処理を施すことができるとともに、他方の表面に如何なる保護も必要としない。
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【課題】被処理体の表面上に処理流体が滞留するのを防止して表面処理の均一性を向上させることができる高圧処理装置を提供する。
【解決手段】回転軸Ｊ回りに回転駆動される基板Ｗに対して噴出管５から噴出されるＳＣＣＯ2が基板Ｗの表面に平行に供給される。噴出管５は回転軸Ｊに平行な回動軸Ｋ回りに回動自在に設けられており、コントローラ４からの制御指令に基づき、サーボモータ７３が作動することで噴出管５が回動駆動される。これにより、噴出管５からのＳＣＣＯ2の噴出方向が変更可能となっている。このため、基板Ｗの表面処理のプロセス条件に応じてＳＣＣＯ2の噴出方向を自在に調整することができ、基板Ｗの表面上におけるＳＣＣＯ2の滞留を防止して表面処理の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】処理ムラをなくすると共に処理槽内に持ち込まれたゴミなどを効率よく排出して処理効率をよくした基板処理装置を提供すること。
【解決手段】上方を開口させ内部に処理液供給管４１〜４４が配設された有底の処理槽２と、処理液供給管へ処理液を供給する制御手段６とを備え、処理槽２は、対向する一対の第１、第２側壁２ｂ、２ｃを有し、これらの第１、第２側壁の底側壁に、上下段に第１、第２及び第３、第４処理液供給管４１〜４４をそれぞれ固定する。制御手段６は、第１乃至第４処理液供給管を第１と第４処理液供給管４１、４４を組み合わせた第１組と、第２と第３処理液供給管４２、４３を組み合わせた第２組とに分けて、いずれか一方の組の各処理液供給管に処理液を供給して、処理槽内に第１方向の渦流を連続して生成する。 （もっと読む）

プレート状物品の超音波湿式処理のための方法およびそれぞれの装置が開示され、この方法は、プレート状物品の表面に近接するトランスデューサに接続された固体要素を移送するステップであって、固体要素とプレート状物品との間に隙間が形成され、隙間は０．１ｍｍと５ｍｍとの間の距離ｄ２を有するような、ステップと、固体要素とプレート状物品との間の隙間を満たすための液体を分配するステップと、超音波を検出するおよび／または距離ｄ２を測定することによって距離ｄ２を制御するステップと、測定された距離を所望の距離ｄ０と比較し、それに応じて距離を調節するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、インターロック機構の信頼性を向上させる。
【解決手段】除電部２は、メンテナンス用の開口部２０ａをもつチャンバ本体と前記開口部２０ａを開閉する蓋体２１とを備えたチャンバ２０を有し、このチャンバ２０の内部に、基板に対して除電処理を施す軟Ｘ線式イオナイザ２６を備える。この除電部２は、閉止位置にある蓋体２１が開方向に操作されることにより作動する開閉スイッチと、この開閉スイッチの作動に基づき軟Ｘ線式イオナイザ２６を強制的に停止させる制御装置とを備える。また、処理用チャンバ２０の蓋体２１には、当該蓋体２１が前記閉止位置から開方向へ所定寸法以上変位するまで前記開口部２０ａを閉塞するためのリブ２１ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板周辺部材の耐久性が劣化するのを抑制しながら基板表面に凍結膜を生成することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】冷却ノズル３から窒素ガスに酸素を混合させた混合流体を冷媒として吐出させながら冷却ノズル３を待機位置Ｐｓから基板Ｗの回転中心位置Ｐｃに移動させる。このとき、冷却ノズル３が基板表面Ｗｆ上に対向すると冷媒温度（吐出冷媒温度）が急激に低下する。そして、回転駆動されている基板Ｗの表面Ｗｆに向けて冷却ノズル３を基板Ｗの端縁位置Ｐｅに向けて移動させていく。これにより、基板表面Ｗｆの表面領域のうち液膜１１が凍結した領域（凍結領域）が基板表面Ｗｆの中央部から周縁部へと広げられていく。冷媒温度の低下は冷却ノズル３が基板表面Ｗｆ上をスキャンしている間維持される。 （もっと読む）

【課題】薬液を浪費することなく、所望の基板処理を実施できる基板処理装置および基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理時に処理対象基板の上方に配置されるノズル１０９には、供給配管１１０を介して薬液１０４をノズル１０９へ供給する薬液供給部１３０が接続されている。ノズル１０９および供給配管１１０に残留する薬液１０４を排出するプリディスペンス時には、ノズルの下方にプリディスペンスポッド１０２が配置される。吐出間隔取得部１４３は、直前の基板処理において薬液１０４の吐出が完了した時点から、次基板処理において薬液１０４の吐出が開始される時点までの吐出間隔時間を取得する。プリディスペンス時間決定部１４２は、取得された吐出間隔時間に応じてプリディスペンスの実行時間を決定する。そして、決定されたプリディスペンス実行時間にしたがって、処理制御部１４１が、次基板処理前にプリディスペンスを実行する。 （もっと読む）

【課題】基板の反転を必要とせず、且つ基板の周縁部にダメージを与えないように基板の裏面を洗浄することの可能な基板洗浄装置等を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。 （もっと読む）