【課題】被処理体の周縁部の処理空間の雰囲気を容易に制御し、かつ、水平方向における大きさを小さくし、さらに、ウエハを処理するための処理空間を小さくすること。
【解決手段】液処理装置は、第二筐体２０と、第二筐体２０に当接可能な第一筐体１０と、被処理体Ｗを保持する保持部１と、保持部１によって保持された被処理体Ｗを回転させる回転駆動部６０と、保持部１によって保持された被処理体Ｗの表面の周縁部に処理液を供給する表面側処理液供給ノズル５１ａ，５２ａと、保持部１によって保持された被処理体Ｗの裏面側に配置され、被処理体Ｗを経た処理液を貯留する貯留部２３と、を備えている。第一筐体１０および第二筐体２０の各々は一方向に移動可能となり、第一筐体１０と第二筐体２０とが当接および離隔可能となっている。 （もっと読む）

【課題】第１の処理液および第２の処理液を確実に分離して回収するとともに、被処理基板上にウォーターマークやパーティクル等の欠陥が生じることを確実に防止すること。
【解決手段】液処理装置１は、基板保持機構２０と、第１の処理液および第２の処理液を供給する処理液供給機構３０と、回転カップ６１と、回転カップ６１の第１の受け面６１ａで受けた第１の処理液および第２の処理液をそれぞれ排出する外側排出部１５および内側排出部１６と、外側排出部１５を開閉する排出部開閉機構３４とを備えている。回転カップ６１の第１の受け面６１ａの下端６１ｂは、基板保持機構２０によって保持された被処理基板Ｗより下方に延びている。排出部開閉機構３４が上昇した場合、第１の処理液は外側排出部１５へ向けて排出され、排出部開閉機構３４が下降した場合、第２の処理液は内側排出部１６へ向けて排出される。 （もっと読む）

【課題】大口径化したシリコンウェーハであっても、装置が過剰に巨大化せず、かつ使用薬液量も口径の割には低減できる洗浄方法および装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽中の洗浄液中でシリコンウェーハを移動させながら洗浄する方法。洗浄槽中に設けられた、表面の一部から水流または気流が噴出する下り斜面を、シリコンウェーハを斜面に接触させることなく自由落下により移動させ、洗浄槽中に設けられた下り斜面に続く上り斜面を、自由落下により移動させたシリコンウェーハを斜面に接触させることなく牽引移動させて、移動の間に洗浄する。底部が入口側からの下り斜面と出口側に向けての上り斜面を有する洗浄槽を含む、シリコンウェーハ洗浄装置。下り斜面は、水流および／または気泡を吹き出す吹き出し口を有し、上り斜面は、シリコンウェーハを斜面に沿って牽引移動させるための手段を有し、シリコンウェーハを前記下り斜面および上り斜面を移動させながら洗浄槽中の洗浄液で洗浄する。 （もっと読む）

【課題】広範囲にわたる基板の処理を行うことができるとともに、設置面積を削減することができる基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板を収容する基板処理室内で気体と液体とを混合した２流体を基板に向けて吐出して基板の処理を行う基板処理装置において、前記基板処理室内に、ノズルの内部で２流体を混合して外部に吐出する内部混合手段と、ノズルの外部に２流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段とを設けることにした。 （もっと読む）

【課題】乾燥ユニットにおける基板に対する乾燥性能を向上させることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記録媒体を提供する。
【解決手段】まず乾燥ユニット２３においてチャンバー壁３９を加熱する。そして、チャンバー壁３９の外部にある大気の温度よりも低い温度のガスである冷却ガスを乾燥ユニット２３のチャンバー２３ａ内に供給することによりチャンバー２３ａ内にある加熱されたＮ２ガスを冷却ガスに置換する。その後、ウエハＷを洗浄槽２２内から乾燥ユニット２３のチャンバー２３ａ内まで移動させる。そして、ウエハＷを洗浄槽２２内から乾燥ユニット２３のチャンバー２３ａ内まで移動させる間に、またはウエハＷを洗浄槽２２内から乾燥ユニット２３のチャンバー２３ａ内まで移動させた後に、チャンバー２３ａ内に乾燥ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】処理液案内部材の内方に処理液雰囲気を保持することができ、処理液案内部材外への処理液雰囲気の流出を抑制または防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】内構成部材１９は、スピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられ、第１案内部２５、廃棄溝２６、内側回収溝２７および外側回収溝５２を一体的に有している。中構成部材２０は、内構成部材１９の外側においてスピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられ、第２案内部４８を有している。外構成部材２１は、中構成部材２０の第２案内部４８の外側においてスピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられている。外構成部材２１には、スカート部８０が備えられている。スカート部８０の垂下部８１の下端部は、液体貯留部７０に貯留された液体中に浸漬されていて、液封構造を形成している。 （もっと読む）

【課題】熱の再利用ができ、配管の破損が生じても問題が生じることがなく、その上、装置のコストアップを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】二重容器２７における熱交換により、排出される燐酸と供給される燐酸との間で熱の再利用ができる。また、熱交換が燐酸同士であるので、二重容器２７の内容器２９が破損したとしても問題が生じない。その上、別体の予備温調ユニットを設けることなく、供給する燐酸に加温することができるので、装置のコストアップを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】暖気を行うラインを別途設けることにより、プロセスの再現性が良好な基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部９１は、純水などの液滴が付着した基板Ｗを処理槽９に載置した後、シャワーノズル１７から乾燥媒体を供給させる。基板Ｗに付着している純水などの液摘は、乾燥媒体の液滴の物理力によって除去される。このとき基板Ｗは乾燥媒体によって完全に覆われた状態である。次に、空気をインラインヒータ５９で加熱しつつシャワーノズル１７に供給して基板Ｗを乾燥させる前に、インラインヒータ５９を作動させた状態で気体をガス排気管７７に排出させる。したがって、加熱された空気はチャンバ１内に供給されずガス排気管７７を介して排出されるので、チャンバ１の温度が自然に上昇することがなく、プロセスの再現性を良好にすることができる。 （もっと読む）

【課題】上下ノズルの流量比を処理に応じて最適なものとすることにより、液中のパーティクル排出性能を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】、制御部４７は、上ノズル１３と下ノズル１１の流量比を調整するので、内槽３内におけるリフタ９の保持部７付近に適度な大きさの渦を発生させることができる。したがって、渦の大きさを調整して、内槽３内を下方から上方へと向かう処理液の流れを適切に形成させることができるので、特に、洗浄処理において液中のパーティクルの排出能力を向上できる。 （もっと読む）

【課題】基板と基板との間隙における処理液の流速を向上させ、基板と基板との間隙に下向きの流れが発生することを防止することにより、処理液中のパーティクルや排液すべき成分の排出効率を向上させ、また、複数枚の基板の処理状態を均一化できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、内槽１１の側壁１１ｃに設けられた整流板６１と、リフタ２０の背板２２に設けられた整流板６２とを有する。処理液中に浸漬された複数枚の基板Ｗの側方の領域Ａ１，Ａ２においては、整流板６１，６２がそれぞれ抵抗となり、これらの領域Ａ１，Ａ２における処理液の流れが抑制される。したがって、複数枚の基板Ｗの間隙Ａ３における処理液の流速が向上する。これにより、複数枚の基板Ｗの間隙Ａ３に下向きの流れが発生することを防止でき、処理液中のパーティクルや排液すべき成分を効率よく排出できるとともに、複数枚の基板Ｗの処理状態を均一化できる。 （もっと読む）

【課題】乾燥時間を短縮することができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部９１は、純水などの液滴が付着し、処理槽９に載置された基板Ｗに対して供給ノズル１７から乾燥媒体を供給させる。基板Ｗに付着している純水などの液摘は、乾燥媒体の液滴の物理力によって除去される。このとき基板Ｗは乾燥媒体によって完全に覆われた状態である。次に、乾燥媒体の供給を停止させるとともに、処理槽９内に滞留している乾燥媒体を排出・回収させた後、ガス供給管７７から乾燥気体を供給ノズル１７に供給して、基板Ｗに付着している乾燥媒体を乾燥させる。したがって、チャンバ１内の気体の置換や減圧に要する時間が不要であるので、基板Ｗの乾燥時間を短縮することができる。また、基板Ｗを処理槽９から引き上げた位置にて乾燥処理を行わないので、装置の高さ方向の寸法を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を基板保持手段により保持し処理槽内の処理液中に浸漬させて処理する装置において、基板表面からパーティクルや残留薬液を除去して効率良く処理槽外へ排出することができ、処理時間の短縮と処理液の使用量の低減を図ることができる装置を提供する。
【解決手段】処理液を貯留する処理槽１０と、鉛直姿勢で水平方向に配列された複数の基板Ｗの最下端部および両側の各下端部をそれぞれ保持する第１保持部３４および第２保持部３６ａ、第３保持部３６ｂを有し処理槽１０の内方位置と上方位置との間で上下方向へ移動する基板保持具１２と、処理槽１０の底部近傍に設けられた吐出口から処理液を吐出する一対の吐出管１８と、基板保持具１２を処理槽１０内において、第２保持部３６ａ、第３保持部３６ｂが吐出管１８の吐出口からの処理液に当たる位置と当たらない位置とに移動させる移動制御手段とを備えて装置を構成した。 （もっと読む）

【課題】処理槽内の洗浄液に浸漬された基板に対し超音波を照射して基板を洗浄する場合に、装置の構造を複雑化させることなく、基板の洗浄面全域に効果的に超音波を照射して洗浄効果の均一性を高めることができる装置を提供する。
【解決手段】洗浄液を貯留する処理槽１０の底部外面側に配設される超音波振動板２０と、複数の基板Ｗを保持部１６により支持して処理槽１０の内部に保持する基板保持具との間に、超音波透過性材料で形成された平板状をなす一対の超音波屈折部材２４を左右対称に配設し、支持手段により超音波屈折部材２４を鉛直面に沿った方向において揺動可能に支持し、揺動手段により超音波屈折部材２４を基板Ｗの洗浄処理中に揺動させて超音波屈折部材２４と超音波振動板２０とのなす角度を変化させる。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を基板保持手段により保持し処理槽内の処理液中に浸漬させて処理する装置において、基板表面からパーティクルや残留薬液を除去して効率良く処理槽外へ排出することができ、処理時間の短縮と処理液の使用量の低減を図ることができる装置を提供する。
【解決手段】処理液を貯留する処理槽１０と、鉛直姿勢で水平方向に配列された複数の基板Ｗを保持し処理槽１０の内方位置と上方位置との間で上下方向へ移動する基板保持具１２と、処理槽１０の底部近傍に設けられた吐出口から処理液を吐出する一対の吐出管１８と、各吐出管１８に対向するように吐出管１８の長手方向に沿って基板保持具１２に固着され吐出管１８の吐出口から吐出される処理液の流れを遮る一対の邪魔板部材３８ａ、３８ｂと、基板保持具１２を処理槽１０内において、邪魔板部材３８ａ、３８ｂが吐出管１８の吐出口からの処理液に当たる位置と当たらない位置とに移動させる移動制御手段とを備えて装置を構成した。 （もっと読む）

【課題】処理槽内の洗浄液に浸漬された基板に対し超音波を照射して基板を洗浄する場合に、装置の構造を複雑化させることなく、基板の洗浄面全域に効果的に超音波を照射して洗浄効果の均一性を高めることができる方法を提供する。
【解決手段】吐出管２０から供給された洗浄液が処理槽１０内の洗浄液中に拡散していくときの流動分布の推移状況と、処理槽１０の底部側から照射された超音波が処理槽内の洗浄液中を伝播していくときの合成波面の進行状況とが相互に適合するように、基板Ｗの配列方向と直交する方向に並設された複数の超音波振動子群２２からそれぞれ位相をずらして超音波を照射する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板ベベル部に堆積した膜を洗浄により除去し、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板洗浄方法は、回転軸の回りで半導体基板を回転させる工程と、前記回転軸に対して第１の角位置に形成された冷却機構により、前記回転している半導体基板外周のベベル部を冷却する工程と、前記回転軸に対して前記第１の角位置とは異なる第２の角位置に形成された加熱機構により、前記回転している半導体基板の前記ベベル部を加熱する工程と、を含み、前記半導体基板の前記ベベル部を交互に加熱および冷却することにより、前記ベベル部において前記半導体基板の表面上に堆積している膜を剥離させる。 （もっと読む）

【課題】低湿度ガスの供給量を低減することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷが収容されるチャンバ１と、チャンバ１内でウエハＷを保持するスピンチャック２と、チャンバ１内のスピンチャック２の上方に上下動可能に設けられ、低湿度ガスおよび清浄空気のいずれかを下方に向けて吐出可能なガス吐出ヘッド７と、ガス吐出ヘッド７を、少なくとも前記チャンバの上部の退避位置と、前記基板保持部に保持された基板に近接した近接位置との間で移動させる駆動機構６７と、スピンチャック２に保持されたウエハＷに処理液を供給する処理液供給ノズル１５と、スピンチャック２に保持されたウエハＷにＩＰＡを供給するＩＰＡ供給ノズル３５とを具備し、少なくともＩＰＡの供給時にガス吐出ヘッド７を近接位置に位置させて前記ガス吐出ヘッドから低湿度ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物（ウエハ）を洗浄した際に生じた異物が被洗浄物（ウエハ）の表面に再付着し難い洗浄装置、洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】内槽１１と外槽４とが上下２層に配置され、内槽１１に被洗浄物（ウエハ１）を浸漬させ、内槽１１の底面１１ａ側から上方に洗浄液３を噴出させつつ洗浄を行う洗浄装置１０であって、内槽１１の底面１１ａを中央が窪んだすり鉢状に形成するとともに、洗浄液を噴出する洗浄液供給口１２を内槽１１の底面１１ａの周辺側に設ける。被洗浄物から脱落した沈殿性の異物８は底面１１ａの中央の窪んだ部分に集まり、洗浄液３を噴出しても巻き上がり難くなり、被洗浄物への異物の再付着を防止できる。 （もっと読む）

【課題】ウェハー研磨機とウェハー洗浄機とを備えたＣＭＰ装置において、ウェハー洗浄機による洗浄後にも残存する残存スラリーを低減することを課題とする。
【解決手段】ウェハーホルダーと、ウェハー研磨機と、ウェハー洗浄機とを備えたＣＭＰ装置であって、前記ウェハー洗浄機は、洗浄容器と、前記洗浄容器内に洗浄液を導入する洗浄液導入装置とを備え、前記洗浄容器は、前記ウェハーの研磨面に対応する前記ウェハーホルダーのウェハー担持面より大きな上部開口部を備え、かつその上端が洗浄時に前記ウェハーホルダーの少なくとも側面に位置することを特徴とするＣＭＰ装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】被処理物の種々のサイズに対応可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置Ｍは、長手方向に連なる複数の電極ユニット１０，１０を備えている。各電極ユニット１０は、互いに対応する長さの第１、第２電極部材１１，１２と、第１誘電部材１３と、一対のサイドフレーム１６を有している。複数の電極ユニット１０，１０における第１電極部材１１，１１どうし、第１誘電部材１３，１３どうし、及び幅方向の同側のサイドフレーム１６，１６どうしが、それぞれ互いに同一規格に形成されるとともに長手方向に連ねられている。 （もっと読む）